氧化鋅介電共振子的單顆粒光散射光譜分析化學(xué)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-02-19 23:43
介電納米共振子(Dielectric nanoresonators,DNRs)因其獨(dú)特的光共振性質(zhì)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于增強(qiáng)光譜、生物傳感等領(lǐng)域。與貴金屬納米顆粒的局域表面等離子體共振(Localized surface plasmon resonance,LSPR)性質(zhì)類似,DNRs的光共振性質(zhì)受到納米粒子自身材質(zhì)、形狀尺寸、所處微環(huán)境及顆粒間的耦合等因素的影響,具有可調(diào)的光散射性質(zhì)。然而,目前關(guān)于DNRs的光學(xué)性質(zhì)的研究主要集中于Si、Ge等納米結(jié)構(gòu),對(duì)于具有合成方法簡(jiǎn)單、更低光損耗等優(yōu)點(diǎn)的半導(dǎo)體氧化物,如TiO2、ZnO、Cu2O等的研究尚不充分,此外,關(guān)于DNRs的光散射性質(zhì)在分析檢測(cè)中的應(yīng)用,目前主要集中于規(guī)則的陣列結(jié)構(gòu),在單顆粒水平上的研究和應(yīng)用鮮有報(bào)道。因此,本論文以氧化鋅介電共振子(Zinc oxide dielectric resonators,Zn O DRs)為研究對(duì)象,針對(duì)目前DNRs在光散射分析研究中存在的不足,開(kāi)展了以下研究?jī)?nèi)容:1.ZnO DRs的暗場(chǎng)光散射成像?紤]到介電材料的光散射性質(zhì)與貴金屬納米材料的LSPR性質(zhì)...
【文章來(lái)源】:西南大學(xué)重慶市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
激光誘導(dǎo)燒蝕制備Si球[26]
第1章論文選題依據(jù)3圖1.1激光誘導(dǎo)燒蝕制備Si球[26]。(a)激光誘導(dǎo)燒蝕原理圖。(b)Si球的DFM圖像。Figure1.1Sinanospheresfabricatedbylaserablation[26].(a)Schematicillustrationoflaser-inducedtransfer.(b)DFMimageofSinanospheres.圖1.2EBL技術(shù)制備不同形貌的Si納米結(jié)構(gòu)。(a)和(b)周期性放置的圓柱狀Si諧振器陣列的俯視和側(cè)視圖SEM圖像[28]。(c)周期性排列的硅納米結(jié)構(gòu)陣列的斜視SEM圖像。每個(gè)單位單元由一個(gè)圓環(huán)和一個(gè)條組成。(d)單個(gè)晶胞的放大SEM圖像[29]。Figure1.2FabricatedSinanostructureswithdifferentmorphologiesbyEBLtechnology.(a)and(b)Top-andside-viewSEMimagesofanarrayofperiodicallypositionedcylindricalSiresonators[28].(c)Oblique-viewSEMimageofanarrayofperiodicallyorderedSinanostructures.Eachunitcelliscomposedofacircularringandabar.(d)EnlargedSEMimageofasingleunitcell[29].自下而上的合成方法,在DNRs的制備中并不常用,目前僅開(kāi)發(fā)了幾種自下而上的方法來(lái)制備DNRs,主要有CVD和濕化學(xué)法兩種。濕化學(xué)合成法是一種強(qiáng)大的自下而上的納米結(jié)構(gòu)制備方法,F(xiàn)rancisco課題組[31]開(kāi)發(fā)了一種可以大規(guī)模制備尺寸相對(duì)均勻的Si納米球的濕化學(xué)方法(圖1.3a)。該方法以甲硅烷為Si源,正己烷為溶劑,在高溫
第1章論文選題依據(jù)3圖1.1激光誘導(dǎo)燒蝕制備Si球[26]。(a)激光誘導(dǎo)燒蝕原理圖。(b)Si球的DFM圖像。Figure1.1Sinanospheresfabricatedbylaserablation[26].(a)Schematicillustrationoflaser-inducedtransfer.(b)DFMimageofSinanospheres.圖1.2EBL技術(shù)制備不同形貌的Si納米結(jié)構(gòu)。(a)和(b)周期性放置的圓柱狀Si諧振器陣列的俯視和側(cè)視圖SEM圖像[28]。(c)周期性排列的硅納米結(jié)構(gòu)陣列的斜視SEM圖像。每個(gè)單位單元由一個(gè)圓環(huán)和一個(gè)條組成。(d)單個(gè)晶胞的放大SEM圖像[29]。Figure1.2FabricatedSinanostructureswithdifferentmorphologiesbyEBLtechnology.(a)and(b)Top-andside-viewSEMimagesofanarrayofperiodicallypositionedcylindricalSiresonators[28].(c)Oblique-viewSEMimageofanarrayofperiodicallyorderedSinanostructures.Eachunitcelliscomposedofacircularringandabar.(d)EnlargedSEMimageofasingleunitcell[29].自下而上的合成方法,在DNRs的制備中并不常用,目前僅開(kāi)發(fā)了幾種自下而上的方法來(lái)制備DNRs,主要有CVD和濕化學(xué)法兩種。濕化學(xué)合成法是一種強(qiáng)大的自下而上的納米結(jié)構(gòu)制備方法,F(xiàn)rancisco課題組[31]開(kāi)發(fā)了一種可以大規(guī)模制備尺寸相對(duì)均勻的Si納米球的濕化學(xué)方法(圖1.3a)。該方法以甲硅烷為Si源,正己烷為溶劑,在高溫
本文編號(hào):3041876
【文章來(lái)源】:西南大學(xué)重慶市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
激光誘導(dǎo)燒蝕制備Si球[26]
第1章論文選題依據(jù)3圖1.1激光誘導(dǎo)燒蝕制備Si球[26]。(a)激光誘導(dǎo)燒蝕原理圖。(b)Si球的DFM圖像。Figure1.1Sinanospheresfabricatedbylaserablation[26].(a)Schematicillustrationoflaser-inducedtransfer.(b)DFMimageofSinanospheres.圖1.2EBL技術(shù)制備不同形貌的Si納米結(jié)構(gòu)。(a)和(b)周期性放置的圓柱狀Si諧振器陣列的俯視和側(cè)視圖SEM圖像[28]。(c)周期性排列的硅納米結(jié)構(gòu)陣列的斜視SEM圖像。每個(gè)單位單元由一個(gè)圓環(huán)和一個(gè)條組成。(d)單個(gè)晶胞的放大SEM圖像[29]。Figure1.2FabricatedSinanostructureswithdifferentmorphologiesbyEBLtechnology.(a)and(b)Top-andside-viewSEMimagesofanarrayofperiodicallypositionedcylindricalSiresonators[28].(c)Oblique-viewSEMimageofanarrayofperiodicallyorderedSinanostructures.Eachunitcelliscomposedofacircularringandabar.(d)EnlargedSEMimageofasingleunitcell[29].自下而上的合成方法,在DNRs的制備中并不常用,目前僅開(kāi)發(fā)了幾種自下而上的方法來(lái)制備DNRs,主要有CVD和濕化學(xué)法兩種。濕化學(xué)合成法是一種強(qiáng)大的自下而上的納米結(jié)構(gòu)制備方法,F(xiàn)rancisco課題組[31]開(kāi)發(fā)了一種可以大規(guī)模制備尺寸相對(duì)均勻的Si納米球的濕化學(xué)方法(圖1.3a)。該方法以甲硅烷為Si源,正己烷為溶劑,在高溫
第1章論文選題依據(jù)3圖1.1激光誘導(dǎo)燒蝕制備Si球[26]。(a)激光誘導(dǎo)燒蝕原理圖。(b)Si球的DFM圖像。Figure1.1Sinanospheresfabricatedbylaserablation[26].(a)Schematicillustrationoflaser-inducedtransfer.(b)DFMimageofSinanospheres.圖1.2EBL技術(shù)制備不同形貌的Si納米結(jié)構(gòu)。(a)和(b)周期性放置的圓柱狀Si諧振器陣列的俯視和側(cè)視圖SEM圖像[28]。(c)周期性排列的硅納米結(jié)構(gòu)陣列的斜視SEM圖像。每個(gè)單位單元由一個(gè)圓環(huán)和一個(gè)條組成。(d)單個(gè)晶胞的放大SEM圖像[29]。Figure1.2FabricatedSinanostructureswithdifferentmorphologiesbyEBLtechnology.(a)and(b)Top-andside-viewSEMimagesofanarrayofperiodicallypositionedcylindricalSiresonators[28].(c)Oblique-viewSEMimageofanarrayofperiodicallyorderedSinanostructures.Eachunitcelliscomposedofacircularringandabar.(d)EnlargedSEMimageofasingleunitcell[29].自下而上的合成方法,在DNRs的制備中并不常用,目前僅開(kāi)發(fā)了幾種自下而上的方法來(lái)制備DNRs,主要有CVD和濕化學(xué)法兩種。濕化學(xué)合成法是一種強(qiáng)大的自下而上的納米結(jié)構(gòu)制備方法,F(xiàn)rancisco課題組[31]開(kāi)發(fā)了一種可以大規(guī)模制備尺寸相對(duì)均勻的Si納米球的濕化學(xué)方法(圖1.3a)。該方法以甲硅烷為Si源,正己烷為溶劑,在高溫
本文編號(hào):3041876
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxue/3041876.html
最近更新
教材專著