本文關鍵詞：氮化鍺多形體的四方、單斜和正交畸變的理論研究

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【摘要】：采用量子化學從頭算方法,對Ge_3N_4的四方、單斜和正交結構同質異相體的微結構、態(tài)密度和聲子譜進行了研究.形成焓為負值、彈性常數滿足Born穩(wěn)定性準則和聲子譜無虛頻等結果證實在0~20 GPa范圍內3種相都能保持結構穩(wěn)定.溫度變化影響到晶胞體積,從而使體模量發(fā)生改變.3種Ge_3N_4都屬于半導體,Ge原子和N原子之間存在明顯的s-p雜化現(xiàn)象.當壓強增大時誘發(fā)了離域電子,從而使體系的帶隙減小.本文還采用準諧近似對Ge_3N_4的熱力學性質進行了研究,結果表明,溫度和壓強對熱膨脹系數、熵、熱容、德拜溫度和格林愛森參數產生了明顯影響.m-Ge_3N_4和t-Ge_3N_4的熱膨脹系數分別為o-Ge_3N_4的3倍和2倍.t-Ge_3N_4和o-Ge_3N_4的晶格諧振頻率基本不受溫度的影響.
【作者單位】： 信陽師范學院物理電子工程學院;
【關鍵詞】： 從頭算 氮化鍺 電子結構 穩(wěn)定性
【基金】：國家自然科學基金(批準號:61475132;11304141;11475143和61501392) 國家級大學生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓練計劃項目(批準號:201510477001)資助~~
【分類號】：O641.1
【正文快照】： ⅢA和ⅣA族元素的氮化物由于具有優(yōu)異的力學性質和熱力學性能,通�？梢宰鳛楦邷亟Y構材料、催化劑、發(fā)光二極管和難熔陶瓷來使用[1~4].目前的實驗和理論研究都主要集中在BN和Si3N4材料上,關于Ge3N4的研究相對較少.實際上,因為Ge原子比Si原子的載流子遷移率高,所以用鍺制造的半，

本文編號：844012