本文關(guān)鍵詞：刺激參數(shù)對事件相關(guān)電位P300結(jié)果的影響　出處：《中國康復理論與實踐》2016年07期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 刺激參數(shù) 靶刺激概率 事件相關(guān)電位 P 潛伏期 波幅 波幅下面積

【摘要】：目的探討改變P300靶刺激概率對事件相關(guān)電位P300潛伏期和波幅的影響。方法 2014年1~12月就診的記憶力減退患者35例,分別進行靶刺激概率為0.10和0.25的事件相關(guān)電位P300檢查,分析P300波的潛伏期、波幅及波幅下面積。結(jié)果兩種靶刺激概率下,P300潛伏期無顯著性差異(t0.256,P0.800),波幅和波幅下面積均有顯著性差異(t4.259,P0.05)。結(jié)論低概率靶刺激可能由于提高了患者的注意力而使波幅增高。P300潛伏期不易受患者注意力干擾,是判斷認知功能最重要的指標。
【作者單位】： 北京大學人民醫(yī)院神經(jīng)內(nèi)科;
【分類號】：R749.1
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