本文關(guān)鍵詞：新型可見(jiàn)光催化劑的制備及光電性能的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：光催化技術(shù)能在光照條件下徹底地將有機(jī)污染物分解為CO2、H2O等無(wú)機(jī)小分子,且高效節(jié)能、清潔無(wú)毒、工藝簡(jiǎn)化、無(wú)二次污染,越來(lái)越引起人們的關(guān)注。在光催化降解研究中,擬制備新型n型半導(dǎo)體BiVO4和p型半導(dǎo)體光催化劑CuBi2O4,研究其光(電)化學(xué)行為；以n-BiVO4半導(dǎo)體為陽(yáng)極,p-CuBi2O4半導(dǎo)體為對(duì)電極,組建p-n復(fù)合半導(dǎo)體,研究有機(jī)物種類,有機(jī)物濃度,電解質(zhì)濃度、不同對(duì)電極對(duì)電池性能的影響,用光電化學(xué)方法測(cè)試復(fù)合半導(dǎo)體光電性質(zhì),得到其光電轉(zhuǎn)化效率,為后續(xù)的污染物降解研究打下基礎(chǔ)。結(jié)果表明：1)電沉積法沉積p型半導(dǎo)體CuBi2O4膜最優(yōu)制備條件：沉積電壓-0.5V,沉積時(shí)間6min,沉積液濃度8mmol·L-1Bi(NO3)3和4mmol·L-1Cu(NO3)2(?)昆合液,煅燒溫度500℃。在以上條件下制得的CuBi2O4膜光電性能最好；制備的CuBi2O4膜在堿性和中性溶液中表現(xiàn)出較好的光電化學(xué)性能,并不適宜在酸性溶液中使用,進(jìn)行光催化時(shí)可以施加-0.2V左右的負(fù)偏壓,在此光電催化條件下電流最大,對(duì)污染物的處理效果理論上會(huì)有所提升。2)苯酚作為有機(jī)底物時(shí),具有更強(qiáng)的吸電子能力,使得p-n復(fù)合半導(dǎo)體具有更為優(yōu)異的電荷分離與傳輸性能和更低的電荷復(fù)合幾率,光電性能最高。對(duì)于不同濃度的苯酚+Na2SO4溶液,p-n復(fù)合半導(dǎo)體的Ⅰ-Ⅴ曲線均表現(xiàn)出相似的變化趨勢(shì)：當(dāng)外加偏壓較低時(shí),光電流隨著電壓的上升而增大。選擇0.1mol·L-1苯酚+0.1mol·L-1Na2SO4溶液為p-n復(fù)合半導(dǎo)體光電性能最佳時(shí)有機(jī)底物和電解液濃度,此時(shí)復(fù)合半導(dǎo)體的填充因子為0.158,400nm光照波長(zhǎng)下光電轉(zhuǎn)化效率效率為7.69%
【關(guān)鍵詞】：印染廢水 n型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體 制備條件優(yōu)化 p-n復(fù)合半導(dǎo)體 光電性質(zhì)
【學(xué)位授予單位】：浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2013
【分類號(hào)】：X50;O643.36
【目錄】：

• 致謝4-5
• 摘要5-6
• Abstract6-8
• 目錄8-10
• 第一章 文獻(xiàn)綜述10-24
• 1.1 印染廢水處理現(xiàn)狀10-13
• 1.1.1 印染廢水來(lái)源10-11
• 1.1.2 印染廢水特征及常見(jiàn)處理技術(shù)11-13
• 1.2 光催化氧化法13-21
• 1.2.1 光催化氧化技術(shù)的產(chǎn)生13
• 1.2.2 光催化氧化技術(shù)的研究現(xiàn)狀13-14
• 1.2.3 可見(jiàn)光響應(yīng)復(fù)合半導(dǎo)體研究現(xiàn)狀14-16
• 1.2.4 n型半導(dǎo)體BiVO_4性質(zhì)及光催化應(yīng)用16-18
• 1.2.5 p型半導(dǎo)體CuBi_2O_4光催化應(yīng)用現(xiàn)狀18-19
• 1.2.6 光電催化技術(shù)19-21
• 1.3 論文研究思路與主要內(nèi)容21-24
• 1.3.1 研究目的和意義21-22
• 1.3.2 研究?jī)?nèi)容22-23
• 1.3.3 研究思路23-24
• 第二章 BiVO_4的制備與光電性能測(cè)試24-31
• 引言24-25
• 2.1 實(shí)驗(yàn)試劑與儀器25
• 2.2 實(shí)驗(yàn)方法25-27
• 2.2.1 FTO玻璃清洗26
• 2.2.2 BiVO_4膜的制備26
• 2.2.3 BiVO_4光電性質(zhì)測(cè)試26-27
• 2.3 結(jié)果與討論27-30
• 2.3.1 不同有機(jī)物種類對(duì)BiVO_4光電性能的影響27-28
• 2.3.2 不同有機(jī)物濃度對(duì)BiVO_4光電性能的影響28-29
• 2.3.3 不同濃度電解質(zhì)對(duì)BiVO_4光電性能的影響29-30
• 2.4 本章小結(jié)30-31
• 第三章 CuBi_2O_4的制備與光電性能測(cè)試31-45
• 引言31
• 3.1 實(shí)驗(yàn)試劑與儀器31-32
• 3.2 實(shí)驗(yàn)方法32-34
• 3.2.1 FTO玻璃清洗32-33
• 3.2.2 CuBi_2O_4膜的制備33
• 3.2.3 CuBi_2O_4膜制備條件優(yōu)化33
• 3.2.4 CuBi_2O_4膜光電性能測(cè)試33-34
• 3.3 結(jié)果與討論34-44
• 3.3.1 CuBi_2O_4膜制備條件影響34-40
• 3.3.2 CuBi_2O_4膜光電性能測(cè)試結(jié)果40-44
• 3.4 本章小結(jié)44-45
• 第四章 p-n復(fù)合半導(dǎo)體的構(gòu)建與光電性能測(cè)試45-55
• 引言45-46
• 4.1 實(shí)驗(yàn)試劑與儀器46-47
• 4.2 實(shí)驗(yàn)方法47-48
• 4.2.1 p-n復(fù)合半導(dǎo)體組裝47-48
• 4.2.2 p-n復(fù)合半導(dǎo)體光電性能測(cè)試48
• 4.3 結(jié)果與討論48-53
• 4.3.1 不同有機(jī)物對(duì)p-n復(fù)合半導(dǎo)體光電性能影響48-50
• 4.3.2 不同濃度有機(jī)物對(duì)p-n復(fù)合半導(dǎo)體光電性能影響50-52
• 4.3.3 不同濃度電解質(zhì)對(duì)p-n復(fù)合半導(dǎo)體光電性能影響52-53
• 4.4 本章小結(jié)53-55
• 第五章 結(jié)論與展望55-58
• 5.1 結(jié)論55-56
• 5.2 創(chuàng)新點(diǎn)56
• 5.3 展望56-58
• 參考文獻(xiàn)58-66
• 攻讀碩士期間發(fā)表的論文66

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 吳合進(jìn),吳鳴,謝茂松,劉鴻,楊民,孫福俠,杜鴻章;增強(qiáng)型電場(chǎng)協(xié)助光催化降解有機(jī)污染物[J];催化學(xué)報(bào);2000年05期

2 陳崧哲,鐘順和;Cu/ZnO-NiO上光促表面催化二氧化碳和水反應(yīng)規(guī)律的研究[J];高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報(bào);2003年01期

3 陸朝陽(yáng),沈莉莉,張全興;吸附法處理染料廢水的工藝及其機(jī)理研究進(jìn)展[J];工業(yè)水處理;2004年03期

4 陳非力,劉曉國(guó);太陽(yáng)能光催化降解法去除水中羅丹明染料的研究[J];化工環(huán)保;1997年01期

5 張林生,蔣嵐嵐;染料廢水的脫色方法[J];化工環(huán)保;2000年01期

6 楊波;陳季華;奚旦立;李方;田晴;許世梁;;厭氧水解酸化-好氧氧化A_1/A_2/O工藝剩余污泥減量對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行效果的影響[J];環(huán)境科學(xué);2007年06期

7 蔣展鵬,王海燕,楊宏偉;電助光催化技術(shù)研究進(jìn)展[J];化學(xué)進(jìn)展;2005年04期

8 肖雪峰,張雁秋;染料廢水脫色方法[J];江蘇環(huán)境科技;2000年03期

9 何強(qiáng),龍騰銳;印染廢水治理技術(shù)評(píng)價(jià)[J];給水排水;1995年05期

10 彭會(huì)清,許開(kāi);印染廢水處理方法進(jìn)展與述評(píng)[J];南方冶金學(xué)院學(xué)報(bào);2003年04期

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 豐桂珍;光催化氧化技術(shù)降解難降解有機(jī)物的研究及其應(yīng)用[D];華東交通大學(xué);2006年

  本文關(guān)鍵詞：新型可見(jiàn)光催化劑的制備及光電性能的研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：473009