"新基建"為光電子產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展提供了難得的機(jī)遇,光電子產(chǎn)業(yè)自身的發(fā)展應(yīng)首先加強(qiáng)基礎(chǔ)研發(fā)能力建設(shè)。文章描述了化合物半導(dǎo)體光電子器件的外延生長(zhǎng)、薄膜淀積、光刻、鍵合等主要工藝制程的特點(diǎn);分析了光電子產(chǎn)業(yè)中智能制造、數(shù)字化制造、分散化制造、綠色制造等能力建設(shè)趨勢(shì)。 

【文章來(lái)源】：半導(dǎo)體光電. 2020年03期 北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 光電子器件主要制程特點(diǎn)
    1.1 外延
    1.2 絕緣鈍化薄膜
    1.3 光學(xué)薄膜
    1.4 金屬薄膜
    1.5 光刻
    1.6 晶圓鍵合與解鍵合
2 基于“新基建”的光電子器件制程能力建設(shè)
    2.1 基于智能制造的能力建設(shè)
    2.2 基于數(shù)字化的制造能力建設(shè)
    2.3 基于5G網(wǎng)絡(luò)的分散化制造能力建設(shè)
    2.4 基于綠色制造的能力建設(shè)
3 趨勢(shì)與展望



本文編號(hào)：2950522