InAs/GaAs半導體量子點（quantum dots,QDs）許多獨特的物理性質(zhì),已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于開發(fā)新一代光電子器件,深入研究InAs量子點的光電特性以及內(nèi)部載流子的動力學機制,對于提高和優(yōu)化各類InAs量子點光電器件的性能具有重要意義。本文將銻（Sb）元素分別加入到InAs/GaAs半導體量子點材料的緩沖層表面、量子點內(nèi)和覆蓋層中等不同位置,利用熒光發(fā)射譜（Photoluminescence,PL）、熒光激發(fā)譜（Photoluminescence excitation spectrum,PLE）、時間分辨熒光譜（Time-Resolved Photoluminescence,TRPL）等光譜技術(shù)系統(tǒng)的研究比較了以上量子點納米材料的光致熒光特性和光生載流子動力學過程,探討了Sb元素對InAs/GaAs量子點光學性質(zhì)的改性作用及內(nèi)含物理機理。主要研究包括以下三部分:（1）研究了Sb₂束流噴射GaAs緩沖層生長界面對InAs量子點特性的影響。在0.013 ML/s的慢InAs生長條件下,隨Sb₂束流噴射時間從0秒增加到100秒,量子點的高度... 

【文章來源】：河北大學河北省

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

MBE設(shè)備原理示意圖

W）模式以及島狀生長（VW）模式之間的一種先層狀生長后島狀生長的生長模式，如圖2-2所示。以InAs/GaAs量子點材料為例，由于二者之間較大的晶格失配度（約7%），InAs首先在清潔的GaAs襯底上以層狀方式生長，通過彈性形變來適應(yīng)兩種材料之間的晶格失配。由于應(yīng)力不斷積累增加，當薄膜沉積到一定厚度時，超過臨界點，生長方式轉(zhuǎn)變?yōu)閸u狀生長，形成InAs量子點（QDs）。InAs/GaAs量子點生長的臨界厚度為1.6原子層（Monolayer，ML），在生長初期形成的較薄的層狀結(jié)構(gòu)就是量子點的浸潤層（wettinglayer,WL）[1,40]。圖2-2InAs/GaAs量子點的S-K生長模式示意圖GaAs襯底GaAs襯底GaAs襯底浸潤層（WL）InAs量子點（QD）

W）模式以及島狀生長（VW）模式之間的一種先層狀生長后島狀生長的生長模式，如圖2-2所示。以InAs/GaAs量子點材料為例，由于二者之間較大的晶格失配度（約7%），InAs首先在清潔的GaAs襯底上以層狀方式生長，通過彈性形變來適應(yīng)兩種材料之間的晶格失配。由于應(yīng)力不斷積累增加，當薄膜沉積到一定厚度時，超過臨界點，生長方式轉(zhuǎn)變?yōu)閸u狀生長，形成InAs量子點（QDs）。InAs/GaAs量子點生長的臨界厚度為1.6原子層（Monolayer，ML），在生長初期形成的較薄的層狀結(jié)構(gòu)就是量子點的浸潤層（wettinglayer,WL）[1,40]。圖2-2InAs/GaAs量子點的S-K生長模式示意圖GaAs襯底GaAs襯底GaAs襯底浸潤層（WL）InAs量子點（QD）

【參考文獻】：
期刊論文
[1]量子點制備方法的研究進展[J]. 王憶鋒.  紅外. 2008(11)



本文編號：3612380