PVDF/LCSMO異質(zhì)結(jié)的制備及其特性研究
發(fā)布時(shí)間：2021-12-16 07:56
鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的多鐵體和復(fù)合結(jié)構(gòu)的磁電材料一直是材料界和物理界研究的熱點(diǎn)。由于其屬于強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系擁有豐富的物理性能,可以應(yīng)用在高密度動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）、非揮發(fā)性鐵電存儲(chǔ)器（Fe RAM）、光波導(dǎo)、熱釋電傳感器、微機(jī)電耦合器件等很多方面。但由于很多傳統(tǒng)的鐵電材料制備溫度太高很難實(shí)現(xiàn)和硅工藝完全兼容和集成,器件尺寸接近量子極限等一些關(guān)鍵技術(shù)有待解決。而有機(jī)鐵電聚合物由于其成本低、制備容易,鐵電性能優(yōu)良而受到人們的廣泛關(guān)注。對(duì)于此,作者提出了有機(jī)鐵電材料結(jié)合鈣鈦礦型磁性氧化物來復(fù)合制備磁電耦合材料,利用有機(jī)鐵電材料電極化來調(diào)控磁各向異性。使磁電互控真正應(yīng)用到實(shí)際當(dāng)中。因?yàn)榇烹姴牧显谶壿嬈骷�、存�?chǔ)器件、磁傳感器件等領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用價(jià)值。作者的成果為這個(gè)領(lǐng)域開辟了新的思路,以便人們更加深刻的理解其物理內(nèi)涵。本文主要分為三章,從背景的介紹到材料的制備,然后是異質(zhì)結(jié)構(gòu)的合成測(cè)試,最后是現(xiàn)象機(jī)理分析。第一章對(duì)傳統(tǒng)的鈣鈦礦型多鐵性材料的研究歷史做了簡(jiǎn)單的介紹,包括鈣鈦礦的結(jié)構(gòu)和鐵性的起源。談到了磁電耦合材料和機(jī)理。在這一章最后具體介紹現(xiàn)代幾種制備納米級(jí)別薄膜的方法。第二章用LB的方法制備了有機(jī)鐵電聚合P...
【文章來源】：東華大學(xué)上海市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】：53 頁
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【部分圖文】：
(a)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)單元(b)正氧八面體及其二重、三重、四重對(duì)稱軸
圖 1-3 多鐵材料中各序參量之間的耦合關(guān)系鐵電之間的磁電耦合就可以實(shí)現(xiàn)磁、電之間的互相調(diào)控。場(chǎng)來調(diào)控鐵電材料，反之，我們也可以利用電場(chǎng)來調(diào)控鐵最主要問題就是電場(chǎng)對(duì)磁性的調(diào)控，因?yàn)楝F(xiàn)代信息存儲(chǔ)需要電場(chǎng)對(duì)材料磁性的調(diào)控。“電寫/磁讀”的這種技術(shù)保留器的優(yōu)點(diǎn)，而避免了各自的缺點(diǎn)，從而可實(shí)現(xiàn)高速、低功儲(chǔ)方式。然而，從多鐵材料的發(fā)現(xiàn)到相關(guān)概念的提出，許磁電耦合效應(yīng)都十分的弱以至于都無法實(shí)現(xiàn)實(shí)際應(yīng)用。耦合效應(yīng)和多鐵材料的微觀機(jī)理的理解也十分有限。直到共存的鐵性材料做出了詳細(xì)的解釋。他表明：在同種材料生的互斥性質(zhì)。鐵磁性的產(chǎn)生需要原子具有未填滿的 3d則傾向于 3d 軌道為填滿或全空的狀態(tài)，以利于共價(jià)鍵的中心，所以在同一種單相材料中，鐵電性和鐵磁性是很難體系中就不存在上述的限制條件，并且單一的鐵磁或鐵電
圖 1-4 脈沖激光沉積模型圖PLD 的優(yōu)點(diǎn)主要有：1、易獲得與靶材具有相同計(jì)量比的薄膜，具有良好的保成分性。2、沉積速率高、實(shí)驗(yàn)周期短，襯底溫度要求低，沉積效率高，制備薄膜覆蓋均勻。3、工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié)，對(duì)靶材的種類沒有限制。當(dāng)然 PLD 也有一些劣勢(shì)，比如目前不能大面積制備，生長(zhǎng)條件很難精確控制重復(fù)性較差。1.4 鐵電薄膜的應(yīng)用1.4.1 非揮發(fā)性鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器隨著通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、信息產(chǎn)業(yè)等快速發(fā)展，如何對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)已成為科技界研究的重點(diǎn)。在 1952 年 Anderson 首次提出了鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)這
【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]La2/3Ca1/3MnO3薄膜的光致電阻率變化特性[J]. 汪世林,陳長(zhǎng)樂,王躍龍,金克新,王永倉(cāng),任韌,宋宙模,袁孝. 物理學(xué)報(bào). 2004(02)
博士論文
[1]PZT鐵電存儲(chǔ)器的研究[D]. 蔡道林.電子科技大學(xué) 2008
本文編號(hào)：3537778
【文章來源】：東華大學(xué)上海市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】：53 頁
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【部分圖文】：
(a)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)單元(b)正氧八面體及其二重、三重、四重對(duì)稱軸
圖 1-3 多鐵材料中各序參量之間的耦合關(guān)系鐵電之間的磁電耦合就可以實(shí)現(xiàn)磁、電之間的互相調(diào)控。場(chǎng)來調(diào)控鐵電材料，反之，我們也可以利用電場(chǎng)來調(diào)控鐵最主要問題就是電場(chǎng)對(duì)磁性的調(diào)控，因?yàn)楝F(xiàn)代信息存儲(chǔ)需要電場(chǎng)對(duì)材料磁性的調(diào)控。“電寫/磁讀”的這種技術(shù)保留器的優(yōu)點(diǎn)，而避免了各自的缺點(diǎn)，從而可實(shí)現(xiàn)高速、低功儲(chǔ)方式。然而，從多鐵材料的發(fā)現(xiàn)到相關(guān)概念的提出，許磁電耦合效應(yīng)都十分的弱以至于都無法實(shí)現(xiàn)實(shí)際應(yīng)用。耦合效應(yīng)和多鐵材料的微觀機(jī)理的理解也十分有限。直到共存的鐵性材料做出了詳細(xì)的解釋。他表明：在同種材料生的互斥性質(zhì)。鐵磁性的產(chǎn)生需要原子具有未填滿的 3d則傾向于 3d 軌道為填滿或全空的狀態(tài)，以利于共價(jià)鍵的中心，所以在同一種單相材料中，鐵電性和鐵磁性是很難體系中就不存在上述的限制條件，并且單一的鐵磁或鐵電
圖 1-4 脈沖激光沉積模型圖PLD 的優(yōu)點(diǎn)主要有：1、易獲得與靶材具有相同計(jì)量比的薄膜，具有良好的保成分性。2、沉積速率高、實(shí)驗(yàn)周期短，襯底溫度要求低，沉積效率高，制備薄膜覆蓋均勻。3、工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié)，對(duì)靶材的種類沒有限制。當(dāng)然 PLD 也有一些劣勢(shì)，比如目前不能大面積制備，生長(zhǎng)條件很難精確控制重復(fù)性較差。1.4 鐵電薄膜的應(yīng)用1.4.1 非揮發(fā)性鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器隨著通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、信息產(chǎn)業(yè)等快速發(fā)展，如何對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)已成為科技界研究的重點(diǎn)。在 1952 年 Anderson 首次提出了鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)這
【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]La2/3Ca1/3MnO3薄膜的光致電阻率變化特性[J]. 汪世林,陳長(zhǎng)樂,王躍龍,金克新,王永倉(cāng),任韌,宋宙模,袁孝. 物理學(xué)報(bào). 2004(02)
博士論文
[1]PZT鐵電存儲(chǔ)器的研究[D]. 蔡道林.電子科技大學(xué) 2008
本文編號(hào)：3537778
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