人工耳蝸植入者電誘發(fā)聽性腦干反應閾值與行為測聽閾值相關性研究
發(fā)布時間:2024-02-29 01:16
目的通過對人工耳蝸植入者行為測聽閾值和電誘發(fā)聽性腦干反應(electrical evoked auditory brainstem response,EABR)閾值相關性比較,探討用EABR波Ⅴ閾值進行術后調試的可行性。方法對19例(20耳)人工耳蝸植入者分別選取第1、6、11、16、22號刺激電極行EABR和行為測聽測試,獲得閾值。結果刺激電極EABR波Ⅴ潛伏期為(3.73±0.37)ms;第1、6、11、16、22號電極EABR閾值分別為(145.50±9.85)、(144.75±7.69)、(148.25±11.04)、(146.50±9.20)和(142.25±10.45)CL;行為測聽閾值分別為(138.95±7.87)、(138.20±9.04)、(136.50±9.32)、(137.90±10.23)和(134.40±13.43)CL。EABR閾值與行為測聽閾值顯著相關(r=0.533、0.671、0.580、0.749和0.811,P均<0.05)。結論 EABR閾值與行為測聽閾值顯著相關,EABR為低齡或無法配合行為測聽的人工耳蝸植入者術后調機提供一種客觀檢測手...
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本文編號:3914269
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圖1刺激第1、6、11、16和22電極時,參考電極記錄EABR波形
采用單樣本t檢驗和Pearson相關性分析,各個刺激電極EABR閾值和行為測聽閾值之間均有相關性,第16電極和第22電極的EABR閾值和行為測聽閾值的相關性更強。3討論
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