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多晶材料缺陷預(yù)熔化過(guò)程的位錯(cuò)結(jié)構(gòu)演化

發(fā)布時(shí)間:2020-05-24 23:17
【摘要】:多晶體材料的預(yù)熔的演化問(wèn)題的研究是逐漸增多的,晶界的預(yù)熔可以改變多晶材料的宏觀性質(zhì),由此引起了科學(xué)家的關(guān)注。然而晶界僅有幾個(gè)原子層厚,通過(guò)精確的控制材料的微結(jié)構(gòu)可以提高其性能,不僅可以清楚的理解晶體材料的微觀缺陷,而且也能了解缺陷對(duì)其性能的影響。所以為了觀察到這些較細(xì)微的微觀的現(xiàn)象,人們通過(guò)實(shí)驗(yàn)和計(jì)算機(jī)模擬兩種方式來(lái)研究預(yù)熔的微觀結(jié)構(gòu)。由于實(shí)驗(yàn)觀條件有限,外在影響因素很多,還有成功率要很高,以至于在現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)條件下很難觀察到細(xì)節(jié)的變化。所以研究者通過(guò)實(shí)驗(yàn)手段來(lái)研究在微觀層次下材料的微結(jié)構(gòu)的演化特征不是唯一的手段,還需要借助計(jì)算機(jī)模擬來(lái)解決實(shí)驗(yàn)上不能解決的一些問(wèn)題問(wèn)題。就出現(xiàn)多很實(shí)用的計(jì)算方法,如分子動(dòng)力學(xué)方法、蒙特卡洛法、相場(chǎng)方法等。與其它方法比較,是因?yàn)榫w相場(chǎng)法不僅能描述原子尺度結(jié)構(gòu),還有大的擴(kuò)散時(shí)間尺度。多晶體的金屬材料是現(xiàn)在使用的大部分材料,在加工過(guò)程中使其受到各種作用,例如擠壓變形,高溫等等。而這些改變影響了材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化。所以本文采用晶體相場(chǎng)法研究純物質(zhì)的多晶體材料,例如Cu,研究溫度在固-液共存區(qū)域下的傾側(cè)晶界,預(yù)熔區(qū)域的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變機(jī)理及其應(yīng)力作用下的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)過(guò)程及其現(xiàn)象,研究預(yù)熔區(qū)域與錯(cuò)件彈性相互作用等,得出如下結(jié)論:(1)對(duì)于不同溫度下的小角度晶界模擬,可以看出,當(dāng)系統(tǒng)溫度處于低溫時(shí),晶界處兩組類(lèi)型位錯(cuò)伯格矢量之間的角度為60°,并且每對(duì)位錯(cuò)邊緣位錯(cuò)的Burgers的角度也是60°。對(duì)于沒(méi)有應(yīng)變的施加,晶界周?chē)木Ц裎诲e(cuò)在高溫下出現(xiàn)熔化現(xiàn)象;預(yù)熔溫度就越容易接近熔點(diǎn)溫度,其預(yù)熔現(xiàn)象越明顯,并且在該區(qū)域中發(fā)生晶格原子軟化越顯著。(2)對(duì)樣品為0,2度取向角樣品進(jìn)行的高溫預(yù)熔,并施加外力,發(fā)現(xiàn)晶界處的晶格位錯(cuò)滑動(dòng),但是滑移表面由于局部應(yīng)力變化而改變,使得生成的亞晶界和新晶粒,新舊晶粒相互吸引并最終湮滅,使四個(gè)晶體變成完整的單晶。(3)取向角為0,4度的高溫預(yù)熔化樣品,施加外力,出現(xiàn)了位錯(cuò)對(duì)的萌生、形核、和增殖,位錯(cuò)對(duì)的滑移、攀移和湮滅,一系列現(xiàn)象由此引起了位錯(cuò)的Burgers的方向發(fā)生改變,預(yù)熔化區(qū)內(nèi)部的原子晶格變軟是這階段的主要實(shí)質(zhì),讓相互靠的很緊的位錯(cuò)發(fā)生滑移和扭轉(zhuǎn),引起位錯(cuò)內(nèi)部發(fā)生不同類(lèi)型的位錯(cuò)反應(yīng),預(yù)熔化區(qū)的原子存在兩個(gè)滑移方向,這些與原子位錯(cuò)運(yùn)動(dòng),溫度和應(yīng)變密切相關(guān)。(4)研究高溫應(yīng)變下的位錯(cuò)組態(tài)、位錯(cuò)的增殖和湮滅過(guò)程的演變中發(fā)現(xiàn):在溫度接近固液共存點(diǎn)下使局部晶界發(fā)生預(yù)熔,應(yīng)變下的軟化晶體相域容易發(fā)生增殖,使得位錯(cuò)通過(guò)滑移后容易被旋轉(zhuǎn)和湮滅。在把應(yīng)變速率施加到多晶材料樣品上時(shí)可發(fā)現(xiàn),因?yàn)樵诰Ы缣幬诲e(cuò)發(fā)生滑移需要克服晶界做功,以至于在晶界處位錯(cuò)先發(fā)生攀移運(yùn)動(dòng),應(yīng)率越大,攀移越快。(5)改變應(yīng)變率后,晶界遷移與位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的速率變快,材料晶粒內(nèi)部容易產(chǎn)生更高的位錯(cuò)密度,有利于晶粒的細(xì)化。
【圖文】:

掃描圖像,孿晶界,掃描圖像,孿晶


學(xué)位論文邐多晶材料缺陷預(yù)路化過(guò)程的位錯(cuò)結(jié)構(gòu)演化于雜質(zhì)原子的分離引起的在1948年。Balluffi和Maurer^分別報(bào)道m的銅的晶界預(yù)熔和銀的晶界預(yù)熔,熔融溫度為0.99邋Tm。隨后,實(shí),在熔融溫度Tm下發(fā)生了三角形晶界的熔融。逡逑9年,Inoko等對(duì)多晶銅樣品進(jìn)行了室溫壓縮[23],把多晶銅在真空進(jìn)行退火。發(fā)現(xiàn)有一個(gè)應(yīng)激晶界裂紋的共格孿晶界E3,且非常相

弛豫,動(dòng)力學(xué),預(yù)熔,模擬體系


f邐U⑷逡逑ggg逡逑圖1-2在Ni中添加1%W樣品時(shí)退火的無(wú)序晶界圖像[71逡逑Fig.邋1-2邋The邋disordered邋crystal邋boundary邋image邋of邋the邋annealing邋of邋1%邋W邋sample邋is邋added邋in邋Ni.逡逑Alsayed等人[26]在2005年用實(shí)時(shí)視頻顯微鏡觀察在晶粒邊界和大塊膠體晶體內(nèi)的位逡逑錯(cuò)預(yù)熔的現(xiàn)象,觀察結(jié)果發(fā)現(xiàn),該晶體是平衡密堆積的,三維的膠體的構(gòu)造,,從而證明逡逑了在聚合位點(diǎn)的預(yù)熔發(fā)生在晶粒邊界缺陷(脫位、空位等)的表面。逡逑■逡逑圖1-3溫度不同情況下時(shí)的膠體晶體的晶界預(yù)熔圖%]逡逑Fig.邋1-3邋The邋crystal邋boundary邋pre-melting邋diagram邋of邋colloidal邋crystals邋at邋different邋temperaturest261逡逑3逡逑
【學(xué)位授予單位】:廣西大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類(lèi)號(hào)】:O77

【參考文獻(xiàn)】

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1 CAO HaiYan;SUN ZhiZhong;;Two finite difference schemes for the phase field crystal equation[J];Science China(Mathematics);2015年11期

2 高英俊;黃禮琳;周文權(quán);全四龍;林葵;羅志榮;;高溫應(yīng)變下的亞晶界湮沒(méi)與位錯(cuò)旋轉(zhuǎn)機(jī)制的晶體相場(chǎng)模擬[J];中國(guó)科學(xué):技術(shù)科學(xué);2015年03期

3 員江娟;陳錚;李尚潔;張靜;;晶體相場(chǎng)法研究預(yù)變形對(duì)熔點(diǎn)附近六角相/正方相相變的影響[J];物理學(xué)報(bào);2014年16期

4 高英俊;周文權(quán);鄧芊芊;羅志榮;林葵;黃創(chuàng)高;;晶體相場(chǎng)方法模擬高溫應(yīng)變作用的預(yù)熔化晶界的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)[J];金屬學(xué)報(bào);2014年07期

5 高英俊;袁龍樂(lè);劉瑤;盧強(qiáng)華;黃創(chuàng)高;;不同溫度晶界位錯(cuò)湮沒(méi)過(guò)程的晶體相場(chǎng)模擬[J];廣西科學(xué);2014年03期

6 周文權(quán);黃世葉;王震;羅志榮;黃創(chuàng)高;高英俊;;高溫應(yīng)變作用下小角度晶界湮沒(méi)過(guò)程的晶體相場(chǎng)模擬[J];廣西科學(xué);2014年03期

7 高英俊;盧成健;黃禮琳;羅志榮;黃創(chuàng)高;;晶界位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)與位錯(cuò)反應(yīng)過(guò)程的晶體相場(chǎng)模擬[J];金屬學(xué)報(bào);2014年01期

8 盧成健;蔣麗婷;王玉玲;羅志榮;黃創(chuàng)高;高英俊;;晶體相場(chǎng)法模擬小角度晶界的位錯(cuò)結(jié)構(gòu)及其演化[J];廣西科學(xué);2013年04期

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10 盧艷麗;牧虹;侯華欣;陳錚;;晶體相場(chǎng)模擬晶界預(yù)熔及熔化[J];金屬學(xué)報(bào);2013年03期

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2 楊瑞琳;三維晶體相場(chǎng)法模擬應(yīng)力作用下晶體的預(yù)熔及熔解[D];廣西大學(xué);2017年



本文編號(hào):2679152

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