本文關鍵詞： 電針 缺血性腦卒中 學習記憶 局部一致性 突觸可塑性 微小RNA　出處：《福建中醫(yī)藥大學》2017年博士論文　論文類型：學位論文

【摘要】：目的探討電針"百會"、"神庭"穴對缺血性腦卒中模型大鼠學習記憶功能以及靜息態(tài)功能磁共振成像(resting-state fumctional magnetic resonance imaging,rs-fMRI)的影響。在神經(jīng)影像學的基礎之上,探討腦區(qū)突觸結構和功能的可塑性變化,并進一步基于microRNA(miRNA)組學探討其分子生物學機制。方法1.根據(jù)隨機數(shù)字表法:將SPF級雄性sprague dawley(SD)大鼠隨機分為假手術組和缺血性腦卒中造模組,然后依據(jù)干預前神經(jīng)功能缺損評分和行為學結果將大鼠隨機分為3組,模型組、電針組和非穴組。2.復制缺血性腦卒中大鼠模型,術后第2天開始取"百會"、"神庭"穴及非經(jīng)非穴實施電針干預,電壓峰值為6 V,疏密波,頻率2/20 Hz,每次治療30 min,1次/天,共14天;3.干預前后各組大鼠采用跳臺實驗檢測其學習記憶功能;干預后采用Morris水迷宮檢測其空間學習記憶能力;4.采用小動物rs-fMRI掃描以及腦區(qū)BOLD信號局部一致性(regional homogeneity,ReHo)分析各組大鼠神經(jīng)細胞活動變化;5.采用高爾基染色(Golgi)觀察各組大鼠神經(jīng)突觸和樹突棘形態(tài)變化,以及場電位電生理檢測各組大鼠長時程增強(long-termpotentiation,LTP)反應;6.采用Western blotting法檢測學習記憶相關蛋白的表達和磷酸化水平;7.采用miRNA芯片檢測miRNAs的差異表達,以及靶基因預測和信號轉(zhuǎn)導通路分析,實時熒光定量PCR法驗證miRNA表達水平。結果1.本研究發(fā)現(xiàn)干預前,模型組、電針組和非穴組跳臺實驗觀察的學習記憶行為學三組之間無統(tǒng)計學差異(P0.05);干預后,電針組相對模型組、非穴組大鼠跳臺實驗和Morris水迷宮觀察的潛伏期縮短(P0.05)。2.采用T2WI發(fā)現(xiàn)缺血性模型大鼠海馬、內(nèi)嗅皮層、運動皮層、感覺皮層、背側丘腦和紋狀體等腦區(qū)出現(xiàn)梗死,而電針"百會"、"神庭"穴減少其腦區(qū)梗死體積(P0.05);3.對各組大鼠進行rs-fMRI分析,發(fā)現(xiàn)缺血性腦卒中模型大鼠BOLD信號局部一致性降低的腦區(qū)包括雙側杏仁核、雙側海馬、雙側內(nèi)嗅皮層、雙側島葉皮層、雙側梨狀皮質(zhì)、雙側感覺皮層、雙側運動皮層、雙側扣帶回、雙側背側丘腦、左側聽覺皮層和左側紋狀體(P0.005)。而電針干預后雙側杏仁核、雙側海馬、右側島葉皮層、雙側內(nèi)嗅皮層、右側梨狀皮層和右側感覺皮層BOLD信號局部一致性升高(P0.005);非穴干預后左側杏仁核、左側梨狀皮質(zhì)和左側紋狀體BOLD信號局部一致性升高(P0.005);4.選擇學習記憶相關腦區(qū)海馬CA1、內(nèi)嗅皮層進一步分析其突觸可塑性變化,低倍視野下顯示缺血性腦卒中模型大鼠海馬CA1、內(nèi)嗅皮層樹突棘脫落、萎縮,排列紊亂;而電針治療后其病理損傷程度緩解。高倍視野下電針治療后缺血性腦卒中模型大鼠樹突棘的分支、數(shù)量和密度均增加(P0.05);5.突觸功能可塑性檢測發(fā)現(xiàn)缺血性腦卒中模型大鼠在HFS誘導后缺血側海馬CA3-CA1和內(nèi)嗅皮層-海馬CA1的興奮性突觸后電位(fEPSP)斜率的百分比均下降(P0.05);而電針治療后其fEPSP斜率的百分比增加(P0.05),突觸后膜相關學習記憶蛋白AMPA受體、NMDA受體的磷酸化水平升高(P0.05);6.缺血側海馬CA1和內(nèi)嗅皮層進行miRNA芯片分析顯示:缺血側海馬CA1差異表達≥1.5 miRNAs共48個miRNAs(P0.05),其中36個miRNAs表達下調(diào),12個miRNAs表達上調(diào);缺血側內(nèi)嗅皮層差異表達≥1.5miRNAs共90個(P0.05),其中70個miRNAs表達下調(diào),20個miRNAs表達上調(diào);其中rno-miR-668和rno-miR-3084b-5p在缺血側海馬CA1和內(nèi)嗅皮層均表達上調(diào);而rno-miR-28,rno-miR-10a,rno-miR-let-7b,rno-miR-425,rno-miR-7b,rno-miR-154,rno-miR-540,rno-miR-let-7f-2,mo-miR-186,rno-miR-219a,mo-miR-3072,rno-miR-344a,rno-miR-190b,rno-miR-100,rno-miR-92a的表達水平在兩個腦區(qū)均下調(diào);7.對以上缺血側海馬CA1和內(nèi)嗅皮層表達均上調(diào)和下調(diào)的miRNAs進行靶基因預測和信號轉(zhuǎn)導通路分析,發(fā)現(xiàn)富集分高的cGMP-PKG信號通路(P0.05)與學習記憶功能密切相關,通過生物信息學預測和體外證實miR-219a負調(diào)控cGMP-PKG信號通路關鍵節(jié)點PRKG2靶基因(P0.01);8.對miR-219a進行在體功能分析,發(fā)現(xiàn)miR-219amimics可以阻斷電針"百會"、"神庭"穴下調(diào)miR-219a的表達水平,并影響PRKG2下游CREB的磷酸化,進而減少學習記憶即刻早期基因c-fos和c-jun的蛋白表達(P0.05)。結論1.電針"百會"、"神庭"穴治療缺血性腦卒中模型大鼠14天,提高大鼠學習記憶能力,減少海馬、內(nèi)嗅皮層的梗死體積,增強海馬、內(nèi)嗅皮層BOLD信號局部一致性,提示腦卒中模型大鼠學習記憶能力的改善與海馬、內(nèi)嗅皮層結構和功能損傷的修復相關。2.電針"百會"、"神庭"穴促進缺血性腦卒中模型大鼠缺血側海馬、內(nèi)嗅皮層樹突棘形態(tài)的修復和易化海馬CA3-CA1和內(nèi)嗅皮層-海馬CA1的LTP反應,促進突觸結構和功能的可塑性。3.電針"百會"、"神庭"穴抑制腦卒中模型大鼠miR-219a的表達,上調(diào)靶基因PRKG2,促進下游CREB的磷酸化,從而促使學習記憶相關蛋白c-fos和c-jun的合成。
[Abstract]:......
【學位授予單位】：福建中醫(yī)藥大學
【學位級別】：博士
【學位授予年份】：2017
【分類號】：R245

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本文編號：1547418