薄膜材料制備原理、技術及應用知識點.doc
本文關鍵詞:材料制備原理,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
文檔名稱:薄膜材料制備原理、技術及應用知識點.doc
格式:doc 大。0.11MB 總頁數(shù):6
可免費閱讀頁數(shù):6頁
下載源文檔需要:15元人民幣
預覽與實際下載的一致,文檔內容不會超過預覽的范圍,下載前請務必先預覽,自行甄別內容是否完整、是否存在文不對題等情況(本網站為文檔分享平臺性質),一旦付費下載,本站不支持退款
下載文檔
文檔介紹:薄膜材料制備原理、技術及應用知識點名詞解釋1.氣體分子的平均自由程:自由程是指一個分子與其它分子相繼兩次碰撞之間,經過的直線路程。對個別分子而言,自由程時長時短,但大量分子的自由程具有確定的統(tǒng)計規(guī)律。氣體分子相繼兩次碰撞間所走路程的平均值。2.物理氣相沉積(PVD):物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition,PVD)技術表示在真空條件下,采用物理方法,,將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子,并通過低壓氣體(或等離子體)過程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。物理氣相沉積的主要方法有,真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜,及分子束外延等。發(fā)展到目前,物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。3.化學氣相沉積(CVD):化學氣相沉積(Chemicalvapordeposition,簡稱CVD)是反應物質在氣態(tài)條件下發(fā)生化學反應,生成固態(tài)物質沉積在加熱的固態(tài)基體表面,進而制得固體材料的工藝技術。它本質上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質過程。4.等離子體鞘層電位:等離子區(qū)與物體表面的電位差值ΔVp即所謂的鞘層電位。在等離子體中放入一個金屬板,由于電子和離子做熱運動,而電子比離子的質量小,熱速度就比離子大,先到達金屬板,這樣金屬板帶上負電,板附近有一層離子,于是形成了一個小局域電場,該電場加速了離子,減速電子,最終穩(wěn)定了以后,就形成了鞘層結構,該金屬板穩(wěn)定后具有一個電勢,稱為懸浮電位。5.濺射產額:即單位入射離子轟擊靶極濺出原子的平均數(shù),與入射離子的能量有關。6.自偏壓效應:在射頻電場起作用的同時,靶材會自動地處于一個負電位下,導致氣體離子對其產生自發(fā)的轟擊和濺射。7.磁控濺射:在二極濺射中增加一個平行于靶表面的封閉磁場,借助于靶表面上形成的正交電磁場,把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來增強
本文關鍵詞:材料制備原理,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號:388210
本文鏈接:http://sikaile.net/wenshubaike/dxkc/388210.html