本文關鍵詞：化學修飾電極的制備及其應用研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】： 化學修飾電極是20世紀70年代中期發(fā)展起來的一門新興的、也是當前最活躍的電化學和電分析化學的前沿領域,目前已應用于生命科學、環(huán)境科學、食品科學、分析科學以及材料科學等許多方面。聚合物修飾電極能夠有目的地在電極表面固定所選擇的化學功能團,賦予電極某種特定的性質(zhì),可以高選擇地進行所期望的反應。修飾電極制備方法簡單,電極使川壽命長,從而得以廣泛使用。 本論文的采用化學或者電化學方法把特定官能團固定在電極表面,制備修飾電極,研究了該類修飾電極的電催化、吸附、富集等性能,并應用于Cu~(2+)離子和抗壞血酸的分析測定。 1.采用自組裝和電化學循環(huán)伏安法,制得了L-半胱氨酸修飾金(L-Cys/Au)電極,探討了L-Cys/Au電極的電化學特性,研究了該修飾電極表面Cu~(2+)離子的吸附伏安行為,在含銅離子的磷酸緩沖液(pH=6.86)中攪拌富集,銅離子吸附在L-Cys/Au電極表面.在一定濃度范圍內(nèi)Cu~(2+)離子濃度的對數(shù)值與Cu~(2+)離子的吸附還原峰電流(I_(pc))呈良好的線性關系,最低檢測限可達2.0×10~(-10)mol/L,由此建立了一種靈敏的、選擇性良好的檢測痕量Cu~(2+)離子的電化學新方法。 2.通過電化學循環(huán)伏安法制備了L-谷氨酸/鐵氰酸鉀修飾玻碳電極,考察了Cu~(2+)離子在該修飾電極上的陽極溶出伏安行為,溶出峰電流(I_(pa))隨Cu~(2+)離子濃度的增大而增大,并且在1.0×10~(-7)～1.0×10~(-3) mol/L濃度范圍內(nèi),峰電流與Cu~(2+)離子濃度的對數(shù)存在良好的線性關系,建立了一種檢測痕量銅離子的陽極溶出伏安新方法。 3.采用電聚合的方法制備了聚L-谷氨酸修飾玻碳電極,探討了聚L-谷氨酸修飾玻碳電極的電化學行為,該修飾電極對抗壞血酸(AA)具有良好的電化學響應,并對實驗測定條件進行了優(yōu)化。實驗結果表明,在pH=4.0的鄰苯二甲酸氫鉀緩沖溶液中,掃描電位為-0.2～1.0V范圍內(nèi),抗壞血酸在聚L-谷氨酸修飾玻碳電極表面出現(xiàn)穩(wěn)定的氧化峰。氧化峰的峰電流(I_(pa))與抗壞血酸的濃度在2.0×10~(-5)～2.0×10~(-3) mol/L范圍內(nèi)有良好的線性關系,最低檢測限可達2.0×10~(-6)mol/L。該電極制備方便,有良好的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。
【關鍵詞】：化學修飾電極 循環(huán)伏安法 L-半胱氨酸 L-谷氨酸 Cu~(2+)離子測定 抗壞血酸測定
【學位授予單位】：西南大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2009
【分類號】：O657.1
【目錄】：

• 摘要5-6
• ABSTRACT6-8
• 第一章 文獻綜述8-26
• 1.1 引言8
• 1.2 修飾電極的發(fā)展8-9
• 1.3 修飾電極的制備及類型9-15
• 1.3.1 修飾電極的預處理9-10
• 1.3.2 修飾電極的制備及分類10-15
• 1.4 修飾電極的表征15-16
• 1.4.1 電化學表征方法15-16
• 1.4.2 光譜法16
• 1.4.3 顯微鏡法16
• 1.5 修飾電極的應用16-17
• 1.6 本論文的主要工作17
• 1.7 參考文獻17-26
• 第二章 L-半胱氨酸修飾金電極測定銅離子的電化學研究26-38
• 2.1 引言26
• 2.2 實驗部分26-28
• 2.2.1 儀器和試劑26-27
• 2.2.2 L-半胱氨酸修飾金(L-Cys/Au)電極的制備方法27-28
• 2.3 結果與討論28-34
• 2.3.1 L-Cys/Au電極在K_3[Fe(CN)_6]+K_4[FeCN)_6]l溶液中的電化學表征28-29
• 2.3.2 cu~(2+)離子在L-Cys/Au電極上的電化學伏安特性29-30
• 2.3.3 實驗條件的選擇和優(yōu)化30-33
• 2.3.4 實驗測定線性范圍和檢測限33-34
• 2.3.5 L-Cys/Au電極測定Cu~(2+)離子時干擾離子的影響34
• 2.3.6 L-Cys/Au修飾電極的重復性和穩(wěn)定性34
• 2.4 實驗小結34
• 2.5 參考文獻34-38
• 第三章 L-谷氨酸/鐵氰根修飾玻碳電極測定銅離子的研究38-48
• 3.1 前言38
• 3.2 實驗部分38-40
• 3.2.1 主要化學試劑和實驗儀器設備38-39
• 3.2.2 L-谷氨酸/鐵抓根修飾玻碳電極的制備39-40
• 3.2.3 實驗方法40
• 3.3 結果與討論40-46
• 3.3.1 L-谷氨酸/鐵氰根修飾玻碳電極的電化學表征40-41
• 3.3.2 cu~(2+)離子在L-谷氨酸/鐵氰根修飾玻碳電極上的電化學伏安特性41-42
• 3.3.3 L-谷氨酸/鐵氰根修飾玻碳電極制備條件的選擇和優(yōu)化42-43
• 3.3.4 銅離子測定條件的選擇43-45
• 3.3.5 測定Cu~(2+)離子的線性范圍和檢測限45
• 3.3.6 測定Cu~(2+)離子的抗干擾影響能力研究45
• 3.3.7 測定Cu~(2+)離子的的重現(xiàn)性和穩(wěn)定性45-46
• 3.4 實驗小結46
• 3.5 參考文獻46-48
• 第四章 抗壞血酸在聚L-谷氨酸修飾玻碳電極上的電化學行為研究48-58
• 4.1 引言48
• 4.2 實驗部分48-50
• 4.2.1 實驗儀器設備和化學試劑48-49
• 4.2.2 聚L-谷氨酸修飾玻碳電極的制備49-50
• 4.2.3 實驗方法50
• 4.3 結果與討論50-55
• 4.3.1 Poly(L-Glu)/GC電極在K_3[Fe(CN)_4]溶液中的電化學特征50-51
• 4.3.2.抗壞血酸在Poly(L-Glu)/GC電極上的電化學伏安特性51-52
• 4.3.3.制備Poly(L-Glu)/GC電極的條件優(yōu)化52-53
• 4.3.4 抗壞血酸測定條件的選擇和優(yōu)化53-54
• 4.3.5 線性范圍和檢測限54
• 4.3.6 修飾電極的穩(wěn)定性54-55
• 4.3.7 干擾實驗55
• 4.4 結論55
• 4.5 參考文獻55-58
• 致謝58-60
• 碩士期間發(fā)表的論文60

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