發(fā)布時(shí)間：2021-10-31 09:46

　　超填孔鍍銅技術(shù)是印制電路板（PCB）尤其是高密度互聯(lián)（HDI）板金屬化制程的關(guān)鍵。目前,超填孔鍍銅選擇的都是酸性硫酸鹽鍍銅體系,而酸性硫酸鹽鍍銅的關(guān)鍵是添加劑的選擇與使用。本文以加速劑為研究對(duì)象,根據(jù)分子的組成與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)將待研究的有機(jī)物分子分為兩組:1)分子中含直鏈烷烴的;2)分子中含五元雜環(huán)的。首先,通過循環(huán)伏安、計(jì)時(shí)電位等電化學(xué)測(cè)試方法研究各有機(jī)物分子對(duì)鍍銅過程的影響規(guī)律,結(jié)果表明:所有有機(jī)物分子都對(duì)鍍銅過程具有加速效果,但加速響應(yīng)時(shí)間與加速作用強(qiáng)度存在差別。接下來,詳細(xì)揭示了加速劑濃度、對(duì)流強(qiáng)度以及氯離子對(duì)加速劑加速作用的影響規(guī)律,結(jié)果表明:1)H1、SH110、TPS和M存在臨界濃度,它們均表現(xiàn)為在低濃度下加速銅沉積,而在高濃度下抑制銅沉積;2)對(duì)流強(qiáng)度越弱,加速劑對(duì)鍍銅過程的加速作用越明顯;3)DMPS和TPS在無氯條件下加速作用更強(qiáng),其他加速劑均表現(xiàn)為抑制作用。然后,通過預(yù)吸附-脫附實(shí)驗(yàn)揭示加速劑分子在電極表面的吸脫附行為,結(jié)果表明:氯離子能增強(qiáng)加速劑分子在電極表面的吸附強(qiáng)度并延長(zhǎng)脫附時(shí)間,但無氯條件下加速劑分子吸附量更多。為了進(jìn)一步研究加速劑分子對(duì)鍍銅過程影響的作用機(jī)制,... 

【文章來源】：北京化工大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：95 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－１盲孔模型剖面圖??

?第三章加速劑電化學(xué)行為研究???這一項(xiàng)數(shù)據(jù)可以看出加速劑在陰極表面完全發(fā)揮加速作用以及加速劑到陰極表??面所需的時(shí)間，也是衡量加速劑加速能力的一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，得到的數(shù)據(jù)如表３－２所示。??由圖３－３和表３－２可以看出，體系在加入ＭＰＳ和ＤＭＰＳ之后，電極電位產(chǎn)??生正向移動(dòng)，并最終保持在加速電位，說明ＭＰＳ和ＤＭＰＳ都具有加速銅沉積的??作用。ＤＭＰＳ產(chǎn)生的平均電位差值大于ＭＰＳ的平均電位差值，證明ＤＭＰＳ的加??速作用更強(qiáng)；但是ＤＭＰＳ的響應(yīng)時(shí)間遠(yuǎn)大于ＭＰＳ，這說明ＤＭＰＳ在溶液中擴(kuò)散??并在陰極吸附和生效所需的時(shí)間更長(zhǎng)。而ＳＨ１１０與ＴＰＳ相比，ＳＨ１１０的加速效??果更強(qiáng)但是響應(yīng)時(shí)間相應(yīng)更長(zhǎng)，這說明ＳＨ１１０促進(jìn)銅沉積的加速作用更大，但??是發(fā)揮作用所需的時(shí)間也相應(yīng)更長(zhǎng)。??而在第二組添加劑中，鍍液在加入Ｎ之后電位先負(fù)向移動(dòng)，然后慢慢向正??向移動(dòng)，這說明Ｎ在陰極表面從吸附到發(fā)揮作用的過程是一個(gè)長(zhǎng)效的過程，剛??加入加速劑的前期，Ｎ分子在陰極表面吸附，但是尚未發(fā)揮加速作用，反而影響??了銅離子的正常沉積，呈現(xiàn)出抑制作用，隨著Ｎ開始逐漸發(fā)揮作用，電位逐漸??上升。除Ｎ以外的其他的加速劑則都呈現(xiàn)出單一的加速作用，對(duì)比ＭＢＴ與Ｍ??來看，Ｍ比ＭＢＴ的響應(yīng)時(shí)間更短、引起的電位差值變化更大，這說明Ｍ的加??速性能更好。這與循環(huán)伏安法得到的結(jié)論一致。??－０．４３２??１?－０．４２０?????ＭＰＳ???ＳＨＩ１０???ＤＭＰＳ?ｉ?—?ＴＰＳ??－０．４５０?－?－０．４３２?＼??｜?視－＾?｜?－〇?ｗ?＼?〔???＾?｜?－?／??＿〇．５０４?－?Ｉｍｇ／Ｉ．?－０．４６

Ｎ??７５－?７５?．??Ｉ－?ｔ：??４?２５?－???４?２５?－??Ｑ：??０?２５?５０?７５?１００?０?２５?３０?７５?１００??Ｚ＇／ｎｃｍ２?Ｚ＇／Ｃｌｃｍ２??（ｂ）??ＣＰＵ，??ｆｔ、?ＪＬ，??＿＿ｊ￣￣ｉ??－ｊ＿——＾??Ｒｉ??￣???ＣＰＥ，?ＣＰＥｊ??—［：Ｊ—?一?＿ｒ??Ｒ、?Ｒ，??－Ｕ?＿＇￣ｈ＋Ｌ?１，？？？．圍，．Ｗ？｜＇Ｕ＇ＷＪＪ＂＾?Ｉ＿＇４＿，…ｍｕＪ??圖３－４?（ａ）在含有不同加速劑的鍍液中測(cè)得的Ｎｙｑｕｉｓｔ圖（ｂ）曲線擬合時(shí)所選取的等效電??路圖??Ｆｉｇ．?３－４?（ａ）?Ｎｙｑｕｉｓｔ?ｐｌｏｔ?ｍｅａｓｕｒｅｄ?ｉｎ?ａ?ｂａｔｈ?ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ?ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ?ａｄｄｉｔｉｖｅｓ?ａｎｄ?（ｂ）?ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ??ｃｉｒｃｕｉｔ?ｄｉａｇｒａｍｓｅｌｅｃｔｅｄ?ｆｏｒ?ｃｕｒｖｅ?ｆｉｔｔｉｎｇ??由圖３－４可以看出，實(shí)驗(yàn)測(cè)得的交流阻抗法曲線與擬合曲線幾乎完全重合，??這說明我們選擇的圖３－４?（ｂ）中的等效電路圖能夠合理地反應(yīng)盲孔鍍銅體系中發(fā)??生的電化學(xué)過程。對(duì)比參考文獻(xiàn)［４６４８］，在這個(gè)等效電路中，體系的阻抗分為三部??分，第一部分是用Ｒｓ表示的溶液電阻；第二部分是ＣＰＥ１元件與＆元件并聯(lián)對(duì)??應(yīng)Ｎｙｑｕｉｓｔ圖中的第一個(gè)容抗弧，其中ＣＰＥｉ為常相位角兀件，表不的是體系雙??電層電容，能夠反映陰極表面加速劑分子的吸附量情況，山則是電化學(xué)反應(yīng)電??阻，或稱為電荷傳遞電阻；第三部分則是ＣＰＥ２元器件與心并聯(lián)對(duì)應(yīng)Ｎｙｑｕｉｓｔ圖??中第二個(gè)容抗弧，反映了體系發(fā)生

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]PCB通孔電鍍銅添加劑的分子模擬及其作用機(jī)制的研究[D]. 王沖.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013

碩士論文
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本文編號(hào)：3467907