PVDF/LCSMO異質結的制備及其特性研究
發(fā)布時間:2021-12-16 07:56
鈣鈦礦結構的多鐵體和復合結構的磁電材料一直是材料界和物理界研究的熱點。由于其屬于強關聯(lián)體系擁有豐富的物理性能,可以應用在高密度動態(tài)存儲器(DRAM)、非揮發(fā)性鐵電存儲器(Fe RAM)、光波導、熱釋電傳感器、微機電耦合器件等很多方面。但由于很多傳統(tǒng)的鐵電材料制備溫度太高很難實現(xiàn)和硅工藝完全兼容和集成,器件尺寸接近量子極限等一些關鍵技術有待解決。而有機鐵電聚合物由于其成本低、制備容易,鐵電性能優(yōu)良而受到人們的廣泛關注。對于此,作者提出了有機鐵電材料結合鈣鈦礦型磁性氧化物來復合制備磁電耦合材料,利用有機鐵電材料電極化來調控磁各向異性。使磁電互控真正應用到實際當中。因為磁電材料在邏輯器件、存儲器件、磁傳感器件等領域具有很大的應用價值。作者的成果為這個領域開辟了新的思路,以便人們更加深刻的理解其物理內涵。本文主要分為三章,從背景的介紹到材料的制備,然后是異質結構的合成測試,最后是現(xiàn)象機理分析。第一章對傳統(tǒng)的鈣鈦礦型多鐵性材料的研究歷史做了簡單的介紹,包括鈣鈦礦的結構和鐵性的起源。談到了磁電耦合材料和機理。在這一章最后具體介紹現(xiàn)代幾種制備納米級別薄膜的方法。第二章用LB的方法制備了有機鐵電聚合P...
【文章來源】:東華大學上海市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:53 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
(a)鈣鈦礦結構單元(b)正氧八面體及其二重、三重、四重對稱軸
圖 1-3 多鐵材料中各序參量之間的耦合關系鐵電之間的磁電耦合就可以實現(xiàn)磁、電之間的互相調控。場來調控鐵電材料,反之,我們也可以利用電場來調控鐵最主要問題就是電場對磁性的調控,因為現(xiàn)代信息存儲需要電場對材料磁性的調控�!半妼�/磁讀”的這種技術保留器的優(yōu)點,而避免了各自的缺點,從而可實現(xiàn)高速、低功儲方式。然而,從多鐵材料的發(fā)現(xiàn)到相關概念的提出,許磁電耦合效應都十分的弱以至于都無法實現(xiàn)實際應用。耦合效應和多鐵材料的微觀機理的理解也十分有限。直到共存的鐵性材料做出了詳細的解釋。他表明:在同種材料生的互斥性質。鐵磁性的產生需要原子具有未填滿的 3d則傾向于 3d 軌道為填滿或全空的狀態(tài),以利于共價鍵的中心,所以在同一種單相材料中,鐵電性和鐵磁性是很難體系中就不存在上述的限制條件,并且單一的鐵磁或鐵電
圖 1-4 脈沖激光沉積模型圖PLD 的優(yōu)點主要有:1、易獲得與靶材具有相同計量比的薄膜,具有良好的保成分性。2、沉積速率高、實驗周期短,襯底溫度要求低,沉積效率高,制備薄膜覆蓋均勻。3、工藝參數(shù)任意調節(jié),對靶材的種類沒有限制。當然 PLD 也有一些劣勢,比如目前不能大面積制備,生長條件很難精確控制重復性較差。1.4 鐵電薄膜的應用1.4.1 非揮發(fā)性鐵電隨機存儲器隨著通信設備、計算機、信息產業(yè)等快速發(fā)展,如何對大量數(shù)據(jù)進行存儲已成為科技界研究的重點。在 1952 年 Anderson 首次提出了鐵電存儲器(FRAM)這
【參考文獻】:
期刊論文
[1]La2/3Ca1/3MnO3薄膜的光致電阻率變化特性[J]. 汪世林,陳長樂,王躍龍,金克新,王永倉,任韌,宋宙模,袁孝. 物理學報. 2004(02)
博士論文
[1]PZT鐵電存儲器的研究[D]. 蔡道林.電子科技大學 2008
本文編號:3537778
【文章來源】:東華大學上海市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:53 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
(a)鈣鈦礦結構單元(b)正氧八面體及其二重、三重、四重對稱軸
圖 1-3 多鐵材料中各序參量之間的耦合關系鐵電之間的磁電耦合就可以實現(xiàn)磁、電之間的互相調控。場來調控鐵電材料,反之,我們也可以利用電場來調控鐵最主要問題就是電場對磁性的調控,因為現(xiàn)代信息存儲需要電場對材料磁性的調控�!半妼�/磁讀”的這種技術保留器的優(yōu)點,而避免了各自的缺點,從而可實現(xiàn)高速、低功儲方式。然而,從多鐵材料的發(fā)現(xiàn)到相關概念的提出,許磁電耦合效應都十分的弱以至于都無法實現(xiàn)實際應用。耦合效應和多鐵材料的微觀機理的理解也十分有限。直到共存的鐵性材料做出了詳細的解釋。他表明:在同種材料生的互斥性質。鐵磁性的產生需要原子具有未填滿的 3d則傾向于 3d 軌道為填滿或全空的狀態(tài),以利于共價鍵的中心,所以在同一種單相材料中,鐵電性和鐵磁性是很難體系中就不存在上述的限制條件,并且單一的鐵磁或鐵電
圖 1-4 脈沖激光沉積模型圖PLD 的優(yōu)點主要有:1、易獲得與靶材具有相同計量比的薄膜,具有良好的保成分性。2、沉積速率高、實驗周期短,襯底溫度要求低,沉積效率高,制備薄膜覆蓋均勻。3、工藝參數(shù)任意調節(jié),對靶材的種類沒有限制。當然 PLD 也有一些劣勢,比如目前不能大面積制備,生長條件很難精確控制重復性較差。1.4 鐵電薄膜的應用1.4.1 非揮發(fā)性鐵電隨機存儲器隨著通信設備、計算機、信息產業(yè)等快速發(fā)展,如何對大量數(shù)據(jù)進行存儲已成為科技界研究的重點。在 1952 年 Anderson 首次提出了鐵電存儲器(FRAM)這
【參考文獻】:
期刊論文
[1]La2/3Ca1/3MnO3薄膜的光致電阻率變化特性[J]. 汪世林,陳長樂,王躍龍,金克新,王永倉,任韌,宋宙模,袁孝. 物理學報. 2004(02)
博士論文
[1]PZT鐵電存儲器的研究[D]. 蔡道林.電子科技大學 2008
本文編號:3537778
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