【摘要】：手機輻射已經(jīng)被普遍認為是能對人類健康造成危害的因子之一。癌癥是導致全世界人類高死亡率的疾病之一。研究表明,人們使用手機時經(jīng)常接觸頭部會對大腦造成不同程度的危害,進而可能誘發(fā)癌癥。由于人體組織內(nèi)含有與各種癌癥發(fā)生的相關(guān)因子,這些因子的表達異常與癌癥的發(fā)生、發(fā)展密切相關(guān)。目的:通過建立小鼠手機輻射模型,對小鼠大腦皮質(zhì)中神經(jīng)元的形態(tài)結(jié)構(gòu)進行分析,并對抑癌基因p53、PTEN以及血管內(nèi)皮生長因子VEGF在小鼠大腦內(nèi)的表達水平進行分析,進一步為探究手機輻射與人類腦腫瘤的發(fā)生、發(fā)展之間的關(guān)系提供理論依據(jù)。方法:1.對小鼠體重及腦重進行測量,并計算腦指數(shù)。2.對小鼠血液中的S OD活力及MDA含量進行檢測。3.利用常規(guī)石蠟切片、蘇木精-伊紅染色法對小鼠大腦皮質(zhì)的組織學結(jié)構(gòu)及神經(jīng)元形態(tài)結(jié)構(gòu)進行觀察;4.利用免疫組織化學方法對小鼠大腦中p53、PTEN以及VEGF蛋白進行定位分析。5.利用實時熒光定量PCR方法對小鼠大腦中p53、PTEN以及VEGF m RNA表達水平進行定量分析;6.利用Western blotting方法對小鼠大腦中p53、PTEN和VEGF蛋白表達水平進行定量分析。結(jié)果:1.腦指數(shù)結(jié)果顯示:與對照組相比,小鼠手機輻射低劑量組、中劑量組和高劑量組中均沒有表現(xiàn)出顯著性差異(P0.05)。2.生理生化指標結(jié)果顯示:a.SOD活力與對照組相比,小鼠手機輻射低劑量組、中劑量組無顯著性差異(P0.05),高劑量組有顯著性差異(P0.05)。b.MDA含量與對照組相比,小鼠手機輻射低劑量組、中劑量組無顯著性差異(P0.05),高劑量組有顯著性差異(P0.05)。3.蘇木精-伊紅染色結(jié)果顯示:與對照組相比,小鼠手機輻射低劑量組、中劑量組和高劑量組中大腦皮質(zhì)的組織結(jié)構(gòu)無明顯變化,無炎癥現(xiàn)象,也未發(fā)現(xiàn)明顯的凋亡神經(jīng)元。4.免疫組織化學結(jié)果顯示:p53、PTEN和VEGF在小鼠大腦皮質(zhì)各層中均有分布,其中p53免疫陽性反應產(chǎn)物主要分布在外顆粒層和內(nèi)顆粒層,PTEN免疫陽性反應產(chǎn)物主要分布在分子層和外顆粒層,VEGF免疫陽性反應產(chǎn)物主要分布在外顆粒層和外錐體層。5.實時熒光定量PCR結(jié)果顯示:小鼠手機輻射低劑量組和中劑量組的p53m RNA水平均低于對照組,而且中劑量組顯著低于對照組(P0.05),高劑量組顯著高于中劑量組(P0.05);小鼠手機輻射低劑量組、中劑量組和高劑量組的PTEN m RNA和VEGF m RNA水平均低于對照組,其中高劑量組顯著低于對照組(P0.05),高劑量組的顯著低于中劑量組(P0.05)。6.Western blotting結(jié)果顯示:小鼠手機輻射高劑量組p53蛋白表達水平顯著高于中劑量組(P0.05);小鼠手機輻射高劑量組PTEN、VEGF蛋白表達水平顯著低于對照組(P0.05)。結(jié)論:本論文所采用的輻射劑量對大腦皮質(zhì)神經(jīng)元形態(tài)結(jié)構(gòu)沒有顯著性影響,并且高劑量的手機輻射能夠使機體內(nèi)與腦腫瘤形成相關(guān)蛋白p53、PTEN以及VEGF的表達出現(xiàn)異常,進而對機體腦部的保護機制產(chǎn)生不良影響,這可能與腦腫瘤的形成及發(fā)展具有潛在的相關(guān)性。
【圖文】：

圖 2.1 手機輻射裝置平面圖(黃色部分為小鼠活動區(qū)域，紅色部分為手機)Fig.2.1 Plan of mobile phone radiation device(Yellow part is mice activity area, red part is mobile phone)手機輻射模型建立明小鼠 48 只，隨機分為四個小組：對照組（無手機輻劑量組）、輻射 2h 組（中劑量組）和輻射 3h 組（高劑輻射周期為 2 個月，，手機底部距離每只小鼠的位置大致同時長手機輻射，手機持續(xù)處于被呼叫狀態(tài)，撥打間腦重及體重測量組小鼠在輻射周期結(jié)束后，進行體重的測量，然后進行

輻射組中大腦皮質(zhì)的組織結(jié)構(gòu)無明顯變化，無炎癥現(xiàn)象，也未發(fā)現(xiàn)明顯的凋亡神經(jīng)元（圖 3.1）。圖3.1 手機輻射對小鼠大腦皮質(zhì)顯微結(jié)構(gòu)的影響（a-d標尺為100μm，A-D標尺為25μm）a（對照組）、b（輻射低劑量組）、c（輻射中劑量組）、d（輻射高劑量組）為小鼠大腦皮質(zhì)組織結(jié)構(gòu)(×20)；A（對照組）、B（輻射低劑量組）、C（輻射中劑量組）、D（輻射高劑量組）為小鼠大腦皮質(zhì)外顆粒層結(jié)構(gòu)。(×40)Fig 3.1 Effects of mobile phone radiation on microscopic structure of cerebral cortex in mice. Scale bars（a-d,100μm;A-D, 25μm）a.control, b.low dose group, c.middle dose group, d.high dose goup shows microscopic structure of cerebral cortexin mice; (×20) A.control, B.low dose group, C.middle dose group, D.high dose goup shows microscopic structureof cerebral cortex external granular layer in mice. (×40)3.5 抑癌基因 p53 在小鼠大腦皮質(zhì)中的定位如圖 3.2 所示，在小鼠大腦皮質(zhì)中，p53 免疫陽性反應產(chǎn)物主要分布在外顆粒層和內(nèi)顆粒層，在其他層中也有少量分布。外顆粒層和內(nèi)顆粒層中的陽性細胞
【學位授予單位】：蘭州大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2017
【分類號】：R818

【參考文獻】

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本文編號：2529247