目的:口腔惡性腫瘤是世界上最常見的惡性腫瘤之一,占全身惡性腫瘤的5%左右,其中90%為上皮來源的鱗狀細胞癌,近年來口腔惡性腫瘤的發(fā)病率呈上升趨勢,發(fā)病的年齡也趨于年輕化,因而探索口腔惡性腫瘤的發(fā)病機制進而尋找積極有效的預防途徑成為一項十分迫切的重要任務,有學者認為實質性腫瘤兩個主要特征之一是大量的新生血管形成,惡性腫瘤細胞通過新生的血管組織獲得必要的養(yǎng)分,帶去大量的新陳代謝產(chǎn)物,同時瘤細胞穿過新生的毛細血管經(jīng)由血路遠處轉移,血管生成源于已存在的毛細血管和毛細血管后微靜脈的新的毛細血管性血管的生長,新生血管對于腫瘤的生長,浸潤及轉移具有重要的意義,腫瘤只有具備了血管生成表型后才能惡性生長和發(fā)生成功的轉移,血管的新生也是決定口腔惡性腫瘤生長、分化、侵襲和轉移的關鍵因素。方法:選擇人口腔上皮細胞株KB細胞和人涎腺腺樣囊性癌（ACC-3）腫瘤的細胞,復蘇后予以培養(yǎng)在24盤培養(yǎng)孔中24小時,隨機分為半導體激光照射組加5-Fu緩釋劑作用組和對照組,采用半導體激光照射加入5-Fu緩釋植入劑的口腔腫瘤細胞,半導體激光照射組以輸出功能130mw連續(xù)照射30、60、120、180、240、300秒,照射之... 

【文章來源】：安徽醫(yī)科大學安徽省

【文章頁數(shù)】：50 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

實驗所用半導體激光器

4、半導體激光照射及 5-FU 緩釋劑植入射及 5-FU 緩釋劑植入的過程中，將激光器固定在一固定臂上保持固定位置，在距離細胞層 35mm 處垂直照射；此舉使光斑以完全覆蓋住 24 孔培養(yǎng)盤中的一孔 （圖 3）。擴大的光束范圍點均勻一致的光強度。培養(yǎng)的細胞使用 5-FU 緩釋劑植入后在下，分別照射 0，30，60，90，120，150 和 180 秒，細胞接受密度范圍分別在 3.9～23.4J 和 1.95～11.7J/cm2之間（表 1） 緩釋劑植入前先將舊的培養(yǎng)液移除，照射及 5-FU 緩釋劑植入后。照射時要在培養(yǎng)盤下墊一層吸光紙以避免非照射處之細胞受照射及 5-FU 緩釋劑植入后的細胞再培養(yǎng) 24 小時，然后用 try算細胞數(shù)目。整個實驗至少重復 3 次，每次在 5 個不同的孔中中我們可以找到一個對細胞生長影響最明顯之照射時間。

圖 3 激光器保持固定位置，在距離細胞層 35mm 處垂直照射 半導體激光照射時間與總能量和能量密度之間關系。光斑面積為照射時間（秒）0 30 60 90 120 150量（J） 0 3.9 7.8 11.7 15.6 19.度（J/cm2） 0 1.95 3.9 5.85 7.8 9.7角質分子及其相關蛋白的粗萃取參考 French 等人的研究，過程如下：（1）經(jīng)過 CSK buffrose, 3mM MgCl2, 0.5% Triton X-100, 10Mm Piperazsulphonic acid〕, 1.2mM PMSF(Phenylmethylsulfonyl flacetamide）處理的細胞，用 2.5M NaCI 在 0℃下處理 10

【參考文獻】：
期刊論文
[1]MTHFR基因C677T和A1298C多態(tài)與中國部分人群非綜合征性唇腭裂的相關研究[J]. 萬偉東,王麗君,周小平,周德蘭,章慶國,黃金龍,王小寧.  中華整形外科雜志. 2006(01)
[2]TGF-α基因TaqⅠ RFLPs與國人非綜合征性唇腭裂關系的研究[J]. 張文廣,羅少軍,湯少明,梁杰.  中華整形外科雜志. 2004(03)



本文編號：3572439