納米硒化物及其復(fù)合材料的制備與光、電催化性能研究
本文關(guān)鍵詞:納米硒化物及其復(fù)合材料的制備與光、電催化性能研究
更多相關(guān)文章: Bi_2Se_3 ZnO\ZnSe MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO 催化
【摘要】:近年來(lái),納米硒化物及其復(fù)合材料由于其適宜的帶隙結(jié)構(gòu)、良好的光學(xué)性能、電學(xué)性能、光電協(xié)同性能及電磁學(xué)性能等,被廣泛的應(yīng)用于光、電催化及電子器件領(lǐng)域。因此,對(duì)納米硒化物及其復(fù)合材料的合成及性能研究是當(dāng)前材料研究的熱點(diǎn)。本文以NaHSe前驅(qū)體為硒源,采用水熱、溶劑熱合成方法控制生長(zhǎng)得到三種納米硒化物極其復(fù)合材料。本論文主要研究?jī)?nèi)容如下:采用一步溶劑熱過(guò)程合成Bi_2Se_3超薄納米片。合成以氯化鉍為鉍源,硒粉為硒源,以硼氫化鈉為還原劑,以去離子水和丙酮作為溶劑,一步水熱合成即可得到厚度約為2 nm的Bi_2Se_3超薄納米片。在反應(yīng)體系中加入表面活性劑PVP可改變超薄納米片的厚度,并且通過(guò)對(duì)反應(yīng)時(shí)間的控制合理推測(cè)出它的生長(zhǎng)機(jī)理。通過(guò)一系列的表征確定了最優(yōu)結(jié)構(gòu),在降解甲基橙溶液時(shí)表現(xiàn)出了很好的光催化性能,30min降解率可達(dá)78%.采用原位生長(zhǎng)法在FTO表面生長(zhǎng)ZnO\ZnSe異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米釘陣列。首先FTO浸漬于晶種溶液中,煅燒后得到ZnO晶種。再將長(zhǎng)有ZnO晶種的FTO經(jīng)一步水熱得到ZnO納米棒陣列。硒化后形成納米釘狀ZnO\ZnSe異質(zhì)陣列,并作為電極材料測(cè)試其光電化學(xué)水氧化性能。制得的ZnO\ZnSe異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米釘陣列由于其特殊的結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出優(yōu)異的光電催化性能。通過(guò)對(duì)反應(yīng)時(shí)間的控制合理推測(cè)出它的生長(zhǎng)機(jī)理,并通過(guò)瞬態(tài)及穩(wěn)態(tài)PL光譜、功涵及價(jià)帶譜確定其電子走向。深入研究了結(jié)構(gòu)對(duì)光電化學(xué)水氧化性能的大幅提高起到的作用。通過(guò)兩步水熱合成制備一種新型MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO復(fù)合材料。首先得到超薄、卷曲的MoSe_2納米片,在與GO復(fù)合的過(guò)程中加入硫脲同步進(jìn)行S取代。得到的Mo_(S2(1-x))Se_(2x)/rGO復(fù)合材料的電催化析氫性能遠(yuǎn)優(yōu)于單一的MoSe_2、MoS_2材料。通過(guò)與硒源和硫源投料比的控制,得到不同組分的MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO復(fù)合材料。通過(guò)對(duì)所有組分材料的電催化析氫性能的測(cè)試,得出MoS_(0.8)Se_(1.2)/rGO復(fù)合材料具備最好電催化析氫性能。
【關(guān)鍵詞】:Bi_2Se_3 ZnO\ZnSe MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO 催化
【學(xué)位授予單位】:黑龍江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類(lèi)號(hào)】:O643.36;TQ116.2
【目錄】:
- 中文摘要4-6
- Abstract6-11
- 第1章 緒論11-26
- 1.1 能源轉(zhuǎn)換材料簡(jiǎn)介11-15
- 1.1.1 半導(dǎo)體的光催化反應(yīng)概述11-12
- 1.1.2 半導(dǎo)體的光電催化概述12-14
- 1.1.3 半導(dǎo)體的電催化反應(yīng)概述14-15
- 1.2 幾種硒化物催化劑簡(jiǎn)介15-23
- 1.2.1 Bi_2Se_3材料15-16
- 1.2.2 ZnSe材料16-19
- 1.2.3 MoSe_2材料19-23
- 1.3 選題背景及國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀23-24
- 1.4 研究課題來(lái)源24-25
- 1.5 本課題的研究?jī)?nèi)容25-26
- 第2章 實(shí)驗(yàn)材料和表征方法26-33
- 2.1 實(shí)驗(yàn)試劑26
- 2.2 實(shí)驗(yàn)儀器和設(shè)備26-27
- 2.3 表征方法及原理27-31
- 2.3.1 廣角X射線(xiàn)粉末衍射 (XRD)27-28
- 2.3.2 拉曼光譜 (Raman spectroscopy)28
- 2.3.3 掃描電子顯微鏡 (SEM)28
- 2.3.4 透射電子顯微鏡 (TEM)28
- 2.3.5 原子力顯微電鏡 (AFM )28-29
- 2.3.6 X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)29
- 2.3.7 紫外-可見(jiàn)光譜 (UV-visible spectroscopy)29
- 2.3.8 熒光檢測(cè)器 (Fluorescence Spectrophotometer )29-30
- 2.3.9 開(kāi)爾文探針 (SKP)30
- 2.3.10 電化學(xué)阻抗譜 (EIS)30-31
- 2.4 性能測(cè)試31-33
- 2.4.1 光催化降解有機(jī)污染物測(cè)試31
- 2.4.2 光電催化分解水測(cè)試31-32
- 2.4.3 電催化分解水測(cè)試32-33
- 第3章 Bi_2Se_3超薄納米片的可控合成及其光催化性能研究33-42
- 3.1 引言33
- 3.2 實(shí)驗(yàn)部分33-34
- 3.2.1 NaHSe前驅(qū)體的制備33-34
- 3.2.2 Bi_2Se_3超薄納米片的可控制備34
- 3.3 結(jié)果與討論34-40
- 3.3.1 Bi_2Se_3超薄納米片的表征分析34-39
- 3.3.2 Bi_2Se_3超薄納米片的光催化性能測(cè)試39-40
- 3.4 本章小結(jié)40-42
- 第4章 原位生長(zhǎng)ZnO\ZnSe異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米釘陣列以提高光電化學(xué)水氧化性能42-59
- 4.1 引言42-43
- 4.2 實(shí)驗(yàn)部分43-44
- 4.2.1 ZnO晶種的制備43
- 4.2.2 ZnO納米棒陣列的合成43
- 4.2.3 ZnO\ZnSe異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米釘陣列的合成43-44
- 4.3 結(jié)果與表征44-58
- 4.3.1 ZnO\ZnSe納米釘陣列的表征分析44-54
- 4.3.2 ZnO\ZnSe異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米釘陣列的光電化學(xué)水氧化性能測(cè)試54-58
- 4.4 本章小結(jié)58-59
- 第5章 MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO復(fù)合材料的合成及其電催化析氫性能的探究59-67
- 5.1 引言59-60
- 5.2 實(shí)驗(yàn)部分60-61
- 5.2.1 MoSe_2納米片的合成60
- 5.2.2 MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO復(fù)合材料的合成60-61
- 5.3 結(jié)果與表征61-66
- 5.3.1 MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO復(fù)合材料的表征61-64
- 5.3.2 MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO復(fù)合材料的電化學(xué)析氫性能測(cè)試64-66
- 5.4 本章小結(jié)66-67
- 結(jié)論67-68
- 參考文獻(xiàn)68-81
- 致謝81-82
- 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文82
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