發(fā)布時(shí)間：2021-12-30 12:50

　　高功率脈沖光纖激光器由于其在光纖通信、生物醫(yī)學(xué)、工業(yè)制造、國防軍事以及非線性光學(xué)等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而受到廣泛關(guān)注。被動(dòng)鎖模技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高功率脈沖輸出的有效方式之一。而可飽和吸收體（SA）作為被動(dòng)鎖模光纖激光器的核心器件更是成為目前國際上的研究熱點(diǎn)。在過去的幾十年中,半導(dǎo)體可飽和吸收鏡（SESAM）作為最成熟的商用可飽和吸收器件已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于鎖模光纖激光器中。然而,SESAM具有吸收帶寬窄、制備工藝復(fù)雜以及價(jià)格昂貴等缺點(diǎn),這也限制了其進(jìn)一步地應(yīng)用與發(fā)展。近年來,隨著石墨烯的出現(xiàn),各種新型二維材料如過渡金屬硫化物（TMDs）、拓?fù)浣^緣體（TIs）、黑磷（BP）等紛紛興起,由于其具有優(yōu)異的可飽和吸收特性而被廣泛用于被動(dòng)鎖模光纖激光器的研究中。而二維材料可飽和吸收體的損傷閾值是決定其能否實(shí)現(xiàn)高功率脈沖輸出的重要參數(shù)之一。因此提升可飽和吸收體的損傷閾值是實(shí)現(xiàn)鎖模光纖激光器高功率輸出的關(guān)鍵。本論文主要針對如何提高二維材料可飽和吸收體的損傷閾值提出了相應(yīng)的解決方案,詳細(xì)介紹了基于硒化鉍（Bi₂Se₃）和硒化銦（In₂Se_3<... 

【文章來源】：山東師范大學(xué)山東省

【文章頁數(shù)】：66 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

幾種典型的二維納米材料[21]

山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文20圖2-3（a）亮孤子的非線性薛定諤方程解[49]（b）亮孤子的演化[49]2.3.2暗孤子圖2-4（a）暗孤子的非線性薛定諤方程解[49]（b）暗孤子的演化[49]1973年，Zakharov和Shabat通過求解非線性薛定諤方程首次得到了暗孤子的解[50]。暗孤子是形成于光纖的正色散區(qū)在連續(xù)波背景上的一個(gè)局部下陷。當(dāng)20時(shí)通過求解非線性薛定諤方程可以得到暗孤子的基本解，如圖2-4所示。在對暗孤子進(jìn)行了大量的理論分析和數(shù)值模擬的基礎(chǔ)上，1988年，A.M.Weiner等人首次通過實(shí)驗(yàn)在光纖中觀察到了暗孤子[51]。但是在鎖模光纖激光器中仍然沒有觀測到暗孤子現(xiàn)象。2002年，T.Sylvestre等人通過理論和實(shí)驗(yàn)研究了在所謂的自感應(yīng)調(diào)制不穩(wěn)定性激光器中獲得的暗脈沖序列，并表明其鎖模機(jī)制依賴于耗散四波混頻過程[52]。2009年，張晗等人首次在全正色散的摻鉺鎖模光纖激光器中觀察到了暗脈沖操作[53]，并且指出了在足夠強(qiáng)的泵浦功率下，激光腔中形成的暗孤子會(huì)聚集在一起并形成巨大的暗脈沖。相比于亮孤子，在

山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文20圖2-3（a）亮孤子的非線性薛定諤方程解[49]（b）亮孤子的演化[49]2.3.2暗孤子圖2-4（a）暗孤子的非線性薛定諤方程解[49]（b）暗孤子的演化[49]1973年，Zakharov和Shabat通過求解非線性薛定諤方程首次得到了暗孤子的解[50]。暗孤子是形成于光纖的正色散區(qū)在連續(xù)波背景上的一個(gè)局部下陷。當(dāng)20時(shí)通過求解非線性薛定諤方程可以得到暗孤子的基本解，如圖2-4所示。在對暗孤子進(jìn)行了大量的理論分析和數(shù)值模擬的基礎(chǔ)上，1988年，A.M.Weiner等人首次通過實(shí)驗(yàn)在光纖中觀察到了暗孤子[51]。但是在鎖模光纖激光器中仍然沒有觀測到暗孤子現(xiàn)象。2002年，T.Sylvestre等人通過理論和實(shí)驗(yàn)研究了在所謂的自感應(yīng)調(diào)制不穩(wěn)定性激光器中獲得的暗脈沖序列，并表明其鎖模機(jī)制依賴于耗散四波混頻過程[52]。2009年，張晗等人首次在全正色散的摻鉺鎖模光纖激光器中觀察到了暗脈沖操作[53]，并且指出了在足夠強(qiáng)的泵浦功率下，激光腔中形成的暗孤子會(huì)聚集在一起并形成巨大的暗脈沖。相比于亮孤子，在

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3558229