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基于金屬催化刻蝕制備硅微納結(jié)構(gòu)及其在SALDI質(zhì)譜中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2020-03-22 06:56
【摘要】:硅作為地殼中含量第二豐富的元素,具有廉價(jià)、儲(chǔ)量充裕、無(wú)毒以及加工制造技術(shù)先進(jìn)等特點(diǎn),是現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最重要的材料。硅的微納結(jié)構(gòu)被越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在光電轉(zhuǎn)換、光電化學(xué)催化、光化學(xué)以及生物傳感器、表面輔助激光解吸電離質(zhì)譜(surface-assisted laser desorption/ionization,SALDI)質(zhì)譜等領(lǐng)域。制備硅微納結(jié)構(gòu)的方法很多,例如“氣-液-固”生長(zhǎng)法、干法刻蝕、濕法刻蝕等。金屬催化刻蝕作為濕法刻蝕的一種,因具有操作簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低、易獲得高縱橫比結(jié)構(gòu)等特點(diǎn)受到越來(lái)越廣泛的關(guān)注。SALDI質(zhì)譜作為一種能夠?qū)π》肿訉?shí)現(xiàn)痕量分析的檢測(cè)技術(shù),隨著現(xiàn)代科學(xué)的飛速發(fā)展,成為一種越來(lái)越重要的分析技術(shù)。能夠用于SALDI檢測(cè)的無(wú)機(jī)材料有很多,例如硅微納結(jié)構(gòu)、碳納米材料、金屬及金屬氧化物納米粒子以及其他復(fù)合材料等。由于硅微納結(jié)構(gòu)在SALDI質(zhì)譜中具有較高的耐鹽性、較好的穩(wěn)定性等特點(diǎn),在SALDI質(zhì)譜中起著非常重要的作用�;谝陨峡紤],我們基于金屬催化刻蝕技術(shù),結(jié)合膠體球刻蝕、真空熱蒸鍍及光刻等技術(shù)制備了多種硅的微納結(jié)構(gòu),并研究了其結(jié)構(gòu)與性質(zhì)之間的關(guān)系,將其用于提高SALDI質(zhì)譜的檢測(cè)性能。本論文的主要研究?jī)?nèi)容可以概括為以下四個(gè)方面:一、我們結(jié)合金屬催化刻蝕和膠體球刻蝕技術(shù)制備了硅納米柱陣列,通過(guò)調(diào)節(jié)金屬催化刻蝕和膠體球刻蝕的時(shí)間分別調(diào)控硅納米柱的高度和直徑,并研究反射率和硅納米柱高度、直徑的關(guān)系,我們發(fā)現(xiàn)(1)硅納米柱陣列基底的反射率隨著高度的增加而減小;(2)硅納米柱陣列基底的反射峰位隨著硅納米柱的直徑的減小而發(fā)生藍(lán)移。上述結(jié)果表明硅納米柱陣列基底的光學(xué)性質(zhì)可以通過(guò)改變硅納米柱的直徑和高度進(jìn)行調(diào)控。二、我們以自組裝膠體球單層膜為模板,通過(guò)調(diào)節(jié)金屬催化刻蝕過(guò)程中刻蝕劑組分的比例,將硅納米錐陣列的傾斜角度從88.6°精確調(diào)控到69.2°�;诮饘俅呋涛g機(jī)理研究了調(diào)控傾斜角度的原理。研究結(jié)果表明,在一定范圍內(nèi)增大H_2O_2與HF的比值,或同時(shí)降低H_2O_2與HF的濃度都有利于形成具有小傾斜角度的硅錐陣列結(jié)構(gòu);當(dāng)硅納米錐陣列的高度相同時(shí),陣列表面的反射率隨著傾斜角度的減小而降低。三、在上述方法制備的硅錐陣列表面,我們用光刻和分子組裝的方法制備了親水點(diǎn)陣,將其用作SALDI基底,將分析物分子濃縮到一個(gè)激光斑點(diǎn)下,消除了咖啡環(huán)效應(yīng)引起的分析物分布不均勻現(xiàn)象,提高了SALDI質(zhì)譜檢測(cè)的重復(fù)性。我們測(cè)試了羅丹明6G和孔雀石綠兩種染料分子,檢測(cè)結(jié)果均具有較好的重復(fù)性。并且我們實(shí)現(xiàn)了對(duì)羅丹明6G在1.0×10~-66 M到1.0×10~(-9) M濃度范圍內(nèi)的定量分析,羅丹明6G的檢測(cè)限低至1 fmol。由于在分析非熒光類(lèi)物質(zhì)時(shí),精確定位分析物樣品點(diǎn)存在一定困難,會(huì)影響SALDI測(cè)試效果,所以這種SALDI質(zhì)譜的測(cè)試方法的普適性還有待進(jìn)一步探索。四、針對(duì)第三部分中檢測(cè)方法的局限性,我們提出一種普適性的SALDI基底來(lái)提高SALDI質(zhì)譜檢測(cè)的靈敏度和重復(fù)性�;诮饘俅呋涛g和光刻技術(shù)制備了頂面親水、側(cè)壁和底面疏水的可見(jiàn)的硅柱結(jié)構(gòu),然后利用無(wú)電沉積技術(shù)在硅柱的頂面沉積上一層銀納米粒子作為SALDI質(zhì)譜的基底。這種具有特殊表面浸潤(rùn)性的硅柱結(jié)構(gòu)可以將分析物溶液限域在硅柱的頂面,由于硅柱的直徑小于激光斑點(diǎn)的直徑,使得樣品點(diǎn)易于精確定位且每次激光輻射下所有分子均能受到照射,提高了SALDI質(zhì)譜的重復(fù)性與靈敏度。我們用這種方法測(cè)試了氨基酸、有機(jī)小分子、多肽、聚合物等不同種類(lèi)的分析物,與沉積了銀納米粒子的平面硅基底相比,發(fā)現(xiàn)他們的信號(hào)強(qiáng)度提高了23-60倍。以血管緊張素Ш為例,考察了此SALDI基底的重復(fù)性,結(jié)果表明十個(gè)不同樣品點(diǎn)信號(hào)強(qiáng)度的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差低至5.39%,且在一定濃度范圍內(nèi),血管緊張素Ш的濃度與信號(hào)強(qiáng)度直有非常好的線性關(guān)系,R~2值大于0.98,表明該方法可以用于定量分析。
【圖文】:

數(shù)據(jù)庫(kù)搜索,論文,硅微,質(zhì)譜


隨著現(xiàn)代科學(xué)對(duì)小分子無(wú)機(jī)材料的深入研究,,表面輔助激光解吸電離質(zhì)譜(surface-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry,SALDI MS)作為一種能夠?qū)π》肿訉?shí)現(xiàn)痕量分析的檢測(cè)技術(shù),在多數(shù)需要應(yīng)用小分子分析技術(shù)的科學(xué)研究中都起到了十分重要的作用。SALDI 質(zhì)譜被廣泛應(yīng)用于環(huán)境科學(xué)、基因組學(xué)、司法鑒定、食品組學(xué)、蛋白質(zhì)組學(xué)等領(lǐng)域。圖 1.1 展示了近些年來(lái)關(guān)于SALDI 質(zhì)譜文章的引用及發(fā)表情況[1]。適用于 SALDI 檢測(cè)的無(wú)機(jī)材料有很多,例如硅微納結(jié)構(gòu)、碳納米材料、金屬及金屬氧化物納米粒子以及其他復(fù)合材料等。由于這些材料具有較高的熔點(diǎn)、沸點(diǎn),使得他們?cè)?SALDI 質(zhì)譜分析過(guò)程中很難解吸電離,因此在低分子量區(qū)域的基底干擾很少。基于此點(diǎn)的同時(shí),由于硅微納結(jié)構(gòu)在紫外波段具有較好的光學(xué)吸收、較高的耐鹽性、較好的穩(wěn)定性等因素,因此硅微納結(jié)構(gòu)在 SALDI 質(zhì)譜中占有很重要的地位,是實(shí)現(xiàn) SALDI 檢測(cè)的熱門(mén)材料。

示意圖,納米材料,納米結(jié)構(gòu),示意圖


吉林大學(xué)博士學(xué)位論文Hillenkamp[5]提出了一種利用對(duì)紫外光有吸收的有機(jī)小分子作為基質(zhì)的軟電離質(zhì)譜技術(shù),即基質(zhì)輔助激光解吸電離(matrix-assisted laser desorption/ionization,MALDI)質(zhì)譜技術(shù)。MALDI 質(zhì)譜一經(jīng)提出便得到了飛速的發(fā)展,幾乎取代了其他解吸質(zhì)譜方法(如等離子解吸[6]、快速原子轟擊[7]、液態(tài)二次離子質(zhì)譜[8]等),被廣泛用于分析蛋白質(zhì)、多肽、聚合物、脂肪等大分子[9-15]。通常 MALDI 質(zhì)譜的基質(zhì)為可以和分析物形成共結(jié)晶的有機(jī)基質(zhì),如 α-氰基-4-羥基肉桂酸(CHCA)、2,5-二羥基苯甲酸(DHB)等[15]。然而,在 MALDI 質(zhì)譜分析過(guò)程中,這些有機(jī)基質(zhì)會(huì)作用于自身,在低分子量區(qū)域形成碎片、加合物,嚴(yán)重干擾了分子量低于 700 Da 的小分子的檢測(cè)[16]。
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類(lèi)號(hào)】:O643.36

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3 何s

本文編號(hào):2594683


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