本文關(guān)鍵詞：電泳沉積法制備鈦酸鋇涂層對(duì)鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度的影響

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【摘要】：目的采用四因素三水平的正交實(shí)驗(yàn)法,優(yōu)選出電泳沉積法在純鈦表面制備鈦酸鋇涂層的最佳技術(shù)參數(shù),通過計(jì)算電泳沉積法制備鈦酸鋇涂層的鈦瓷試件的結(jié)合強(qiáng)度,并通過掃描電鏡(SEM)及能譜分析(EDS)觀察斷面的形貌及結(jié)構(gòu),探討電泳沉積法制備鈦酸鋇涂層對(duì)鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度的影響,為臨床純鈦烤瓷修復(fù)體提供實(shí)驗(yàn)依據(jù)。方法1鈦酸鋇涂層的制備依據(jù)ISO9693標(biāo)準(zhǔn)制作尺寸25 mm×3 mm×0.5 mm的試件,將所有試件表面進(jìn)行噴砂處理。以碳酸鋇、冰醋酸和鈦酸丁酯作為原料制備納米鈦酸鋇粉體,通過電泳沉積法在純鈦基片上制備鈦酸鋇涂層,采用四因素三水平的正交試驗(yàn)法設(shè)計(jì)九組實(shí)驗(yàn),分別上瓷測量結(jié)合強(qiáng)度,優(yōu)選出電泳沉積鈦酸鋇涂層的最佳技術(shù)參數(shù),并進(jìn)行驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。2鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度檢測:將14個(gè)試件分為2組,對(duì)照組和實(shí)驗(yàn)組。對(duì)照組7個(gè)試件(不做任何處理,直接在每個(gè)試件中間8 mm×3mm處上瓷,瓷層的總厚度為1mm),實(shí)驗(yàn)組(優(yōu)選出的最佳技術(shù)參數(shù)下制備鈦酸鋇涂層,然后在每個(gè)試件中間8 mm×3 mm處上瓷,瓷層的總厚度為1mm)。利用電子萬能試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行三點(diǎn)彎曲實(shí)驗(yàn),計(jì)算鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度,并通過掃描電鏡(SEM)及能譜分析(EDS)觀察涂層的形貌及構(gòu)成。統(tǒng)計(jì)學(xué)分析,正交實(shí)驗(yàn)法優(yōu)選電泳沉積法制備鈦酸鋇涂層的最佳技術(shù)參數(shù)采用直觀分析法進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)分析;鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度數(shù)據(jù)的組間比較,采用SPSS17.0分析軟件中的獨(dú)立樣本t檢驗(yàn)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)分析。結(jié)果1鈦酸鋇涂層的最佳技術(shù)參數(shù)燒結(jié)溫度900℃,沉積電壓60V,沉積時(shí)間60S,懸浮液濃度1%的條件下,電泳沉積法制備的鈦酸鋇涂層較均勻平整,裂孔較少,通過驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)證實(shí)在此實(shí)驗(yàn)條件下,得到的數(shù)據(jù)是切實(shí)可行的。2鈦酸鋇涂層對(duì)鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度的影響:利用電子萬能實(shí)驗(yàn)機(jī)對(duì)試件進(jìn)行三點(diǎn)彎曲檢測,計(jì)算得出鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度,實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,實(shí)驗(yàn)組與空白組比較,鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.053)。鈦瓷斷面的形貌結(jié)構(gòu)觀察:肉眼觀察可見,純鈦基底表面有部分瓷殘留,瓷表面覆蓋一層灰色薄膜。崩瓷斷面能譜分析顯示,實(shí)驗(yàn)組與空白組比較,純鈦表面殘留硅元素和鋇元素的含量均有所增加。結(jié)論1電泳沉積法在純鈦表面制備均勻鈦酸鋇涂層的最佳技術(shù)參數(shù)燒結(jié)溫度900℃,沉積電壓60V,沉積時(shí)間60S,懸浮液濃度1%。2電泳沉積法在純鈦表面制備鈦酸鋇涂層能夠增強(qiáng)鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度。
【學(xué)位授予單位】：華北理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：R783.1
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本文編號(hào)：1184070