納米氧化辭顆粒通過擾動NRF2信號通路破壞自噬反應引起人角質形成細胞毒性
發(fā)布時間:2020-12-16 09:00
目的:納米氧化鋅(Zinc oxide nanoparticles,ZnO NPs)廣泛用于化妝品和防曬劑中。越來越多的證據(jù)表明ZnO NPs會對人體皮膚產(chǎn)生不可忽視的有害作用,但是對ZnO NPs毒性作用的潛在分子機制仍然知之甚少。先前的研究表明,氧化應激和自噬反應與ZnO NPs誘導的毒性有關。核因子-E2相關因子2(Nuclear factor erythroid-2 related factor 2,NRF2)是細胞內抗氧防御系統(tǒng)的關鍵核轉錄因子。NRF2通路已被認為是介導化學物致皮膚損傷的重要保護途徑。當前的研究旨在探討NRF2介導的抗氧化通路可能參與ZnO NPs致人角質形成細胞毒性的作用。研究方法:1.應用透射電鏡技術觀察ZnO NPs的形狀及粒徑,并利用動態(tài)光散射儀檢測ZnO NPs的流體動力學直徑以及Zeta電位;2.利用CCK-8試劑盒和乳酸脫氫酶LDH試劑盒檢測ZnO NPs(0-500μM)染毒24小時HaCaT細胞的存活率及LDH漏出率,并使用流式細胞儀檢測ZnO NPs對HaCaT細胞的活性氧自由基(Reactive oxygen species,ROS)及...
【文章來源】:中國醫(yī)科大學遼寧省
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
ZnONPs的平均流體動力學直徑示意圖
中國醫(yī)科大學碩士學位論文93實驗結果3.1納米氧化鋅的表征利用動態(tài)光散射DLS和Zeta電位對ZnONPs的物理化學性質進行了表征。表3.1和圖3.1顯示的是ZnONPs的平均流體動力學直徑為219.71nm,圖3.2顯示ZnONPs的Zeta電位為-15.7mV。表3.1.ZnONPs的動態(tài)散射光DLSSampleEff.Diam.(nm)BaselineIndexCountRate(kcps)DataRetained(%)ZnONPs219.718.1544.897.45圖3.1ZnONPs的平均流體動力學直徑示意圖圖3.1為動態(tài)散射光DLS檢測ZnONPs顆粒的平均流體動力學直徑為219.71nm。圖3.2ZnONPs的Zeta電位示意圖圖為動態(tài)散射光DLS檢測ZnONPs顆粒的Zeta電位為-15.7mV。如圖3.3所示,采用透射電子顯微鏡對本研究中使用的ZnONPs進行表征,大
中國醫(yī)科大學碩士學位論文10多數(shù)ZnONPs呈不規(guī)則大小的棒狀形態(tài),結果表明,ZnONPs的粒徑在50nm左右。圖3.3ZnONPs的透射電鏡示意圖上圖為透射電鏡TEM檢測納米顆粒的形狀及粒徑。3.2ZnONPs對HaCaT細胞生存率的影響通過檢測細胞存活率和LDH漏出率共同評估ZnONPs在HaCaT細胞中的細胞毒性。將HaCaT細胞用不同濃度的ZnONPs(0-500μM)處理24小時。如圖3.4(A)所示,與對照組相比,隨著ZnONPs濃度升高細胞的生存力明顯降低,200μMZnONPs處理組細胞存活率明顯降低至78.7%。如圖3.4(B)所示,在時效研究中,分別用200和500μMZnONPs處理細胞2、4、6、12和24小時。當200和500μMZnONPs處理6小時,細胞活力沒有明顯降低。與對照組相比,暴露于200μMZnONPs的細胞在24小時后的存活率顯著降低至80.7%,暴露于500μMZnONPs的細胞在12小時后的存活率顯著降低至51.4%。此外,如圖3.4(C、D)所示,在濃度為200μM的ZnONPs處理的細胞中,LDH漏出量增加至對照組的4.23倍,對于經(jīng)200μM和500μMZnONPs處理的HaCaT細胞,在觀察的24小時內LDH漏出持續(xù)增加。
本文編號:2919901
【文章來源】:中國醫(yī)科大學遼寧省
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
ZnONPs的平均流體動力學直徑示意圖
中國醫(yī)科大學碩士學位論文93實驗結果3.1納米氧化鋅的表征利用動態(tài)光散射DLS和Zeta電位對ZnONPs的物理化學性質進行了表征。表3.1和圖3.1顯示的是ZnONPs的平均流體動力學直徑為219.71nm,圖3.2顯示ZnONPs的Zeta電位為-15.7mV。表3.1.ZnONPs的動態(tài)散射光DLSSampleEff.Diam.(nm)BaselineIndexCountRate(kcps)DataRetained(%)ZnONPs219.718.1544.897.45圖3.1ZnONPs的平均流體動力學直徑示意圖圖3.1為動態(tài)散射光DLS檢測ZnONPs顆粒的平均流體動力學直徑為219.71nm。圖3.2ZnONPs的Zeta電位示意圖圖為動態(tài)散射光DLS檢測ZnONPs顆粒的Zeta電位為-15.7mV。如圖3.3所示,采用透射電子顯微鏡對本研究中使用的ZnONPs進行表征,大
中國醫(yī)科大學碩士學位論文10多數(shù)ZnONPs呈不規(guī)則大小的棒狀形態(tài),結果表明,ZnONPs的粒徑在50nm左右。圖3.3ZnONPs的透射電鏡示意圖上圖為透射電鏡TEM檢測納米顆粒的形狀及粒徑。3.2ZnONPs對HaCaT細胞生存率的影響通過檢測細胞存活率和LDH漏出率共同評估ZnONPs在HaCaT細胞中的細胞毒性。將HaCaT細胞用不同濃度的ZnONPs(0-500μM)處理24小時。如圖3.4(A)所示,與對照組相比,隨著ZnONPs濃度升高細胞的生存力明顯降低,200μMZnONPs處理組細胞存活率明顯降低至78.7%。如圖3.4(B)所示,在時效研究中,分別用200和500μMZnONPs處理細胞2、4、6、12和24小時。當200和500μMZnONPs處理6小時,細胞活力沒有明顯降低。與對照組相比,暴露于200μMZnONPs的細胞在24小時后的存活率顯著降低至80.7%,暴露于500μMZnONPs的細胞在12小時后的存活率顯著降低至51.4%。此外,如圖3.4(C、D)所示,在濃度為200μM的ZnONPs處理的細胞中,LDH漏出量增加至對照組的4.23倍,對于經(jīng)200μM和500μMZnONPs處理的HaCaT細胞,在觀察的24小時內LDH漏出持續(xù)增加。
本文編號:2919901
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