基于微芯片電泳非接觸電導(dǎo)檢測(cè)的陰陽(yáng)離子同步檢測(cè)技術(shù)研究
【學(xué)位授予單位】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類(lèi)號(hào)】:O652
【圖文】:
邐Contactless逡逑V/O^-Rjft)邐I邋Y/t)=-Ri(t)逡逑圖1-1邋(a)接觸和(b)非接觸電導(dǎo)檢測(cè)之間的比較。電流i(t)與電極間的電導(dǎo)成比逡逑例,并且該電流可以通過(guò)使用電流-電壓轉(zhuǎn)換器(也稱為跨導(dǎo)放大器)被轉(zhuǎn)化為電逡逑壓邋Vo(t)。逡逑在接觸電導(dǎo)中,如圖l-l(a)所示,由于電極與溶液直接接觸,只需將一個(gè)逡逑小幅度的低頻率交變信號(hào)(例如正弦波)施加到兩個(gè)惰性電極上。因?yàn)殡p電層逡逑(EDL)的電容相對(duì)較高,大約為每平方厘米幾個(gè)pF[35],交流信號(hào)的使用也使逡逑對(duì)電導(dǎo)率測(cè)量的電解效應(yīng)最小化。如果電極放置在容器外(圖l-l(b)),容器壁的逡逑電容將對(duì)信號(hào)傳輸施加一個(gè)極高的阻抗或更準(zhǔn)確地說(shuō)是一個(gè)極高的容抗(Xc),逡逑Xc與工作頻率和容器壁的電容(Cw)成反比,由于Cw非常小,因此必須向電極逡逑施加高頻信號(hào)以克服該容器壁的容抗。逡逑(A)邐i(B)i.以丨i邋I逡逑^邋jr逡逑圖1-2邋(A)具有典型C4D微單元的微流體系統(tǒng)的構(gòu)成層和(B)其等效電路。逡逑在(A)中,基底分別在其底部和頂部表面包含微通道和電極。Cw,C0和Rs分別逡逑代表壁電容
邐i(B)i.以丨i邋I逡逑^邋jr逡逑圖1-2邋(A)具有典型C4D微單元的微流體系統(tǒng)的構(gòu)成層和(B)其等效電路。逡逑在(A)中,基底分別在其底部和頂部表面包含微通道和電極。Cw,C0和Rs分別逡逑代表壁電容,雜散電容和溶液電阻。逡逑10逡逑
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