本文選題：硅納米晶體 + 共晶點(diǎn)��； 參考：《光散射學(xué)報》2017年04期

【摘要】：利用Au/Sb和Au/Si共晶點(diǎn)溫度較低的特點(diǎn),通過在~400℃合金化的方法,在硅片表面實(shí)現(xiàn)了摻Sb納米晶體的制作。掃描電子顯微鏡觀察到了Au/Si合金化反應(yīng)形成的倒金字塔形蝕坑以及納米結(jié)構(gòu)的存在,拉曼散射光譜證實(shí)這些結(jié)構(gòu)主要是納米尺度的晶體,二次離子質(zhì)譜表明Sb在Si中的摻雜濃度大于2×10~(18) cm~(-3),超過了Sb在體晶硅中的固溶度。該納米晶體的制作方法簡單易行,熱預(yù)算較低,和其他微納器件制作工藝的兼容性較好。
[Abstract]:Based on the low temperature of Au/Sb and Au/Si eutectic point, SB doped nanocrystals were fabricated on the surface of silicon wafer by alloying at 400 鈩，

本文編號：1928270