超填孔鍍銅技術(shù)是印制電路板（PCB）尤其是高密度互聯(lián)（HDI）板金屬化制程的關(guān)鍵。目前,超填孔鍍銅選擇的都是酸性硫酸鹽鍍銅體系,而酸性硫酸鹽鍍銅的關(guān)鍵是添加劑的選擇與使用。本文以加速劑為研究對象,根據(jù)分子的組成與結(jié)構(gòu)特點將待研究的有機物分子分為兩組:1)分子中含直鏈烷烴的;2)分子中含五元雜環(huán)的。首先,通過循環(huán)伏安、計時電位等電化學測試方法研究各有機物分子對鍍銅過程的影響規(guī)律,結(jié)果表明:所有有機物分子都對鍍銅過程具有加速效果,但加速響應(yīng)時間與加速作用強度存在差別。接下來,詳細揭示了加速劑濃度、對流強度以及氯離子對加速劑加速作用的影響規(guī)律,結(jié)果表明:1)H1、SH110、TPS和M存在臨界濃度,它們均表現(xiàn)為在低濃度下加速銅沉積,而在高濃度下抑制銅沉積;2)對流強度越弱,加速劑對鍍銅過程的加速作用越明顯;3)DMPS和TPS在無氯條件下加速作用更強,其他加速劑均表現(xiàn)為抑制作用。然后,通過預吸附-脫附實驗揭示加速劑分子在電極表面的吸脫附行為,結(jié)果表明:氯離子能增強加速劑分子在電極表面的吸附強度并延長脫附時間,但無氯條件下加速劑分子吸附量更多。為了進一步研究加速劑分子對鍍銅過程影響的作用機制,... 

【文章來源】：北京化工大學北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：95 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－１盲孔模型剖面圖??

?第三章加速劑電化學行為研究???這一項數(shù)據(jù)可以看出加速劑在陰極表面完全發(fā)揮加速作用以及加速劑到陰極表??面所需的時間，也是衡量加速劑加速能力的一項標準，得到的數(shù)據(jù)如表３－２所示。??由圖３－３和表３－２可以看出，體系在加入ＭＰＳ和ＤＭＰＳ之后，電極電位產(chǎn)??生正向移動，并最終保持在加速電位，說明ＭＰＳ和ＤＭＰＳ都具有加速銅沉積的??作用。ＤＭＰＳ產(chǎn)生的平均電位差值大于ＭＰＳ的平均電位差值，證明ＤＭＰＳ的加??速作用更強；但是ＤＭＰＳ的響應(yīng)時間遠大于ＭＰＳ，這說明ＤＭＰＳ在溶液中擴散??并在陰極吸附和生效所需的時間更長。而ＳＨ１１０與ＴＰＳ相比，ＳＨ１１０的加速效??果更強但是響應(yīng)時間相應(yīng)更長，這說明ＳＨ１１０促進銅沉積的加速作用更大，但??是發(fā)揮作用所需的時間也相應(yīng)更長。??而在第二組添加劑中，鍍液在加入Ｎ之后電位先負向移動，然后慢慢向正??向移動，這說明Ｎ在陰極表面從吸附到發(fā)揮作用的過程是一個長效的過程，剛??加入加速劑的前期，Ｎ分子在陰極表面吸附，但是尚未發(fā)揮加速作用，反而影響??了銅離子的正常沉積，呈現(xiàn)出抑制作用，隨著Ｎ開始逐漸發(fā)揮作用，電位逐漸??上升。除Ｎ以外的其他的加速劑則都呈現(xiàn)出單一的加速作用，對比ＭＢＴ與Ｍ??來看，Ｍ比ＭＢＴ的響應(yīng)時間更短、引起的電位差值變化更大，這說明Ｍ的加??速性能更好。這與循環(huán)伏安法得到的結(jié)論一致。??－０．４３２??１?－０．４２０?????ＭＰＳ???ＳＨＩ１０???ＤＭＰＳ?ｉ?—?ＴＰＳ??－０．４５０?－?－０．４３２?＼??｜?視－＾?｜?－〇?ｗ?＼?〔???＾?｜?－?／??＿〇．５０４?－?Ｉｍｇ／Ｉ．?－０．４６

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【參考文獻】：
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博士論文
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碩士論文
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本文編號：3467907