對(duì)平衡態(tài)及光照下非平衡態(tài)的n-Si/n-Fe₂O₃/electrolyte的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,同時(shí)結(jié)合轉(zhuǎn)移矩陣法定量地計(jì)算Si中不同能量的電子/空穴穿過n-Si/n-Fe₂O₃勢(shì)壘并滿足水氧化還原電勢(shì)要求的透射系數(shù),從而得出光照與Fe₂O₃厚度對(duì)Si中電子/空穴透射能量的影響。結(jié)果表明:Fe₂O₃層厚度（1¹0 nm）與光電壓的增大,均可以使Si中電子滿足水還原反應(yīng)電勢(shì)要求所需的最小能量減小,同時(shí)使Si中空穴滿足水氧化反應(yīng)電勢(shì)要求所需的最小能量增大。通過選擇合適的Fe₂O₃厚度（⁷ nm）,可以使Si中的光生電子和光生空穴同時(shí)以較小的能量傳輸?shù)诫娊庖褐胁M足水氧化和水還原反應(yīng)的電勢(shì)要求。 

【文章來源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2016,45(12)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 轉(zhuǎn)移矩陣法及電勢(shì)分布模型
    2.1 轉(zhuǎn)移矩陣法
    2.2 n-Si/n-Fe2O3電勢(shì)分布模型
3 結(jié)果和討論
    3.1 n-Si/n-Fe2O3/electrolyte能帶結(jié)構(gòu)分析
    3.2 Fe2O3厚度及光照情況對(duì)Si中載流子透射情況的影響
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]石墨烯-ZnIn2S4納米復(fù)合微球的制備及光催化產(chǎn)氫活性[J]. 周民杰,張娜,侯朝輝.  無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2015(07)



本文編號(hào)：3470176