發(fā)布時間：2022-01-21 21:38

　　采用基于密度泛函理論的第一性原理贗勢平面波方法,對稀土元素La,Y單摻雜和La和Y共摻雜GaN的晶格常數(shù)、電子結構及光學性質(zhì)進行了計算與分析.計算結果表明:摻雜改變了GaN的能帶結構,未摻雜和Y摻雜形成導帶底和價帶頂位于G點的直接帶隙半導體,而La摻雜和La和Y共摻雜形成導帶底位于G點,價帶頂位于Q點的間接帶隙半導體.可以通過摻雜元素來調(diào)制GaN的禁帶寬度和帶隙類型,摻雜均提高GaN在低能區(qū)的靜態(tài)介電常數(shù)、反射率、折射率,使光子的躍遷強度增大,說明稀土元素La,Y摻雜可有效調(diào)制GaN的光電性質(zhì). 

【文章來源】：原子與分子物理學報. 2020,37(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

摻雜前后GaN的復折射率

GaN的超晶胞(2×2×2)

摻雜前后GaN介電函數(shù)的實部和虛部

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3601005