1引言

當(dāng)前，世界能源結(jié)構(gòu)以化石能源為主，這些傳統(tǒng)能源的日漸枯竭讓世界能源供應(yīng)面臨極大的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)，太陽能、風(fēng)能、地?zé)崮�、海洋能、生物質(zhì)能等可再生能源的迅速成為應(yīng)對能源危機(jī)的研究熱點(diǎn)。其中，太陽能光伏發(fā)電具有無噪聲、無污染、能量隨處可得、運(yùn)行成本低、方便與建筑物相結(jié)合等優(yōu)點(diǎn)，成為當(dāng)今世界開發(fā)利用可再生能源的主要形式之一。太陽能光伏發(fā)電技術(shù)的核心是光電轉(zhuǎn)換，它利用半導(dǎo)體材料的光電效應(yīng)直接將太陽能轉(zhuǎn)換為電能。20世紀(jì)90年代以后，光伏發(fā)電技術(shù)得到快速發(fā)展。2012年，歐洲光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會(European Photovoltaic Industry Association, EPIA)發(fā)布的2010-2015年全球累計(jì)光伏裝機(jī)容量發(fā)展趨勢，如圖1.1所示。光伏發(fā)展分析中EPIA的兩種預(yù)測情景(適度情景和政策驅(qū)動情景)均顯示，全球光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)將延續(xù)高速增長的勢頭。今后數(shù)年內(nèi)全球光伏發(fā)電市場將重新布局，歐盟所占市場份額將下降到40%-45%,其他地區(qū)特別是亞洲地區(qū)所占份額將大幅增加。在各國政策的積極導(dǎo)引下，2015年全球裝機(jī)容量將有望達(dá)到196GW。

圖1.2所示為太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中太陽能電池板通過光電效應(yīng)轉(zhuǎn)換得到的是直流電壓。該電壓的大小受光伏電池板光照強(qiáng)度和輸出電流值等因素的影響。因此，光伏發(fā)電系統(tǒng)需要通過基于電力電子變換器的逆變系統(tǒng)將直流電壓轉(zhuǎn)換為滿足電能質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的交流電壓以接入電網(wǎng)或供給負(fù)載�，F(xiàn)代逆變技術(shù)為光伏并網(wǎng)發(fā)電的發(fā)展提供了強(qiáng)有力的技術(shù)和理論支撐。

1.1光伏逆變系統(tǒng)的發(fā)展趨勢

集中式逆變器輸入側(cè)采用多個(gè)光伏電池板串并聯(lián)產(chǎn)生高壓直流電壓。通過一臺集中式逆變器將該直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓。集中式逆變器功率在30kW到650kW之間，功率器件采用大電流IGBT,系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用DC7AC—級三相全橋逆變電路。鏈?zhǔn)侥孀兤魇腔谀K化概念，每個(gè)光伏電池板組串(1.5kW)對應(yīng)一臺逆變器，在交流側(cè)多個(gè)鏈?zhǔn)侥孀兤鹘?jīng)過并聯(lián)后并網(wǎng)。普通太陽能光伏逆變系統(tǒng)通常將光伏電池板先分組串聯(lián)，再將不同的串聯(lián)電池組并聯(lián)起來形成電池陣列。當(dāng)有局部陰影或碎碌等遮蔽光伏電池組串時(shí)，光伏電池板日照不均以及特性不均等將導(dǎo)致光伏逆變系統(tǒng)輸出功率下降的情況，光伏逆變系統(tǒng)的整體輸出功率就會大幅降低。具體來說，當(dāng)有10%的光伏電池板面積被遮蓋，光伏逆變系統(tǒng)的總發(fā)電量便會下跌50%左右。假如串聯(lián)中的任何電池板發(fā)生故障，將會導(dǎo)致整個(gè)電池組失效。為了最大限度地利用電池板的電能，近幾年TI公司提出了 “微型逆變器”的概念。微型逆變器的直流電源轉(zhuǎn)換是從一個(gè)單一的太陽能模塊直接轉(zhuǎn)換為交流電，各個(gè)太陽能電池模塊配備逆變器及轉(zhuǎn)換器功能，每塊組件可單獨(dú)進(jìn)行電能的轉(zhuǎn)換，所以這被稱之為“微型逆變器”。這種獨(dú)立的電能轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)避免了光伏電池板串聯(lián)，將每個(gè)電池板與各自專用的逆變器連接在一起。微型逆變器的功率等級為150~300W。

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1.2 微型光伏逆變器的研究熱點(diǎn)
微型光伏逆變器用于將單個(gè)光伏電池板的直流電能轉(zhuǎn)換為交流電后并入電網(wǎng)或提供給獨(dú)立負(fù)載，功率范圍集中在150W至300W之間。顯然，針對每塊電池板進(jìn)行最大效率跟蹤和電流控制，能最大限度地利用電池板的電能，避免功率失配。近年來，微型光伏逆變器得到了極大地發(fā)展和推廣，國內(nèi)外廠商和學(xué)者紛紛開發(fā)高性能的微型逆變器。美國Enphase Energy和德國SMA公司是全球最早推出微型逆變器的廠商；英國劍橋大學(xué)推出的EnecsysSMI系列微型光伏逆變器，其標(biāo)稱使用壽命超過25年并通過了 IEC61215壽命測試認(rèn)證；國內(nèi)光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)受國外微型光伏逆變器發(fā)展的推動和刺激，也開始大力投入到微型光伏逆變器的研發(fā)。英偉力新能源科技有限公司引進(jìn)微型逆變器的核心技術(shù)研發(fā)了微型光伏逆變系統(tǒng)。浙江星能光伏科技集成有限公司推出了最大效率94%的微型光伏逆變器產(chǎn)品YC200,如圖1.6(a)所示。該系列產(chǎn)品已推廣應(yīng)用，并建立了多個(gè)光伏示范應(yīng)用項(xiàng)目如圖1.6(b)所示。
微型光伏逆變器拓?fù)淇煞譃槿悾旱谝活愂菃渭壥酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)，如圖1.7(a)所示。第二類是準(zhǔn)單級式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如圖1.7(b)所示，利用一個(gè)準(zhǔn)IK弦波PWM方法來控制DC7DC轉(zhuǎn)換器在中間直流環(huán)節(jié)產(chǎn)生經(jīng)整流的正弦電流(或電壓)。而后，經(jīng)過工頻控制的逆變器產(chǎn)生與電網(wǎng)同步的正弦電流(電壓)。第三類是包括DC/DC變換器和逆變器的兩級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如圖1.7(c)所示。前級DC/DC變換器產(chǎn)生穩(wěn)定的中間直流電壓，后級采用卑相全橋電路將直流電壓逆變?yōu)榻涣麟妷簩?shí)現(xiàn)單位功率因數(shù)并網(wǎng)發(fā)電。
為提高功率密度、減小變壓器體積，需要提高開關(guān)頻率，由此導(dǎo)致開關(guān)損耗增大，變換效率降低。同時(shí)，由于光伏組件輸出的電壓較低，而電網(wǎng)電壓的峰值較高，因此變壓器的變比較大。變壓器漏感不僅導(dǎo)致變換效率降低，同時(shí)會引起開關(guān)管關(guān)斷電壓尖峰過高，嚴(yán)重時(shí)擊穿開關(guān)管，因此變壓器不易高效率地傳輸能量[67，68]。文獻(xiàn)[69]針對如何提高微型逆變器的效率提出r變開關(guān)頻率軟開關(guān)控制策略，實(shí)現(xiàn)了開關(guān)管的零電壓開通；文獻(xiàn)[70，71]多路交錯(cuò)方案提高電路的等效開關(guān)頻率，減小變壓器磁芯體積等方法提高變換器的效率。

隨著GaN HEMT器件在電力電子行業(yè)的應(yīng)用，GaN HEMT的研究已經(jīng)從分析其物理結(jié)構(gòu)、材料特性、器件制備方法及制作工藝發(fā)展到對器件應(yīng)用特性的應(yīng)用研究。國內(nèi)外器件制造商通過實(shí)驗(yàn)測試給出了器件的基本特性參數(shù)，但仍有很多特性曲線在數(shù)據(jù)手冊中未給出，已有的數(shù)據(jù)在GaN器應(yīng)用過程中還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。為了更好的發(fā)揮GaN器件的優(yōu)勢，國內(nèi)外學(xué)者對GaN器件的極限參數(shù)、電特性參數(shù)、熱特性參數(shù)進(jìn)行了分析測試，例如，國外學(xué)者通過雙脈沖測試電路對GaN HEMT的通態(tài)阻抗隨漏極-源極電壓的變化特性及通態(tài)阻抗隨溫度變化的特性曲線進(jìn)行了測試。盡管如此，GaN器件應(yīng)用特性研究仍不盡完善，目前高壓Cascode GaN HEMT的第三象限工作情況的分析及工作特性研究在文獻(xiàn)和器件產(chǎn)品手冊中均沒有研究和說明。Cascode GaN HEMT的第三象限工作情況既不同于Si MOSFET也不同于增強(qiáng)型GaN HEMT。Cascode GaN HEMT器件的穩(wěn)態(tài)工作特性及其應(yīng)用是目前需要進(jìn)一步研究的重要領(lǐng)域。

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2 GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用特性研究

氮化鎵(GaN)是一種化合物半導(dǎo)體，它具有高電子遷移率特性。因此，用它制成的晶體管成為氮化鎵高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor, GaNHEMT),簡稱GaN HEMT。與Si MOSFET類似，根據(jù)導(dǎo)電方式的不同GaN HEMT也有兩種導(dǎo)通形式，一種是增強(qiáng)型GaN HEMT，另一種是耗盡型GaN HEMT[n9]。眾所周知，增強(qiáng)型器件是常開(斷)型器件，易于推廣應(yīng)用。由于制造工藝的限制，目前達(dá)到應(yīng)用水平的單體增強(qiáng)型GaN HEMT的額定電壓最大為200V。耗盡型器件是常導(dǎo)(通)型器件，使用時(shí)需要負(fù)壓關(guān)斷，在使用中容易出現(xiàn)直通短路的故障。故應(yīng)用中通常是將耗盡型GaN HEMT與低壓增強(qiáng)型Si MOSFET結(jié)合成共源共柵(Cascode)增強(qiáng)型復(fù)合結(jié)構(gòu)，稱為Cascode GaN HEMT。共源共柵結(jié)構(gòu)(cascode)可以看成共源極電路和共柵極電路的串連，即源放大器Ml的輸出極（漏極）疊加一個(gè)開關(guān)管M2，其中M2的源極接在Ml的漏極，而M2的柵極接Ml的漏極。CascodeGaN HEMT市場產(chǎn)品目前電壓等級為600V。低壓增強(qiáng)型GaN HEMT和高壓Cascode GaN HEMT的電路表示符號如圖2.1所示。

本章將研究可以應(yīng)用于微型光伏逆變器的低壓增強(qiáng)型GaN HEMT和高壓Cascode GaN HEMT。在簡述其工作原理的基礎(chǔ)上，對GaN HEMT器件的應(yīng)用特性包括其輸入特性(驅(qū)動特性)和輸出特性進(jìn)行研究，進(jìn)而完善低壓增強(qiáng)型GaNHEMT和高壓Cascode GaN HEMT的輸出伏安特性。本章將歸納低壓增強(qiáng)型GaNHEMT和高壓Cascode GaN HEMT的工作模態(tài)及其條件，給出GaN HEMT反向?qū)ㄟ^程降低損耗的控制方法。

2.1增強(qiáng)型GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)及其工作原理
2.1.1 增強(qiáng)型GaN HEMT的基本結(jié)構(gòu)
N溝道增強(qiáng)型Si MOSFET的剖面結(jié)構(gòu)，如圖2.2 (b)所示。從GaN HEMT與N溝道增強(qiáng)型Si MOSFET的結(jié)構(gòu)剖面圖對比可以看出，GaN HEMT器件中不存在N溝道增強(qiáng)型Si MOSFET柵極與源極之間的P型寄生雙極區(qū)域。GaN HEMT不是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制來改變漏極、源極之間的導(dǎo)電溝道的寬度，進(jìn)而來改變漏-源極之間的等效電阻和電流的大小。GaN HEMT中不存在SiMOSFET的寄生二極管。GaN HEMT的工作原理與Si MOSFET等半導(dǎo)體器件的工作原理存在本質(zhì)區(qū)別。GaN HEMT中包含一個(gè)由寬帶隙材料(AlGaN)和窄帶隙材料(GaN)構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)。該異質(zhì)結(jié)的特殊物理特性是GaN HEMT器件形成的關(guān)鍵，它決定了 GaN HEMT的工作機(jī)理和器件的基本特性。

增強(qiáng)型GaN HEMT器件為電壓控制型器件，是通過柵極控制AlGaN半導(dǎo)體材料的勢壘能級來改變AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中2DEG的濃度，進(jìn)而控制GaN HEMT器件的導(dǎo)通和關(guān)斷。因此，柵-源極正電壓或柵-漏極正電壓都可以改變2DEG的濃度，控制器件的開通和關(guān)斷。當(dāng)柵極-源極或柵極漏極之間不施加電壓時(shí)，柵極電壓的調(diào)制作用只在柵極正下方起明顯作用，對于源極-柵極和漏極-柵極之間的載流子影響甚弱。由于柵極下的AlGaN半導(dǎo)體極化效應(yīng)很低，游離出的電子全部被柵極金屬耗盡。AlGaN與GaN異質(zhì)接觸面沒有2DEG，不存在導(dǎo)電溝道，開關(guān)管處于關(guān)斷狀態(tài)，如圖2.3(a)所示。

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2.2 增強(qiáng)型GaN HEMT的輸入(驅(qū)動)特性
2.2.1 增強(qiáng)型GaN HEMT驅(qū)動要求
制造商提供的GaN HEMT的輸出特性曲線只有器件正向?qū)ㄇ闆r下第一象限的測試結(jié)果，并未提供GaN HEMT反向?qū)〞r(shí)的器件特性。本文以EPC公司增強(qiáng)型GaN HEMT EPC2010為例，對增強(qiáng)型GaN HEMT的輸出特性進(jìn)行測試分析，其全范圍輸出V-I特性曲線如圖2.15所示。圖2.16給出了 Si MOSFET的輸出特性曲線。從圖中可以看出，增強(qiáng)型GaN HEMT與SiMOSFET明顯不同。Si MOSFET反向?qū)〞r(shí)隨著溝道壓降的增大，器件表現(xiàn)出二極管導(dǎo)通特性，而增強(qiáng)型GaN HEMT的第三象限特性只與溝道阻抗有關(guān)。增強(qiáng)型GaN HEMT反向?qū)ㄖ�，若不施加Vgs驅(qū)動電壓，則GaN HEMT的反向?qū)▔航底钚?.4V，隨著反向?qū)娏鞯脑龃蠖饾u增大。其反向?qū)▔航递^同等級的Si MOSFET大，存在反向?qū)〒p耗大的問題。
本章首先對增強(qiáng)型GaN HEMT、Cascode GaN HEMT結(jié)構(gòu)及其工作原理進(jìn)行了分析，歸納了增強(qiáng)型GaN HEMT和Cascode GaN HEMT的工作模態(tài)，探討了 GaN HEMT不同工作模態(tài)出現(xiàn)的條件。文中詳細(xì)研究了增強(qiáng)型GaNHEMT的輸入(驅(qū)動)特性和輸出特性，，首次給出了不同類別的GaN HEMT的全范圍輸出伏安特性曲線。文中重點(diǎn)研究了增強(qiáng)型GaN HEMT的反向?qū)ㄌ匦�，提出了改善增�?qiáng)型GaN HEMT反向?qū)ü軌航档姆椒ú⒃贚LC諧振電路中進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。

寬禁帶GaN HEMT的開關(guān)速度快且容易受到電路寄生參數(shù)的影響，在工作時(shí)會出現(xiàn)各種工作狀況：過載、負(fù)載短路、橋臂直通、過電壓、過熱等。這些都會影響器件的正常工作，從而導(dǎo)致裝置性能的下降，甚至造成器件損壞。因此，在電路發(fā)生異常時(shí)，需要保護(hù)電路來防止器件損壞，保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行�；谠鰪�(qiáng)型GaN HEMT和Cascode GaN HEMT的器件特性，本章研究了 GaNHEMT的驅(qū)動電路布局優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。針對GaN HEMT雙管并聯(lián)電路給出了設(shè)計(jì)方案，用于提高電路的容量。此外，本章將研究一種適用于GaN HEMT的過流保護(hù)電路。

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3 GaN HEMT驅(qū)動布局優(yōu)化及保護(hù)電路設(shè)計(jì)研究............43
3.1引言..............................................43
3.2增強(qiáng)型GaN HEMT驅(qū)動回路設(shè)計(jì)要素........................43
3.2.1柵極驅(qū)動電路的環(huán)路電感........................43
4增強(qiáng)型GaN HEMT在光伏系統(tǒng)DC/DC電路的應(yīng)用研究............63
4.1引言..............................................63
4.2增強(qiáng)型GaN HEMT動態(tài)特性........................63
4.2.1增強(qiáng)型GaN HEMT通態(tài)阻抗........................64
5 Cascode GaN HEMT在光伏系統(tǒng)逆變電路的應(yīng)用研究............85
5.1引言..............................................85
5.2考慮寄生參數(shù)的Cascode GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)............85

5.3單相逆變器中Cascode GaN HEMT動態(tài)過程分析............86

5 Cascode GaN HEMT在光伏系統(tǒng)逆變電路的應(yīng)用研究

5.1引言
寄生電感是開關(guān)管的重要參數(shù)，對開關(guān)管的動態(tài)特性有重要影響。CascodeGaN HEMT的特殊結(jié)構(gòu)使得其動態(tài)過程較Si MOSFET等單體器件復(fù)雜。因此，Cascode GaN HEMT的動態(tài)過程分析同樣需要引入其寄生參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)分析。本章對Cascode GaN HEMT等效模型進(jìn)行分析，提出了 Cascode GaN HKMT在微型逆變系統(tǒng)逆變電路中的動態(tài)過程分析方法。同時(shí)，探討了寄生參數(shù)對GaNHEMT開關(guān)過程的影響高壓GaN HEMT的寄生參數(shù)對開關(guān)管的開關(guān)過程和開關(guān)損耗的影響。
本文兩級微型逆變器中前級采用增強(qiáng)型GaN HEMT交錯(cuò)IH反激DC/DC電路，后級采用Cascode GaN HEMT單相逆變電路。前級DC/DC電路采用閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)MPPT最大功率跟蹤。后級逆變電路采用傳統(tǒng)雙環(huán)控制，用于控制入網(wǎng)電流正弦化，并且控制直流母線電恒定。兩級微型逆變器控制框圖如圖5.19所示。
本文搭建了實(shí)驗(yàn)平臺對GaN HEMT兩級微型逆變器進(jìn)行測試，測試平臺示意圖，如圖5.20所示。其中包括PV模擬直流電源Chronia62150H-600S和交流電源模擬電源Chroma 61705。PV模擬直流電源可模擬光伏電池板的輸出特性，其上位機(jī)可在線顯示逆變器的MPPT狀態(tài)并給出MPPT跟蹤效率。交流電源模擬電源可以模擬電網(wǎng)電壓。

本章節(jié)對適用于微型光伏逆變系統(tǒng)逆變電路的高壓6()0V Cascode GaN HEMT在單相逆變器中的動態(tài)過程進(jìn)行了分析和理論推導(dǎo)。GaN HEMT的等效電路考慮了對開關(guān)過程及開關(guān)損耗有重要影響的寄生電感寄生電容。理論和仿真實(shí)驗(yàn)及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證證明了寄生參數(shù)的增大將增大Cascode GaN HEMT的漏源電壓。CascodeGaN HEMT具有耐高壓、開關(guān)速度快、開關(guān)損耗低、低反向恢復(fù)特性等優(yōu)點(diǎn)，可將其應(yīng)用于單相逆變器。本章節(jié)將TPH3006 Cascode GaN HEMT應(yīng)用于單相全橋逆變器，與Si MOSFET 1PB60R190C的對比實(shí)驗(yàn)可以看出，Cascode GaN HEMT具有明顯的效率優(yōu)勢。因此，將Cascode GaN HEMT應(yīng)用于高壓場合變換器，可以提高變換器的效率。最后給出了基于GaN HEMT兩級微型光伏逆變器的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

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6 結(jié)論

GaN寬禁帶半導(dǎo)體被認(rèn)為是發(fā)展高溫、高頻、高功率、抗轄射的第三代功率半導(dǎo)體器件的最優(yōu)選材料。研究GaN器件的應(yīng)用特性及電路優(yōu)化設(shè)計(jì)，己成為當(dāng)前國際上半導(dǎo)體器件應(yīng)用研究最前沿領(lǐng)域之一。本文針對可應(yīng)用于微型光伏逆變系統(tǒng)的增強(qiáng)型GaN HEMT、Cascode GaN HEMT器件特性及其應(yīng)用中的保護(hù)電路設(shè)計(jì)和電路布局設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究，并提出了相應(yīng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化方法。
1、根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)可以分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。本文首先對增強(qiáng)型GaN HEMT、Cascode GaN HEMT結(jié)構(gòu)及其工作原理進(jìn)行了分析，歸納了增強(qiáng)型GaN HEMT和Cascode GaN HEMT的工作模態(tài)，探討了 GaN HEMT不同工作模態(tài)出現(xiàn)的條件。文中詳細(xì)研究了增強(qiáng)型GaN HEMT的輸入(驅(qū)動)特性和輸出特性。鑒于GaN HEMT器件輸出特性不同于Si MOSFET且增強(qiáng)型GaN HEMT和Cascode GaN HEMT器件手冊關(guān)于器件輸出特性參數(shù)不完善的現(xiàn)狀，本文給出了不同類別的GaN HEMT的全范圍輸出伏安特性曲線。文中重點(diǎn)研究了增強(qiáng)型GaN HEMT的反向?qū)ㄌ匦�，提出了在增�?qiáng)型GaNHEMT反向?qū)〞r(shí)，通過施加正向柵-源電壓改善增強(qiáng)型GaN HEMT反向?qū)ü軌航档姆椒�，并在LLC諧振電路中進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。

2、本文分析了影響增強(qiáng)型GaN HEMT驅(qū)動電路的因素及驅(qū)動回路參數(shù)的選取原則，并提出了提高增強(qiáng)型GaN HEMT驅(qū)動回路性能的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法：1)選取驅(qū)動隔離性能優(yōu)異的數(shù)字隔離芯片，增強(qiáng)驅(qū)動信號的抗擾度。2)增大隔離芯片輸入輸出側(cè)的絕緣距離，隔離芯片下方無PCB走線及過孔等。3)驅(qū)動電路電阻電容等無源器件選取0402或更小封裝，以減小驅(qū)動回路長度。4)盡量減小驅(qū)動芯片與GaN HEMT開關(guān)管的距離，減小引線電感。5)采用4層板PCB,增加GaNHEMT源極的覆銅面積，降低驅(qū)動回路引線電感，降低驅(qū)動回路面積。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，根據(jù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方法優(yōu)化后驅(qū)動電壓穩(wěn)定無振蕩過沖現(xiàn)象，可保證電路在開關(guān)頻率500kHz下穩(wěn)定工作。

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參考文獻(xiàn)（略）

本文編號：43489