提出了一種新型掃描大尺寸多晶硅片晶向的方法,該方法以晶粒表面光學(xué)3D各向形貌的分析為基礎(chǔ),通過(guò)2部相機(jī)直接采集得到晶粒的2D反射譜;每種不同晶向有其特定的表面形貌及對(duì)應(yīng)的特征反射譜線,該特征反射譜線由理論推測(cè)而得,并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符;晶粒的晶向指數(shù)可以由特征譜線峰值計(jì)算得出。本測(cè)試實(shí)現(xiàn)了對(duì)100×100 mm²堿制絨硅片的晶向檢測(cè),測(cè)試時(shí)間小于10 min,檢測(cè)精度小于1.34°。這種快速掃描晶向的方法可以用于高效多晶硅片的研發(fā)。 

【文章來(lái)源】：太陽(yáng)能. 2020,(05)

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

晶體硅任意晶向的晶面制絨后的3D形貌及其2D投影

圖1 晶體硅任意晶向的晶面制絨后的3D形貌及其2D投影上述2D投影向量可以由反射曲線的峰值檢測(cè)到，而且從<111>晶面的3D法向量的定義出發(fā)，2D投影向量也可以被還原成空間的3D形式。

選取1塊面積為100×100 mm2的多晶硅片作為實(shí)驗(yàn)硅片，經(jīng)過(guò)10 min的標(biāo)準(zhǔn)堿制絨工藝后，硅片獲得了更加明顯地晶粒對(duì)比度。圖2為實(shí)驗(yàn)硅片堿制絨后晶粒的外觀圖，其中，晶粒a～晶粒d為不同對(duì)比度的典型晶粒。用電子掃描顯微鏡(SEM)觀察了圖2中晶粒a～晶粒d的表面微形貌，如圖3所示。從圖中可看出，不同對(duì)比度的晶粒，其微觀形貌區(qū)別也較大。


本文編號(hào)：3302347