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多酸/半導(dǎo)體復(fù)合膜電極光催化去除NO 2 的性能研究

發(fā)布時間:2021-05-17 00:03
  近年來,為了解決能源危機和環(huán)境污染問題,為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略,利用半導(dǎo)體材料來實現(xiàn)太陽能與電能,化學(xué)能之間的轉(zhuǎn)換這一策略備受青睞。其中,TiO2納米棒陣列(TNRs)由于性質(zhì)穩(wěn)定,價廉,綠色等優(yōu)點很受歡迎,TaON由于合適的帶隙,對可見光相應(yīng)良好等特性也備受關(guān)注,但是TiO2只能響應(yīng)紫外光,TaON光生載流子易復(fù)合等缺點,使其應(yīng)用受到了限制。多酸(POMs)作為良好的電子接受體,可以有效地轉(zhuǎn)移和捕獲光生電子,因此有利于促進光生電荷的分離從而提高需要改性的半導(dǎo)體材料的光伏性能。在本文中,我們制備了一系列半導(dǎo)體及其復(fù)合膜電極,并進行了光催化去除NO2的性能研究,主要研究內(nèi)容如下:1.采用水熱法結(jié)合旋涂法制備了TiO2納米棒陣列與一系列多酸的復(fù)合膜電極,并對其光電化學(xué)性能和光催化活性進行測試后,結(jié)果發(fā)現(xiàn)與純TNRs相比,TNRs/POMs的性能均有提高,其中,通過K6SiW11O39Co(II)(H2O)(SiW

【文章來源】:東北師范大學(xué)吉林省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:68 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 前言
    1.1 引言
    1.2 TiO_2納米棒陣列的研究現(xiàn)狀
        1.2.1 TiO_2納米棒陣列的合成
        1.2.2 TiO_2納米棒陣列的改性
        1.2.3 TiO_2納米棒陣列在光催化中的應(yīng)用
    1.3 TaON的研究現(xiàn)狀
        1.3.1 TaON的基本屬性
        1.3.2 TaON的改性
        1.3.3 TaON在光催化中的應(yīng)用
    1.4 多金屬氧酸鹽的研究現(xiàn)狀
        1.4.1 多金屬氧酸鹽的基本結(jié)構(gòu)
        1.4.2 多金屬氧酸鹽在光電化學(xué)中的應(yīng)用
    1.5 本論文的研究背景及目的
第二章 多酸對TiO_2納米棒膜電極光催化去除NO_2性能的影響
    2.1 引言
    2.2 實驗部分
        2.2.1 TNRs的制備
        2.2.2 TNRs/POMs復(fù)合膜電極的制備
        2.2.3 膜電極的表征
        2.2.4 光電化學(xué)測試
        2.2.5 光催化性能測試
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 TNRs和TNRs/POMs的形貌特征分析
        2.3.2 XRD譜圖分析
        2.3.3 紫外-可見光譜分析
        2.3.4 時間-電流曲線結(jié)果分析
        2.3.5 電流-電壓曲線結(jié)果分析
        2.3.6 電化學(xué)阻抗結(jié)果分析
        2.3.7 光催化去除NO_2結(jié)果分析
        2.3.8 TNRs/SiW_(11)Co復(fù)合膜電極光催化去除NO_2機理分析
    2.4 本章小結(jié)
第三章 TNRs/SiW_(11)Co/Ag復(fù)合膜電極的制備及其光催化去除NO_2的性能研究
    3.1 引言
    3.2 實驗部分
        3.2.1 TNRs膜電極的制備
        3.2.2 TNRs/SiW_(11)Co復(fù)合膜電極的制備
        3.2.3 TNRs/SiW_(11)Co/Ag復(fù)合膜電極的制備
        3.2.4 光催化膜電極的表征
        3.2.5 光催化膜電極的光電性質(zhì)測試
        3.2.6 光催化去除NO_2性能研究
        3.2.7 捕獲實驗
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 膜電極的形貌結(jié)構(gòu)分析
        3.3.2 膜電極的光學(xué)性質(zhì)分析
        3.3.3 膜電極的光電化學(xué)性能分析
        3.3.4 光催化去除NO_2性能分析
        3.3.5 捕獲實驗結(jié)果分析
        3.3.6 光催化去除NO_2機理分析
    3.4 本章小結(jié)
第四章 TaON/CdS/ZnS復(fù)合膜電極的制備及其光催化去除NO_2的性能研究
    4.1 引言
    4.2 實驗部分
        4.2.1 TaON膜電極的制備
        4.2.2 CdS在TaON膜電極上的沉積
        4.2.3 CdS和ZnS在TaON膜電極上的沉積
        4.2.4 膜電極的表征
        4.2.5 膜電極的光電化學(xué)性能評估
        4.2.6 膜電極的光催化性能評估
        4.2.7 捕獲實驗
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 膜電極的結(jié)構(gòu)與形貌結(jié)果分析
        4.3.2 膜電極的光學(xué)性質(zhì)結(jié)果分析
        4.3.3 膜電極的光電化學(xué)性質(zhì)結(jié)果分析
        4.3.4 膜電極光催化去除NO_2性能分析
        4.3.5 捕獲實驗結(jié)果分析
        4.3.6 復(fù)合膜電極光催化去除NO_2機理分析
    4.4 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論
參考文獻
致謝
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本文編號:3190667

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