本文關鍵詞：DNA損傷修復在輻射適應性反應中的作用及其分子機制研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《吉林大學》 2007年

低劑量電離輻射誘導免疫適應性反應的DNA修復機制

程光惠  

【摘要】： DNA修復是低劑量電離輻射誘導適應性反應的主要機制之一。輻射等因素主要引起DNA雙鏈斷裂(DSB),損傷的修復以非同源末端連接(NHEJ)為主,NHEJ修復相關基因有p53、PI3K家族成員(ATM、DNA-PKcs)和PARP-1等。 本實驗采用分子生物學手段,在離體水平觀察低劑量輻射誘導EL-4細胞凋亡及細胞周期進程的適應性反應,伴隨其相關基因蛋白和mRNA水平的變化。同時,應用ATM和DNA-PK阻斷劑渥曼青霉素,PARP-1阻斷劑3-AB進一步證實上述基因在適應性反應中的作用。 實驗表明,低劑量輻射可以在體外誘導EL-4細胞凋亡及細胞周期進程的適應性反應。在低劑量輻射誘導適應性反應中,p53表達減少,ATM和DNA-PKcs表達無明顯變化,PARP-1表達增加;應用3-AB后未出現(xiàn)適應性反應。渥曼青霉素對適應性反應無影響,可能與渥曼青霉素作用機制有關,即其抑制ATM和DNA-PK,但不抑制p38MAPK及PKC,而后者可激活p53蛋白。 以上結果顯示:p53和PARP-1基因均在適應性反應中起作用。其中,p53基因在適應性反應中起決定性作用,而ATM和DNA-PK無明顯作用。表明DNA修復可能是低劑量電離輻射誘導適應性反應的主要機制。

【關鍵詞】：
【學位授予單位】：吉林大學
【學位級別】：博士
【學位授予年份】：2007
【分類號】：R811.5
【目錄】：

提要5-8

前言8-9

英文縮寫9-11

第一章 文獻綜述11-28

1 電離輻射誘導適應性反應及其規(guī)律性11-14

2 低劑量輻射誘導適應性反應機制14-19

3 低劑量輻射興奮效應的共同機理問題19-21

4 DNA 損傷修復/細胞周期調控/凋亡21-27

5 低劑量輻射誘導適應性反應的信號傳導通路[104]27-28

第二章 材料與方法28-37

1 主要試劑28-29

2 器材29

3 儀器29-30

4 低劑量輻射誘導 EL-4 細胞適應性反應的時間、劑量和劑量率效應30-31

5 EL-4 細胞 P53 蛋白表達的檢測31

6 EL-4 細胞中 P53 MRNA 表達含量的影響31-33

7 3-AB 對小鼠 EL-4 淋巴瘤細胞中 PARP-1 蛋白表達的時程變化33-34

8 3-AB阻斷后電離輻射對小鼠EL-4淋巴瘤細胞PARP-1蛋白表達的影響34-35

9 WORTMANNIN阻斷后電離輻射對小鼠 EL-4 淋巴瘤細胞 ATM 和 DNA- PKC蛋白表達的影響35-36

10 統(tǒng)計學分析36-37

第三章 實驗結果37-80

1 LDR 誘導體外 EL-4 淋巴瘤細胞凋亡及細胞周期進程適應性反應的劑量效應37-43

2 LDR 誘導體外 EL-4 淋巴瘤細胞凋亡及細胞周期進程適應性反應的劑量率效應43-46

3 LDR 誘導體外 EL-4 淋巴瘤細胞凋亡及細胞周期進程適應性反應的時間效應46-50

4 大劑量照射前給予75 MGY 照射對 EL-4 細胞 P53 的影響50-53

5 大劑量照射前給予75 MGY照射及3-AB 對EL-4 細胞適應性反應的影響53-60

6 大劑量照射前給予75 MGY 照射及3-AB 對 EL-4 細胞 PARP-1 表達的影響60-65

7 大劑量照射前給予75 MGY照射及WORTMANNIN 對EL-4 細胞適應性反應的影響65-71

8 大劑量照射前給予75 MGY照射及WORTMANNIN 對EL-4 細胞 ATM 表達的影響71-76

9 大劑量照射前給予75 MGY 照射及 WORTMANNIN對 EL-4 細胞 DNA-PKcs表達的影響76-80

第四章 討論80-84

1 低劑量輻射誘導EL-4 細胞適應性反應及其規(guī)律性80-81

2 NHEJ 修復有可能是低劑量電離輻射誘導適應性反應的主要機制81

3 攻擊劑量照射聯(lián)合阻斷劑對細胞凋亡和細胞周期進程的影響及相關基因變化81-83

4 D1 + D2 照射聯(lián)合阻斷劑對細胞凋亡和細胞周期進程的影響及相關基因變化83-84

結論84-85

參考文獻85-92

攻讀博士學位期間已發(fā)表及待發(fā)表論文92-93

中文摘要93-95

ABSTRACT95-99

致謝99-100

個人簡歷100

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