發(fā)布時間：2017-08-14 08:10

  本文關鍵詞：航空輻射環(huán)境SRAM存儲芯片單粒子翻轉實驗綜述

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【摘要】：隨著集成電子器件的快速發(fā)展,應用在航空電子系統(tǒng)中的SRAM型存儲器件集成度也越來越高,尺寸越來越小,其發(fā)生單粒子翻轉效應的可能性也越來越高,對航空飛行的可靠性和安全性帶來嚴重的隱患。針對國外已有的SRAM型存儲芯片的地面輻射實驗、航空飛行實驗結果進行歸納總結,分析SRAM存儲芯片受單粒子翻轉效應的影響以及失效特點。
【作者單位】： 中國民航大學天津市民用航空器適航與維修重點實驗室;中國民航大學安全科學與工程學院;
【關鍵詞】： 單粒子翻轉 SRAM 輻照實驗 飛行實驗
【基金】：國家自然科學基金委員會與中國民用航空局聯(lián)合資助項目(U1333120) 中央高�；究蒲袠I(yè)務費項目(3122014C025) 民航科技創(chuàng)新引導資金重大專項項目(MHRD20140103);民航科技創(chuàng)新引導資金項目(MHRD20140208) 天津市自然科學基金聯(lián)合資助項目(15JCQNJC42800)
【分類號】：V243
【正文快照】： 0引言線卡會由于單粒子翻轉(Single Event Upset,SEU)導致重近年來,國防軍事、航空航天領域得到快速發(fā)展,航置[2]。2008年10月,澳洲航空公司一架空客A330-303天器在空間中的活動也越來越頻繁,這些航天器在空間飛行在37 000英尺高度,由于飛機上的電腦受到大氣輻飛行中,一直遭受

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