稀土金屬鈰摻雜硅團(tuán)簇CeSi n (n=4-20)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)理論研究
發(fā)布時間:2021-05-24 11:20
稀土金屬摻雜硅團(tuán)簇不但能提高團(tuán)簇的光化學(xué)反應(yīng)性和熱力學(xué)穩(wěn)定性,而且擁有特殊的光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì),能廣泛的應(yīng)用在材料,微電子,環(huán)境等領(lǐng)域。通過改變稀土金屬摻雜硅團(tuán)簇的形狀及大小可以使其成為理想的新型材料的基本單元,對設(shè)計不同用途的新型環(huán)境友好型材料具有極其重要的意義。本文采用密度泛函方法系統(tǒng)地研究稀土金屬鈰摻雜硅中性團(tuán)簇CeSin(n=4-20)和陰離子團(tuán)簇CeSin-(n=4-20)的基態(tài)結(jié)構(gòu)和物理化學(xué)性質(zhì)。對于CeSin(n=4-20)中性團(tuán)簇而言,使用雙雜合密度泛函(m PW2PLYP)方法結(jié)合aug-cc-p VTZ/ECP基組系統(tǒng)地研究其基態(tài)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。研究結(jié)果表明:(1)對于CeSin(n=4-20)中性團(tuán)簇的基態(tài)結(jié)構(gòu)來說,當(dāng)n≤17時,CeSin(n=4-20)的基態(tài)結(jié)構(gòu)是鈰原子取代純硅團(tuán)簇Sin+1中一個硅原子的取代結(jié)構(gòu);當(dāng)n=17-19時,基態(tài)結(jié)構(gòu)是鈰原子連接兩個小型硅簇的Ce-連接結(jié)構(gòu);當(dāng)n≥20時,基態(tài)結(jié)構(gòu)是鈰原子被包...
【文章來源】:內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)內(nèi)蒙古自治區(qū)
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 團(tuán)簇概述
1.3 純硅團(tuán)簇研究現(xiàn)狀
1.4 稀土金屬摻雜硅團(tuán)簇研究進(jìn)展
1.5 本文研究內(nèi)容及意義
第二章 理論計算方法
2.1 Hartree-Fock方法
2.2 Post-Hartree-Fock方法
2.2.1 組態(tài)相互作用(CI)
2.2.2 耦合簇理論(Coupled cluster)
2.2.3 多體微擾理論(MPx)
2.3 密度泛函理論
2.4 ABC算法
2.5 本文使用的方法及基組
第三章 CeSi_n(n=4-20)中性團(tuán)簇結(jié)構(gòu)和性質(zhì)研究
3.1 引言
3.2 計算方法
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 CeSi_n(n=4-20)中性團(tuán)簇的幾何構(gòu)型
3.3.2 穩(wěn)定性
3.3.3 HOMO-LUMO能隙
3.3.4 電荷轉(zhuǎn)移和磁性
3.4 本章小結(jié)
第四章 CeSi_n~- (n=4-20)陰離子團(tuán)簇結(jié)構(gòu)和性質(zhì)研究
4.1 引言
4.2 計算方法
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 CeSi_n~- (n=4-20)陰離子團(tuán)簇的幾何構(gòu)型
4.3.2 模擬光電子能譜
4.3.3 穩(wěn)定性
4.3.4 HOMO-LUMO能隙
4.3.5 電荷轉(zhuǎn)移和磁性
4.3.6 化學(xué)鍵分析
4.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及研究成果
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Probing Structure, Thermochemistry, Electron Affinity and Magnetic Moment of Dysprosium-doped Silicon Clusters DySin(n = 3~10) and Their Anions with Double-hybrid Density Functional Theory[J]. 寧紅梅,顧晏松,程琳,楊桔材. 結(jié)構(gòu)化學(xué). 2018(06)
[2]TbSin(n=2-13)團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)、電子及磁學(xué)性質(zhì)(英文)[J]. 白燕枝,趙高峰,沈?qū)W鋒,孫建敏,王淵旭. 物理化學(xué)學(xué)報. 2011(01)
[3]原子團(tuán)簇的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和幻數(shù)[J]. 王廣厚. 物理學(xué)進(jìn)展. 2000(01)
本文編號:3204111
【文章來源】:內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)內(nèi)蒙古自治區(qū)
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 團(tuán)簇概述
1.3 純硅團(tuán)簇研究現(xiàn)狀
1.4 稀土金屬摻雜硅團(tuán)簇研究進(jìn)展
1.5 本文研究內(nèi)容及意義
第二章 理論計算方法
2.1 Hartree-Fock方法
2.2 Post-Hartree-Fock方法
2.2.1 組態(tài)相互作用(CI)
2.2.2 耦合簇理論(Coupled cluster)
2.2.3 多體微擾理論(MPx)
2.3 密度泛函理論
2.4 ABC算法
2.5 本文使用的方法及基組
第三章 CeSi_n(n=4-20)中性團(tuán)簇結(jié)構(gòu)和性質(zhì)研究
3.1 引言
3.2 計算方法
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 CeSi_n(n=4-20)中性團(tuán)簇的幾何構(gòu)型
3.3.2 穩(wěn)定性
3.3.3 HOMO-LUMO能隙
3.3.4 電荷轉(zhuǎn)移和磁性
3.4 本章小結(jié)
第四章 CeSi_n~- (n=4-20)陰離子團(tuán)簇結(jié)構(gòu)和性質(zhì)研究
4.1 引言
4.2 計算方法
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 CeSi_n~- (n=4-20)陰離子團(tuán)簇的幾何構(gòu)型
4.3.2 模擬光電子能譜
4.3.3 穩(wěn)定性
4.3.4 HOMO-LUMO能隙
4.3.5 電荷轉(zhuǎn)移和磁性
4.3.6 化學(xué)鍵分析
4.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及研究成果
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Probing Structure, Thermochemistry, Electron Affinity and Magnetic Moment of Dysprosium-doped Silicon Clusters DySin(n = 3~10) and Their Anions with Double-hybrid Density Functional Theory[J]. 寧紅梅,顧晏松,程琳,楊桔材. 結(jié)構(gòu)化學(xué). 2018(06)
[2]TbSin(n=2-13)團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)、電子及磁學(xué)性質(zhì)(英文)[J]. 白燕枝,趙高峰,沈?qū)W鋒,孫建敏,王淵旭. 物理化學(xué)學(xué)報. 2011(01)
[3]原子團(tuán)簇的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和幻數(shù)[J]. 王廣厚. 物理學(xué)進(jìn)展. 2000(01)
本文編號:3204111
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxue/3204111.html
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