發(fā)布時(shí)間：2017-10-21 22:22

  本文關(guān)鍵詞：HCl濃度對(duì)多孔硅微結(jié)構(gòu)及Si-H鍵合的影響

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【摘要】：采用電化學(xué)濕法刻蝕制備了P型多孔硅,通過(guò)改變HCl溶液濃度來(lái)調(diào)整刻蝕液中的氫離子濃度。制備出的多孔硅孔徑相同,孔深隨著氫離子濃度的提高呈線性增大直至恒定�；陔娏魍话l(fā)模型闡述了結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化:孔徑的形成開(kāi)始于刻蝕的初始階段,空穴主導(dǎo)了初始階段的腐蝕,空穴的遷移與消耗過(guò)程就是孔徑擴(kuò)張和孔壁形成的過(guò)程,該過(guò)程與硅片本身的性能密切相關(guān),與氫離子濃度無(wú)關(guān),故孔徑基本恒定;氫離子濃度的提高加快氫的置換反應(yīng)直至平衡,從而使反應(yīng)總速率提高直至恒定,因此孔深先線性增大然后保持恒定;Si-H含量在一定范圍內(nèi)與孔深的變化吻合呈現(xiàn)上升趨勢(shì),且鍵合形式以Si-H2為主。
【作者單位】： 保密通信重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;輻射物理及技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室四川大學(xué)原子核科學(xué)技術(shù)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 無(wú)機(jī)非金屬材料 HCl 多孔硅 微結(jié)構(gòu) Si-H 電流突發(fā)模型
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金11005076;11305029 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十研究所協(xié)作項(xiàng)目~~
【分類號(hào)】：O613.72
【正文快照】： Effect of the Concentration of Hydrochloric Acid on theMicrostructure and Si-H Bonds in Porous SiliconAN Hongzhang1WU Kaijun1XIAO Ting2ZHAN Changyong2REN Ding1,2**1.Science and Technology on Communication Security Laboratory,Chengdu 610041,China2.Key Lab

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6 韓煥美;鄭新華;陳f^;何桂華;張愛(ài)霞;肖守軍;;有機(jī)單分子膜在多孔硅的穩(wěn)定性和功能化方面的應(yīng)用[A];山東出入境檢驗(yàn)檢疫局�？痆C];2012年

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本文編號(hào)：1075503