基于傾斜角沉積技術的銀納米棒SERS基底制備及食品安全檢測應用研究
【圖文】:
圖 1-1 拉曼散射原理。Figure 1-1 The principle of Raman scattering.于一個特定分子,激發(fā)誘導其不同振動產生變化,,并將其顯示在拉曼光 IR 光譜,拉曼光譜具有很多突出的優(yōu)勢。由于拉曼特征峰較多為窄帶帶特征峰的 IR 光譜對高度化合物具有較好的特異性并且可提供更為豐構信息。這種窄帶峰也更有利于對混合物進行檢測,其在多組分分析中力。最重要的是拉曼光譜可以處理含水樣品,這主要由于水本身不會產信息,這在生物檢測中尤為關鍵。此外,拉曼技術所需的樣品量極少、拉曼光譜具有優(yōu)秀的現(xiàn)場應用前景。果分子受到頻率為 υex的激發(fā)光激發(fā),可將該分子簡單的視為一種振蕩典模型的激發(fā)電場 E是交變電場,即 = 0 (2 ) 子中的誘導偶極矩 μ 可表示為 =
江蘇師范大學碩士學位論文質時為 80°入射沉積,其光學對比度為 62%。Brozak等[91]利用射頻濺射種 p 型半導體 CuInGaSe2(CIGS)納米棒陣列,對比了其納米棒和其薄膜應性能。結果顯示 OAD 技術生長的 CIGS 納米棒陣列的反射光譜隨著數(shù)的改變很大,其在制造的器件中實現(xiàn)了光響應增強因子為 7。AD 技術主要為制作均勻的納米棒襯底提供了簡單的方法,而進一步的 OAD 技術的制備范圍更加廣闊。當基底在蒸鍍過程中不斷變換與入射度時,其可以制備不僅僅是納米棒結構,而是擴展到可設計的納米結構態(tài)的傾斜角沉積技術。GLAD 技術制備的納米結構形貌豐富多樣,其主底法線與蒸汽源入射角 θ 和樣品本身的自轉角 ,控制不同時間的不同理地設計不同的納米結構基底[92-94],如圖 2-1。
【學位授予單位】:江蘇師范大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:O657.37;TS207.3
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