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HBIC種植鈦與常用冠修復(fù)金屬材料的電化學腐蝕實驗研究

發(fā)布時間:2020-04-22 06:30
【摘要】: 目的:通過對HBIC型鈦種植體與口腔科常用修復(fù)烤瓷合金在中性人工唾液、酸性及含氟的人工唾液中的電化學腐蝕性能進行綜合評價,為臨床合理選擇與種植體相匹配的種植義齒上部結(jié)構(gòu)材料提供參考。 方法:(1)試件的制備選擇目前本院使用的HBIC型鈦種植體(T-H)以及臨床常用冠修復(fù)材料:鎳鉻合金(N)、鈷鉻合金(C)、金鉑合金(Au)、鑄造純鈦(T),按廠家要求包埋鑄造。所有試樣均為直徑4mm,高10mm的圓柱體,每種金屬各4個。將金屬圓柱體楔入直徑為3.5mm的聚四氟乙烯管中,環(huán)氧樹脂密封,一端導線接出。暴露面表面積為0.1257cm2。用220目、400目、600目、800目水砂紙順序磨平,按臨床拋光順序和要求拋光,浸入人工唾液中24h備用,使表面狀態(tài)趨于穩(wěn)定。(2)人工唾液的制備配制pH=6.8;pH=4;pH=6.8加入0.1%F-; pH=4加入0.1%F-的A,B,C,D四種人工唾液。(3)采用經(jīng)典三電極體系的電化學方法,在A,B,C,D四種人工唾液中檢測5種常用牙科金屬(合金)以及HBIC型鈦種植體(T-H)的自腐蝕電位(E corr)、腐蝕電流密度(Iccor),并繪制出極化曲線。(4)掃描電鏡對合金表面形貌進行觀察。 結(jié)果: 1五種不同金屬在四種人工唾液中的自腐蝕電位 1.1在pH=6.8的人工唾液中AuCNTT-H,其中Au組的自腐蝕電位大于其余四組金屬(合金)的自腐蝕電位(p0.05),C組、N組的自腐蝕電位大于T組、T-H組(p0.05),C組、N組與T組、T-H組間無統(tǒng)計學意義(p0.05)。 1.2 T組、T-H組在A、B、C、D四種不同人工唾液的自腐蝕電位依次為ABCD,其中在人工唾液C、D中的自腐蝕電位大于在人工唾液A、B中的自腐蝕電位,有統(tǒng)計學差異(p0.05),在人工唾液C、D中的自腐蝕電位也有統(tǒng)計學差異(p0.05),在人工唾液A、B中的自腐蝕電位沒有統(tǒng)計學差異(p0.05)。 2同種材料在不同介質(zhì)中的腐蝕電流密度(μA/cm2) 2.1金鉑合金組在四種人工唾液中測得腐蝕電流密(Iccor)依次為AuA組AuC組 AuB組AuD組;在人工唾液B、D中測得腐蝕電流密度大于在人工唾液A、C中的腐蝕電流密度,有統(tǒng)計學差異(p0.05),AuC與AuA組間, AuB組和AuD組間無統(tǒng)計學差異(P0.05)。 2.2鎳鉻合金組在A,B,C,D四種人工唾液處理后測得腐蝕電流密度(Iccor)以此為NA組NC組NB組ND組;在人工唾液B、D中測得腐蝕電流密度大于在人工唾液A、C中的腐蝕電流,有統(tǒng)計學差異(p0.05),NB組小于ND組,有統(tǒng)計學差異(p0.05) ,NC與NA組和NB組間無統(tǒng)計學差異(P0.05)。 2.3鈷鉻合金組在A,B,C,D四種人工唾液中測得腐蝕電流密度(Iccor)為CC組CA組 CB組CD組,在人工唾液A、B、C,中測得腐蝕電流密度小于在人工唾液D中的腐蝕電流密度,有統(tǒng)計學差異(p0.05),其余三組間無統(tǒng)計學差異(P0.05)。 2.4鑄造純鈦組在四種人工唾液中測得腐蝕電流密(Iccor)依次為TA組 TC組TB組TD組;在人工唾液A、B、C,中測得腐蝕電流密度小于在人工唾液D中的腐蝕電流密度,有統(tǒng)計學差異(p0.05)。TA組、TB組、TC組間無統(tǒng)計學差異。 2.5 HBIC型鈦種植體組在四種人工唾液測得腐蝕電流密度(Iccor)依次T-HA組 T-HB組T-HC組T-HD組;在四種不同人工唾液中測得腐蝕電流密度T-HD組大于T-HA組、T-HB組、T-HC組,有統(tǒng)計學差異(p0.05)。T-HA組、T-HB組、T-HC組間無統(tǒng)計學差異(p0.05)。 3不同種材料在同一介質(zhì)中的腐蝕電流密度(μA/cm2) 3.1在pH=6.8的人工唾液中,四種金屬腐蝕電流密度(Iccor)為依次為N組C組T組 T-H組Au組,其中N組、C組與Au組、T組、T-H組間有統(tǒng)計學差異(p0.05),N組與C組,T組與T-H組與Au組間無統(tǒng)計學差異(p0.05);在pH=4的人工唾液中四種金屬腐蝕電流密度(Iccor)為依次為N組C組Au組 T組 T-H組,其中T組、T-H組與N組、C組、Au組間有統(tǒng)計學差異(p0.05),Au組Iccor小于N組與C組有統(tǒng)計學差異(p0.05) ,T組與T-H組,N組與C組間無統(tǒng)計學差異(p0.05)。 3.2在pH=6.8的含0.1%F-人工唾液中,五種金屬腐蝕電流密度(Iccor)沒有統(tǒng)計學差異(p0.05)。在pH=4的含0.1%F-人工唾液中AuD組CD組ND組TD組 T-HD組,其中AuD組與CD組、ND組、TD組、T-HD組間,ND組、CD組與TD組、T-HD組間,N D組與CD組間有統(tǒng)計學差異(p0.05),TD組與T-HD組間無統(tǒng)計學差異(p0.05)。 4掃描電鏡觀察,金合金在pH=6.8、pH=6.8含氟人工唾液中測試后在掃描電鏡下觀察未見明顯腐蝕破壞;在pH=4和pH=4含氟人工唾液中測試后合金表面可見散在的且直徑較小的淺的點蝕坑;鎳鉻合金在pH=6.8、pH=6.8含氟人工唾液中腐蝕明顯,為典型的孔蝕樣表現(xiàn),且隨pH降低,腐蝕加劇;鈷鉻合金在pH=6.8、pH=4及pH=6.8含氟的人工唾液中測試后掃描電鏡下觀察有剝脫性腐蝕破壞表現(xiàn),在酸性含氟環(huán)境中腐蝕破壞加劇;鑄造純鈦、HBIC型鈦種植體在pH=6.8、pH4及pH=6.8加0.1% F的人工唾液中的腐蝕均不明顯,但在pH=4加0.1% F的人工唾液中測試后掃描電鏡高倍下觀察表現(xiàn)為蜂窩狀改變,金屬原有形態(tài)完全破壞。 結(jié)論: 1在中性人工唾液中,金鉑合金、鎳鉻合金、鈷鉻合金、鑄造純鈦及HBIC型鈦種植體均有較好的耐腐蝕性能,其中金合金、鑄造純鈦及HBIC型鈦種植體耐腐蝕性優(yōu)于鈷鉻合金、鎳鉻合金。 2在酸性人工唾液中鎳鉻合金、金合金腐蝕電流密度明顯增大,而pH值的降低對鈷鉻合金、鑄造純鈦及HBIC型鈦種植體沒有明顯影響。 3氟化物的加入使金合金、鈷鉻合金、鎳鉻合金、鑄造純鈦及HBIC型鈦種植體在酸性人工唾液中的腐蝕電流密度均呈增大趨勢,其中鑄造純鈦及HBIC型鈦種植體對酸性環(huán)境氟化物敏感性更大,腐蝕電流與中性人工唾液相比有明顯差別。 4在酸性環(huán)境以及酸性含氟環(huán)境中會加劇種植體及冠材料電化學腐蝕的進行,經(jīng)常進行種植體及牙周維護,降低菌斑形成,有助于維持唾液pH在正常范圍;使用氟制劑時,若調(diào)整氟制劑的pH值為堿性或中性,有助于減弱修復(fù)烤瓷合金電化學腐蝕程度。
【學位授予單位】:河北醫(yī)科大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2009
【分類號】:R783.1

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