碲化鎘（CdTe）晶體是一種制造室溫X射線和γ射線探測器最為理想的半導(dǎo)體材料,在醫(yī)學(xué)、食品、安檢、核廢料監(jiān)測等應(yīng)用領(lǐng)域前景廣闊。采用一種Te自助溶劑定向凝固技術(shù)生長CdTe晶體,在區(qū)熔溫場及坩堝旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)的綜合作用下,獲得了平坦?fàn)畹睦硐牍桃航缑嫘蚊�。生長?25 mm的CdTe晶體橫截面單晶區(qū)域面積可達70%,從?56 mm的CdTe晶體中可截取尺寸達15 mm×15 mm×3 mm的單晶,電學(xué)測試表明CdTe晶體在未摻雜改性條件下電阻率達10⁸Ω·cm。紅外透射顯示,CdTe晶體中包含尺寸范圍為1～20μm的Te夾雜,這是CdTe單晶生長過程中出現(xiàn)的主要微觀缺陷。該工作取得的相關(guān)成果對未來CdTe晶體生長技術(shù)發(fā)展具有一定參考價值和借鑒意義。 

【文章來源】：應(yīng)用技術(shù)學(xué)報. 2020,20(03)

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗
2 結(jié)果與討論
3 結(jié) 語


【參考文獻】：
期刊論文
[1]鎳基高溫合金單晶的生長和氧化行為[J]. 梁肖肖,童健,馬昕迪,雷云,陳媛芝,武英,徐家躍.  應(yīng)用技術(shù)學(xué)報. 2019(02)
[2]有機-無機復(fù)合鈣鈦礦單晶材料的研究進展[J]. 居佃興,蔣曉妹,殷建,何琳濤,陶緒堂.  應(yīng)用技術(shù)學(xué)報. 2019(02)
[3]稀土晶體材料與應(yīng)用[J]. 王燕,孫叢婷,張偉,涂朝陽,薛冬峰.  應(yīng)用技術(shù)學(xué)報. 2019(01)
[4]新型熱電SnSe半導(dǎo)體晶體研究進展[J]. 金敏,李雨萌,申慧,田甜,徐家躍.  應(yīng)用技術(shù)學(xué)報. 2018(02)
[5]垂直Bridgman法生長Cd1-xMnxTe晶體的缺陷研究[J]. 施凌云,張繼軍,王林軍,黃健,唐可,彭蘭.  人工晶體學(xué)報. 2011(03)

博士論文
[1]碲鋅鎘單晶生長與晶體質(zhì)量研究[D]. 孫士文.中國科學(xué)院研究生院（上海技術(shù)物理研究所） 2014



本文編號：3167997