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新型深紫外硅酸鹽非線性光學晶體材料的研究及K 3 Ba 3 Li 2 Al 4 B 6 O 20 F晶體的生長

發(fā)布時間:2021-02-13 05:17
  性能優(yōu)異的紫外、深紫外非線性光學晶體作為全固態(tài)激光器的重要元件,可通過對固定的激光波長進行頻率轉(zhuǎn)換獲得紫外、深紫外相干光源,從而廣泛應用在光化學,微加工,生物醫(yī)療等領域。因此,探索和研究新型的深紫外非線性光學晶體具有重要的科學價值和學術意義。本文圍繞深紫外硅酸鹽非線性光學晶體的合成和性能進行了大量的探索,同時進一步深入研究了深紫外非線性光學晶體K3Ba3Li2A14B6020F的大尺寸單晶生長和性質(zhì),具體內(nèi)容如下:(1)新型深紫外硅酸鹽非線性光學晶體的研究采用高溫固相法和助熔劑法成功得到一例新型深紫外硅酸鹽非線性光學晶體材料—Rb2ZnSi308。該化合物具有由Si04和Zn04四面體交替連接形成的三維孔洞框架結(jié)構(gòu)。在非線性光學性能方面,該化合物的倍頻效應約0.5倍KDP;值得注意的是,該化合物具有相位匹配性能,而世界上第一例深紫外硅酸鹽非線性光學晶體材料α-Si02卻相位不匹配,且該化合物的倍頻效應高于Ω-SiO2。紫外-可見-近紅外漫反射光譜分析表明該化合物的吸收截止邊低于190nm,同時熱重分析測試表明該物質(zhì)具有高的熱穩(wěn)定性且對晶粒的潮解性測試說明晶體不吸潮。進一步地,通過能帶和... 

【文章來源】:福州大學福建省 211工程院校

【文章頁數(shù)】:65 頁

【學位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 非線性光學晶體
        1.2.1 陰離子基團理論
        1.2.2 非線性光學晶體的基本要求
    1.3 無機非線性光學晶體生長方法
    1.4 新型深紫外硅酸鹽非線性光學晶體的探索
3Ba3Li2Al4B6O20F">    1.5 新型深紫外非線性光學晶體:K3Ba3Li2Al4B6O20F
    1.6 選題思路及主要研究內(nèi)容
第二章 實驗部分
    2.1 實驗藥品
    2.2 實驗儀器
    2.3 合成方法
    2.4 晶體結(jié)構(gòu)測定
    2.5 基本性能表征
    2.6 理論計算方法
3O8的合成、結(jié)構(gòu)與性能">第三章 新型深紫外硅酸鹽非線性光學晶體Rb2ZnSi3O8的合成、結(jié)構(gòu)與性能
    3.1 引言
2ZnSi3O8的制備">    3.2 Rb2ZnSi3O8的制備
        3.2.1 固相合成
        3.2.2 單晶制備
2ZnSi3O8的結(jié)構(gòu)分析">    3.3 Rb2ZnSi3O8的結(jié)構(gòu)分析
2ZnSi3O8的性質(zhì)表征">    3.4 Rb2ZnSi3O8的性質(zhì)表征
        3.4.1 X-射線粉末衍射
        3.4.2 熱重分析
        3.4.3 粉末倍頻測試
        3.4.4 相位匹配
        3.4.5 紫外-可見-近紅外漫反射光譜
        3.4.6 潮解性測試
2ZnSi3O8的理論計算">    3.5 Rb2ZnSi3O8的理論計算
    3.6 本章小結(jié)
3Ba3Li2Al4B6O20F的生長與性能">第四章 新型深紫外非線性光學晶體K3Ba3Li2Al4B6O20F的生長與性能
    4.1 引言
3Ba3Li2Al4B6O20F固相合成">    4.2 K3Ba3Li2Al4B6O20F固相合成
3Ba3Li2Al4B6O20F晶體生長">    4.3 K3Ba3Li2Al4B6O20F晶體生長
        4.3.1 籽晶制備
        4.3.2 大尺寸晶體生長
3Ba3Li2Al4B6O20F晶體生長工藝">    4.4 K3Ba3Li2Al4B6O20F晶體生長工藝
        4.4.1 不同體系與配比助熔劑的探索
        4.4.2 不同配比助熔劑的晶體生長
        4.4.3 不同的降溫速率
        4.4.4 生長爐的溫度梯度
        4.4.5 揮發(fā)度的計算
3Ba3Li2Al4B6O20F性質(zhì)表征">    4.5 K3Ba3Li2Al4B6O20F性質(zhì)表征
        4.5.1 X-射線粉末衍射
        4.5.2 紫外-可見-近紅外透過光譜
        4.5.3 折射率
        4.5.4 Ⅰ類和Ⅱ類相位匹配
        4.5.5 走離角和允許角
        4.5.6 比熱
        4.5.7 熱導率
    4.6 本章小結(jié)
總結(jié)與展望
    研究總結(jié)
    對未來的展望
參考文獻
致謝
附錄
個人簡歷
碩士期間發(fā)表論文情況


【參考文獻】:
期刊論文
[1]密度泛函理論及其數(shù)值方法新進展[J]. 李震宇,賀偉,楊金龍.  化學進展. 2005(02)
[2]B3O7基團型硼酸鹽非線性光學晶體研究進展[J]. 吳以成.  人工晶體學報. 2001(01)
[3]運用晶體非線性光學效應的陰離子基團理論探索新型紫外非線性光學材料[J]. 陳創(chuàng)天,葉寧,林峧,吳以成.  自然科學進展. 2000(08)
[4]A NEW-TYPE ULTRAVIOLET SHG CRYSTAL——β-BaB2O4[J]. 陳創(chuàng)天,吳柏昌,江愛棟,尤桂銘.  Science in China,Ser.B. 1985(03)
[5]晶體電光和非線性光學效應的離子基團理論(Ⅰ)——利用氧八面體畸變模型計算BaTiO3晶體電光及倍頻系數(shù)[J]. 陳創(chuàng)天.  物理學報. 1976(02)



本文編號:3032028

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