背景:手術(shù)后病人常不同程度遭受疼痛的困擾。目前臨床上常用的鎮(zhèn)痛手段依賴于阿片類(lèi)藥物,但是阿片類(lèi)藥物的成癮性、呼吸抑制及術(shù)后惡心,嘔吐等副作用限制了它的使用。局部麻醉藥因其可以達(dá)到更好的疼痛緩解和減少術(shù)后并發(fā)癥在疼痛治療中被廣泛應(yīng)用,但是其持續(xù)時(shí)間卻很短。雖然通過(guò)外周置管可以延長(zhǎng)作用時(shí)間,但是卻不能用于抗凝治療的病人。上述鎮(zhèn)痛方式都無(wú)法實(shí)現(xiàn)理想的按需的鎮(zhèn)痛效果。雖然目前已經(jīng)發(fā)展了多種基于近紅外光的納米載體按需鎮(zhèn)痛系統(tǒng),但是近紅外光的穿透力有限,要達(dá)到深度的組織確容易造成燒傷。相反,超聲作為一種臨床上常用的檢查治療手段,具有穿透力強(qiáng),無(wú)二次損傷等優(yōu)點(diǎn),基于超聲激發(fā)的脂質(zhì)體緩釋系統(tǒng)已在動(dòng)物實(shí)驗(yàn)證實(shí)有良好的鎮(zhèn)痛效果。但是,脂質(zhì)體作為一種有機(jī)材料,在生物體內(nèi)易降解造成其半衰期短。有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化材料介孔二氧化硅因其穩(wěn)定性高,超聲響應(yīng)性好,是一種更理想的納米載體,于是本課題探究了納米材料介孔二氧化硅（HMONs）在按需鎮(zhèn)痛治療中的優(yōu)勢(shì)。方法:利用掃描和透射電鏡觀察介孔二氧化硅刻蝕前及包埋藥物前后的表面介孔及中空管腔結(jié)構(gòu),并測(cè)量材料的粒徑分布及表面電位。利用拉曼光譜和固體核磁測(cè)試介孔二氧化硅骨架中的化... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

透射電鏡與掃描電鏡觀察刻蝕前、刻蝕后、包埋后介孔二氧化硅的形貌(標(biāo)尺：50nm)

上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文9圖2介孔二氧化硅未刻蝕前、刻蝕后、包埋羅哌卡因、超聲處理后粒徑分布及zeta電位分析Figure2Particle-sizedistributionandsurfacechargeofMONs,HMONs,ropivacaine@HMONsandHMONswithinsonation刻蝕前、刻蝕后、包埋羅哌卡因、超聲處理后硅球的平均直徑無(wú)明顯改變(A)；刻蝕前、刻蝕后、包埋羅哌卡因、超聲處理后，納米硅球的表面電位未發(fā)生明顯改變(B)。1.3小結(jié)1.合成的介孔二氧化硅納米硅球?yàn)榇笮【弧⒎稚⑿粤己玫膱A形納米微粒，電鏡下直徑約120nm左右，可觀察到特征性表面介孔及內(nèi)部空腔結(jié)構(gòu)，在裝載羅哌卡因藥物分子后，硅球的表面并未發(fā)生改變。2.動(dòng)態(tài)散射粒徑分布結(jié)果及Zeta電位分析顯示，刻蝕及包埋藥物對(duì)納米硅球的直徑及表面電位無(wú)明顯影響。3.超聲處理對(duì)粒子的表征無(wú)明顯影響，證實(shí)介孔二氧化硅的超聲穩(wěn)定性。

上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文12-62.6ppm(T1)信號(hào)峰。因此，29Si/13C固體核磁和拉曼光譜提供了HMON中分子有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化倍半硅氧烷骨架的確鑿證據(jù)。透射電鏡元素掃面結(jié)果顯示：介孔二氧化硅內(nèi)Si、O、S元素在硅球上分布高度均一，其中以Si、O元素居多(圖3)。圖3介孔二氧化硅拉曼光譜、13C、29Si固體核磁及透射電鏡元素掃描結(jié)果Figure3Ramanspectrum,13Cand29SiNMRspectraandElementalmappingsofHMONs拉曼光譜顯示介孔硅球骨架內(nèi)S-S鍵伸縮振動(dòng)信號(hào)(438cm-1和490cm-1)及S-C鍵伸縮振動(dòng)信號(hào)(636cm-1)；13C及29Si固體核磁共振波譜顯示介孔二氧化硅骨架內(nèi)C及Si信號(hào)(B,C)；透射電鏡元素掃描顯示介孔二氧化硅內(nèi)Si、O、S元素的高度均一分布(標(biāo)尺為50nm)。2.3小結(jié)1.介孔二氧化硅的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化倍半硅氧烷骨架在拉曼光譜及13C、29Si固體核磁上得到了驗(yàn)證，明顯可見(jiàn)S-C、S-S、Si、C信號(hào)峰。2.介孔二氧化硅主要元素Si、O、S在納米材料內(nèi)呈高度均一分布。


本文編號(hào)：3602039