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均勻磁場下碳離子筆形束的劑量變化分析及位置修正方法

發(fā)布時(shí)間:2021-08-10 17:19
  分析外加均勻磁場對(duì)于碳離子筆形束劑量分布的影響,并考慮修正這種影響,為磁共振成像引導(dǎo)碳離子放射治療的臨床應(yīng)用提供指導(dǎo)。本文利用蒙特卡羅方法模擬計(jì)算了不同能量碳離子筆形束在不同強(qiáng)度磁場下的劑量分布情況,發(fā)現(xiàn)垂直于碳離子束入射方向的均勻磁場對(duì)于碳離子筆形束射程縮短的影響很小,磁場對(duì)碳離子束的主要影響是引起束流橫向偏轉(zhuǎn),特別是碳離子束布拉格峰位置的橫向側(cè)移。橫向側(cè)移程度與碳離子束的能量和磁場強(qiáng)度相關(guān),根據(jù)模擬結(jié)果,得到了一個(gè)計(jì)算碳離子束布拉格峰在磁場中相對(duì)橫向偏轉(zhuǎn)的方程,并提出一種校正外加磁場引起的碳離子束布拉格峰橫移的角度修正方法。這些結(jié)果可用于指導(dǎo)磁共振圖像引導(dǎo)碳離子放射治療計(jì)劃系統(tǒng)的研發(fā)。 

【文章來源】:原子核物理評(píng)論. 2020,37(01)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:9 頁

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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碩士論文
[1]利用蒙特卡羅軟件TOPAS研究MRIgRT中磁場對(duì)多粒子輻射劑量的影響[D]. 陽露.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2018



本文編號(hào):3334470

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