抗性淀粉具備抗消化、穩(wěn)定血糖的獨特生理功能,該優(yōu)點獲得國內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注,引起了食品科學(xué)界研究的極大興趣,成為近年來該領(lǐng)域內(nèi)的研究熱點。文章采用電子束輻照技術(shù),進行苦蕎高抗性淀粉的制備。以單因素試驗為基礎(chǔ),研究輻照劑量、輻照時間和淀粉粒徑對抗性淀粉含量和抗消化性的影響,并通過響應(yīng)面法建立各因素與抗性淀粉含量關(guān)系的數(shù)學(xué)回歸模型,旨在探明電子束輻照法制備苦蕎高抗性淀粉最佳工藝參數(shù),為獲得高抗消化性苦蕎淀粉探索新途徑。研究結(jié)果表明,電子束輻照法制備苦蕎高抗性淀粉最佳工藝參數(shù)為:輻照劑量3 kGy、輻照時間15 s、淀粉粒徑100目,在該條件下,苦蕎抗性淀粉含量達27.4%,符合理論預(yù)測值（27.6%）。和原苦蕎麥相比,電子束輻照法處理苦蕎抗性淀粉的抗消化性提高了12.5%。證明電子束輻照法不僅可以提高苦蕎抗性淀粉含量,同時也能提高苦蕎抗性淀粉的抗消化性。 

【文章來源】：食品科技. 2020,45(12)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

輻照劑量對抗性淀粉含量的影響

圖1 輻照劑量對抗性淀粉含量的影響由圖1可知,抗性淀粉含量一直呈現(xiàn)下降趨勢,先緩慢后迅速。一開始試驗輻照劑量為2 kGy時,抗性淀粉含量達到最高值21.6%,但輻照劑量為2 kGy和4 kGy時抗性淀粉含量相差不大,在達到4 kGy時后隨即出現(xiàn)明顯的下降趨勢。這說明輻照劑量過高時不利于抗性淀粉的形成,且當輻照劑量超過10 kGy時會對食品的營養(yǎng)品質(zhì)造成相應(yīng)的影響。輻照會使淀粉中的羧基含量和直鏈淀粉浸出均勻增加,而溶脹因子和表觀直鏈淀粉含量均有所下降,短和長支鏈淀粉以及平均鏈長隨輻照劑量的增加而增加,相對結(jié)晶度、顆粒表面有序度和糊化焓降低[17]。

淀粉粒徑對抗性淀粉含量的影響結(jié)果見圖3。由圖3可知,抗性淀粉含量隨粉碎粒徑先上升后下降,變化趨勢較緩。當輻照劑量達到100目時達到最高值19.8%,隨即出現(xiàn)緩慢下降趨勢。這說明粉碎粒徑對抗性淀粉含量的影響相對較小,過高或過低都不利于抗性淀粉的形成。不同的粉碎粒徑代表著淀粉顆粒直徑大小的不同,研磨使淀粉晶體結(jié)構(gòu)受到破壞,淀粉顆粒呈非晶化狀態(tài),顆粒內(nèi)部分子鏈有序排列程度下降,對鏈體結(jié)構(gòu)均有所影響[19]。因此為滿足試驗篩選的需要,將100目的粉碎粒徑作為最適粒徑。

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3621305