噻吩甲酸易氧化嗎_噻吩怎么讀_一種可紫外光固化的聚噻吩衍生物導電高分子材料的制備方法
本文關鍵詞:噻吩衍生物,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
專利類型: 發(fā)明專利
申請(專利)號: CN201310567995.5
申請日期: 2013年11月14日
公開(公告)日: 2014年2月19日
公開(公告)號: CN103588961A
主分類號: C08G61/12,C08G61/00,C,C08,C08G,C08G61
分類號: C08G61/12,C08G61/00,C07D333/24,C07D333/00,C,C08,C07,C08G,C07D,C08G61,C07D333,C08G61/12,C08G61/00,C07D333/24,C07D333/00
申請(專利權)人: 江南大學
發(fā)明(設計)人: 袁妍,張煜霖,劉仁,劉曉亞
主申請人地址: 214122 江蘇省無錫市濱湖區(qū)蠡湖大道1800號
專利代理機構: 無錫市大為專利商標事務所 32104
代理人: 殷紅梅
國別省市代碼: 江蘇;32
主權項: ?一種可紫外光固化的聚噻吩衍生物導電高分子材料的制備方法,其特征是步驟為:(1)噻吩衍生物單體的制備:在惰性氣體的保護下,將二異氰酸酯與3位上帶有羥基或氨基的噻吩衍生物按照羥基摩爾比1:1混合成為反應體,并加入按反應體總重量計0.04%?0.18%的金屬錫化合物催化劑,在第一溶劑存在下,冰水浴中反應2?4h;再升溫至50?70℃,繼續(xù)反應4?7h,獲得帶有異氰酸根基團的噻吩衍生物;繼續(xù)在反應體中加入一端帶有羥基或氨基、一端帶有紫外光敏基團的化合物,及按反應體雙鍵摩爾數(shù)計,摩爾數(shù)為0.1%?0.5%的阻聚劑,保證其與二異氰酸酯的摩爾比為1:1,保持在70?80℃,在惰性氣體和第二溶劑存在下反應7?12h,獲得帶有可紫外光固化光敏基團的噻吩衍生物單體;(2)聚合物的制備:在有機溶劑中加入步驟(1)制備的噻吩衍生物單體,,在催化劑作用下以轉速500?2500r/min攪拌反應8?16h,催化劑與噻吩衍生物單體的摩爾比為1:1?5,隨后加入有機溶劑體積量10?15倍的甲醇沉降4?7次,后得到可紫外光固化聚噻吩衍生物導電材料。
法律狀態(tài): 公開,公開
本文關鍵詞:噻吩衍生物,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號:80469
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