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陣列式星載海量存儲器文件管理軟件技術(shù)研究

發(fā)布時間:2020-12-31 15:30
  隨著航天技術(shù)的快速發(fā)展,多載荷飛行任務(wù)對星載存儲器存儲速率的要求不斷提高;加之地面站接收范圍等因素對衛(wèi)星觀測數(shù)據(jù)回傳實時性的限制,又對星載存儲器的存儲容量提出了要求,F(xiàn)有星載存儲器普遍采用單板結(jié)構(gòu),但由于衛(wèi)星空間有限,存儲器電路板面積受到限制,單板可容納FLASH疊裝模塊個數(shù)受限,因此以I/O并行擴展來提高存儲容量和存儲速率的方式將遇到瓶頸。為適應(yīng)不同航天型號任務(wù)對星載存儲器容量和速率的不同要求,本文提出了可配置型FLASH陣列存儲器架構(gòu)。打破傳統(tǒng)思維,將單板進行一次封裝,以封裝后的結(jié)構(gòu)作為基本單元建立多存儲板的星載存儲器。為提高存儲器結(jié)構(gòu)靈活性和存儲單元可復(fù)用性,設(shè)計單元級的塊使用分配表管理模型,將塊使用分配表的管理縮小到單元,并建立起物理地址和邏輯地址之間的靈活映射關(guān)系。為提高存儲器可擴展性,定義文件頭、文件夾、目錄等類,采用一個文件對應(yīng)一個文件夾和多個文件頭的文件信息管理方式,分別管理不同單板上的存儲塊,保證文件數(shù)據(jù)的連續(xù)性和完整性。為降低管理復(fù)雜度,采用“分區(qū)自治,分層管理”的模式,定義基域根、單板根、分區(qū)根和系統(tǒng)根四種管理類,交叉管理分區(qū)與單板的存儲塊,并以系統(tǒng)根作為最高管理... 

【文章來源】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院國家空間科學(xué)中心)北京市

【文章頁數(shù)】:72 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

陣列式星載海量存儲器文件管理軟件技術(shù)研究


圖2.1某衛(wèi)星型號任務(wù)的數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖??星載固態(tài)存儲器主要分為以下幾個部分:??

原理圖,四級,流水線,加載


固態(tài)存儲器采用FLASH疊裝模塊,如圖2.3所示。該模塊由8片NAND??FLASH芯片疊裝而成,擴展了存儲深度。疊裝模塊的芯片1和5均為0流水級,??芯片2和6均為1流水級,芯片3和7均為2流水級,芯片4和8均為3流水級。??當數(shù)據(jù)寫入時,會按照四級水順序把數(shù)據(jù)依次加載到芯片1、2、3和4的相應(yīng)??頁;當芯片1、2、3和4存滿后,后續(xù)的數(shù)據(jù)將仍然按照四級流水的順序加載到??芯片5、6、7和8。??1?I ̄-—??CE0-?R^B04IRE0-MVE0??2?j——?■CEI-MUBI-fREl-fWEI??1/00-7??(-??3?| ̄—?#CE7-iR/B2<?RC2-?WE2???4?|——?ICE?24)R/B3-?RE3-IWE?3????5?\?—?0CE“rR/B“RE4<?WE4???fi?i ̄ ̄ ̄—??CEWWB5-#RES^WE5????7?1?--??CEMR/B**#flEWWE6????8?一?tCE7-4Rm7-?RE7-?lWE7??圖2.3?FLASH舜裝模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)??

原理圖,裝模,內(nèi)部結(jié)構(gòu),疊裝


?編程(200us'700us)?加載??圖2.2四級流水線加載FLASH原理圖??固態(tài)存儲器采用FLASH疊裝模塊,如圖2.3所示。該模塊由8片NAND??FLASH芯片疊裝而成,擴展了存儲深度。疊裝模塊的芯片1和5均為0流水級,??芯片2和6均為1流水級,芯片3和7均為2流水級,芯片4和8均為3流水級。??當數(shù)據(jù)寫入時,會按照四級水順序把數(shù)據(jù)依次加載到芯片1、2、3和4的相應(yīng)??頁;當芯片1、2、3和4存滿后,后續(xù)的數(shù)據(jù)將仍然按照四級流水的順序加載到??芯片5、6、7和8。??1?I ̄-—??CE0-?R^B04IRE0-MVE0??2?j——?■CEI-MUBI-fREl-fWEI??1/00-7??(-??3?| ̄—?#CE7-iR/B2<?RC2-?WE2???4?|——?ICE?24)R/B3-?RE3-IWE?3????5?\?—?0CE“rR/B“RE4<?WE4???fi?i ̄ ̄ ̄—??CEWWB5-#RES^WE5????7?1?--??CEMR/B**#flEWWE6????8?一?tCE7-4Rm7-?RE7-?lWE7??圖2.3?FLASH舜裝模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)??為進一步提高存儲容量和存儲速率,對FLASH芯片I/O總線進行并行擴展。??將8個FLASH疊裝模塊并聯(lián),共用控制和狀態(tài)總線,I/O總線由單個疊裝模塊??的8位擴展至32位

【參考文獻】:
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[3]基于NAND Flash存儲器的FTL優(yōu)化算法的設(shè)計與實現(xiàn)[D]. 姜偉娜.華東師范大學(xué) 2013
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本文編號:2949862

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