碲化鎘（CdTe）晶體是一種制造室溫X射線和γ射線探測器最為理想的半導體材料,在醫(yī)學、食品、安檢、核廢料監(jiān)測等應用領(lǐng)域前景廣闊。采用一種Te自助溶劑定向凝固技術(shù)生長CdTe晶體,在區(qū)熔溫場及坩堝旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)的綜合作用下,獲得了平坦狀的理想固液界面形貌。生長?25 mm的CdTe晶體橫截面單晶區(qū)域面積可達70%,從?56 mm的CdTe晶體中可截取尺寸達15 mm×15 mm×3 mm的單晶,電學測試表明CdTe晶體在未摻雜改性條件下電阻率達10⁸Ω·cm。紅外透射顯示,CdTe晶體中包含尺寸范圍為1～20μm的Te夾雜,這是CdTe單晶生長過程中出現(xiàn)的主要微觀缺陷。該工作取得的相關(guān)成果對未來CdTe晶體生長技術(shù)發(fā)展具有一定參考價值和借鑒意義。 

【文章來源】：應用技術(shù)學報. 2020,20(03)

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗
2 結(jié)果與討論
3 結(jié) 語


【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號：3167997