本文選題：單晶石墨烯 + 化學(xué)氣相沉積　； 參考：《功能材料》2017年04期

【摘要】：石墨烯的形核和生長動力學(xué)過程的控制對于單晶石墨烯的制備有著至關(guān)重要的影響。采用低壓化學(xué)氣相沉積(CVD)方法,通過優(yōu)化生長條件參數(shù),在銅箔襯底上生長出4mm左右的大尺寸單晶石墨烯。通過一系列形貌和結(jié)構(gòu)的表征,證明了樣品為高質(zhì)量的單層單晶石墨烯。同時觀察到CVD生長的亞毫米級、A-B型堆垛的多層單晶石墨烯疇,以及由單晶石墨烯共生形成的疊層結(jié)構(gòu)。此外通過采用3種類型的銅箔襯底生長石墨烯,發(fā)現(xiàn)銅箔特性如體氧含量等對石墨烯成核密度和單晶石墨烯形貌有重要的影響,并觀察到不同類型銅箔的晶面擇優(yōu)取向在CVD生長前后發(fā)生不同的轉(zhuǎn)變。最后,利用所生長的大尺度單晶石墨烯制備場效應(yīng)晶體管,實現(xiàn)高的載流子遷移率。
[Abstract]:The nucleation and growth kinetics of graphene play an important role in the preparation of single crystal graphene. By means of low pressure chemical vapor deposition (4mm) method, large size graphene with 4mm was grown on copper foil substrate by optimizing the growth conditions. A series of morphologies and structures show that the samples are monolayer graphene with high quality. The multilayer graphene domains of sub-millimeter A-B stacking grown by CVD and the laminated structures formed by the symbiosis of single crystal graphene were also observed. In addition, through the growth of graphene on three types of copper foil substrates, it is found that the copper foil properties such as bulk oxygen content have an important influence on the nucleation density and the morphology of single crystal graphene. It was also observed that the preferred orientation of different types of copper foil changed before and after CVD growth. Finally, field effect transistors (FET) were fabricated by using large scale single crystal graphene to achieve high carrier mobility.
【作者單位】： 中國科學(xué)院大學(xué);中國科學(xué)院強(qiáng)磁場科學(xué)中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(11074256,11574314,21301177)
【分類號】：TQ127.11

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本文編號：1888643