【摘要】：目的:觀察半導(dǎo)體激光結(jié)合紅外線照射治療促進植皮術(shù)后傷口愈合的效果。方法:1.本科室植皮術(shù)后傷口不愈合患者66例,其中分成治療組33例,對照組各33例。2.治療組:常規(guī)換藥先給予紅外紅照射,距離患處20～30cm,15-20min/次,1次/d。續(xù)予半導(dǎo)體激光治療儀局部照射潰瘍10～15min/次,1次/d,10次為1個療程。對照組:常規(guī)消炎傷口換藥。評估:治療10天后采用肉眼觀察創(chuàng)面分級發(fā)。結(jié)果:治療組治愈33例顯效33例。有效率為100%。對照組治療33例,顯效21例,無效12例,有效率為64%.兩組差異有顯著性,結(jié)論:紅外紅治療儀+半導(dǎo)體激光治療儀輔助照射感染傷口和潰瘍,能明顯促進傷口或潰瘍愈合。
[Abstract]:Objective: to observe the effect of semiconductor laser combined with infrared irradiation on wound healing after skin grafting. Methods: 1. 66 cases of wound nonunion after skin grafting were divided into treatment group (33 cases) and control group (33 cases). In the treatment group, infrared red irradiation was given at the beginning of routine dressing change, 20 ~ 30 cm ~ (-1) ~ 15 ~ 20 min / time, once a day. The ulcer was treated with semiconductor laser therapy instrument for 10~15min/ times, 10 times per day as a course of treatment. Control group: routine anti-inflammatory wound dressing change. Evaluation: after 10 days of treatment, the grading of wound was observed with naked eye. Results: 33 cases were cured in the treatment group. The effective rate is 100. In the control group, 33 cases were treated, 21 cases were markedly effective, 12 cases were ineffective, the effective rate was 64%. The difference between the two groups is significant. Conclusion: the infrared red therapeutic instrument semiconductor laser therapy instrument can obviously promote wound or ulcer healing by auxiliary irradiation of infected wound and ulcer.
【作者單位】： 廣州軍區(qū)廣州總醫(yī)院;南方醫(yī)科大學研究生院;
【分類號】：R454.2;R622

【共引文獻】

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本文編號：2292357