本文關(guān)鍵詞：HCl濃度對多孔硅微結(jié)構(gòu)及Si-H鍵合的影響

  更多相關(guān)文章： 無機非金屬材料 HCl 多孔硅 微結(jié)構(gòu) Si-H 電流突發(fā)模型

【摘要】：采用電化學(xué)濕法刻蝕制備了P型多孔硅,通過改變HCl溶液濃度來調(diào)整刻蝕液中的氫離子濃度。制備出的多孔硅孔徑相同,孔深隨著氫離子濃度的提高呈線性增大直至恒定�；陔娏魍话l(fā)模型闡述了結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化:孔徑的形成開始于刻蝕的初始階段,空穴主導(dǎo)了初始階段的腐蝕,空穴的遷移與消耗過程就是孔徑擴張和孔壁形成的過程,該過程與硅片本身的性能密切相關(guān),與氫離子濃度無關(guān),故孔徑基本恒定;氫離子濃度的提高加快氫的置換反應(yīng)直至平衡,從而使反應(yīng)總速率提高直至恒定,因此孔深先線性增大然后保持恒定;Si-H含量在一定范圍內(nèi)與孔深的變化吻合呈現(xiàn)上升趨勢,且鍵合形式以Si-H2為主。
【作者單位】： 保密通信重點實驗室;輻射物理及技術(shù)教育部重點實驗室四川大學(xué)原子核科學(xué)技術(shù)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 無機非金屬材料 HCl 多孔硅 微結(jié)構(gòu) Si-H 電流突發(fā)模型
【基金】：國家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金11005076;11305029 中國電子科技集團公司第三十研究所協(xié)作項目~~
【分類號】：O613.72
【正文快照】： Effect of the Concentration of Hydrochloric Acid on theMicrostructure and Si-H Bonds in Porous SiliconAN Hongzhang1WU Kaijun1XIAO Ting2ZHAN Changyong2REN Ding1,2**1.Science and Technology on Communication Security Laboratory,Chengdu 610041,China2.Key Lab

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 梁二軍,杜遠東,晁明舉,王軍;摻鈦化學(xué)腐蝕法制備發(fā)光穩(wěn)定的多孔硅[J];光譜學(xué)與光譜分析;2002年01期

2 任鵬;劉小兵;;多孔硅發(fā)光研究[J];贛南師范學(xué)院學(xué)報;2006年03期

3 朱會麗;尹延鋒;蘭燕娜;莫育俊;;電化學(xué)脈沖腐蝕制備均勻發(fā)光多孔硅[J];河南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2006年02期

4 吳克躍;黃偉其;許麗;;多孔硅的形成和發(fā)光[J];皖西學(xué)院學(xué)報;2006年05期

5 王沖;周小會;韓煥美;鄢琴;肖守軍;;優(yōu)化金屬輔助法腐蝕液組分制備多孔硅[J];無機化學(xué)學(xué)報;2011年12期

6 張曉燕;夏金安;強薇;;納米多孔硅的電化學(xué)制備及性能研究[J];功能材料與器件學(xué)報;2012年02期

7 王冠中,李鵬,馬玉蓉,方容川,李凡慶;金屬離子在多孔硅表面的吸附與電鍍過程中金屬在多孔硅表面的淀積[J];化學(xué)學(xué)報;1998年02期

8 趙景勇;閆康平;;多孔硅的形貌、制備和應(yīng)用[J];有機硅材料;2013年06期

9 李懷祥,張華,王瑞華,趙婧;多孔硅的電遷移[J];山東師大學(xué)報(自然科學(xué)版);2004年01期

10 楊利;張國艷;周毅;廖懷林;黃如;張興;王陽元;;厚膜P型宏孔多孔硅陽極氧化電流優(yōu)化(英文)[J];稀有金屬材料與工程;2006年09期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 汪婷;黎學(xué)明;李武林;;近似規(guī)整排列多孔硅的制備[A];中國化學(xué)會第27屆學(xué)術(shù)年會第04分會場摘要集[C];2010年

2 黎學(xué)明;紀新瑞;許林;;化學(xué)浸蝕溫度對多孔硅粉形貌和比表面積影響[A];第十三次全國電化學(xué)會議論文摘要集（下集）[C];2005年

3 呂京美;程璇;謝水奮;徐仁;;制備多孔硅微結(jié)構(gòu)的電化學(xué)表征[A];第十三次全國電化學(xué)會議論文摘要集（下集）[C];2005年

4 趙偉潔;商云嶺;鄔建敏;;基于有序多孔硅的光學(xué)傳感及分離材料的研究[A];中國化學(xué)會第27屆學(xué)術(shù)年會第09分會場摘要集[C];2010年

5 黎學(xué)明;許林;劉強;;電化學(xué)陽極氧化時間對多孔硅表面形態(tài)及孔隙率影響[A];第十三次全國電化學(xué)會議論文摘要集（下集）[C];2005年

6 韓煥美;鄭新華;陳f^;何桂華;張愛霞;肖守軍;;有機單分子膜在多孔硅的穩(wěn)定性和功能化方面的應(yīng)用[A];山東出入境檢驗檢疫局�？痆C];2012年

7 錢若燦;丁霖;鞠q，

本文編號：1075503