針對(duì)單晶硅片在制絨后出現(xiàn)的白斑及臟污現(xiàn)象,通過(guò)對(duì)異常硅片進(jìn)行絨面測(cè)試、厚度測(cè)試和產(chǎn)線對(duì)比實(shí)驗(yàn),排查異常現(xiàn)象產(chǎn)生的原因,并結(jié)合顯微紅外測(cè)試和X射線能譜分析（EDS）測(cè)試對(duì)產(chǎn)生異常的原因進(jìn)行深入分析。分析結(jié)果表明:硅片制絨后出現(xiàn)白斑現(xiàn)象主要是硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的。進(jìn)刀面出現(xiàn)異常,一方面是由于硅片清洗液殘留所致,另一方面是由于粘棒膠通過(guò)金剛線帶入硅片表面后,后道工序難以清洗造成的。M2異常硅片進(jìn)刀面有大片灰白狀是有機(jī)硅類物質(zhì)附著、粘膠導(dǎo)致的;M2和157.4 mm異常硅片其他異常區(qū)域有小片亮白、灰白狀,主要是清洗劑中的磷酸鹽、硅酸鹽殘留。 

【文章來(lái)源】：太陽(yáng)能. 2020,(05)

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【部分圖文】：

157.4 mm異常硅片絨面測(cè)試結(jié)果

157.4 mm異常硅片絨面測(cè)試結(jié)果

從單晶硅片的絨面數(shù)據(jù)來(lái)看，幾類異常硅片未形成“金字塔”狀絨面，異常區(qū)域未發(fā)生腐蝕，或單晶各項(xiàng)異性腐蝕效果未體現(xiàn)。如果是未發(fā)生腐蝕，推測(cè)其表面存在不易被酸堿清洗腐蝕的物質(zhì)；如果是發(fā)生了腐蝕但未形成“金字塔”狀絨面，則推測(cè)是硅片晶向異�；蛑平q溶液異常[4]。2種單晶硅片的異常硅片絨面測(cè)試結(jié)果如圖1、圖2所示，結(jié)果證實(shí)，硅片外觀存在異常。圖2 157.4 mm異常硅片絨面測(cè)試結(jié)果

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]晶硅太陽(yáng)電池黑斑分析[J]. 陳曉玉,劉彤,劉京明,謝輝,趙有文,董志遠(yuǎn),馬承紅,和江變.  半導(dǎo)體光電. 2017(01)



本文編號(hào)：3302279