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基于憶阻的新型超混沌電路的設(shè)計及仿真

發(fā)布時間:2021-08-21 16:05
  超混沌系統(tǒng)與普通的混沌系統(tǒng)相比具有更多的密鑰參數(shù)和更復(fù)雜的動力學(xué)行為,其隨機(jī)性和可靠性也更高,因此,超混沌系統(tǒng)在航空航天、語音保密、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有著更好的應(yīng)用前景。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn),憶阻器不僅具有獨(dú)特的非線性,還具有尺寸小、易集成、低功耗和非易失性等特點(diǎn),可用于在非線性電路中產(chǎn)生動力學(xué)行為豐富的超混沌信號,故憶阻超混沌系統(tǒng)在工程中有著重要的實(shí)際意義。因此,設(shè)計具有豐富動力學(xué)行為的憶阻超混沌系統(tǒng)具有很大的應(yīng)用價值,本文的主要工作是設(shè)計和研究新型四維憶阻超混沌系統(tǒng),主要創(chuàng)新點(diǎn)和研究成果如下:(1)在一個已知的三維系統(tǒng)中引入憶阻器,得到了一個新型四維憶阻超混沌系統(tǒng)。首先對該系統(tǒng)平衡點(diǎn)的穩(wěn)定性和Lyapunov指數(shù)譜等進(jìn)行了詳細(xì)的分析。其次,研究發(fā)現(xiàn)在不同的系統(tǒng)參數(shù)下,該系統(tǒng)可以呈現(xiàn)出周期、混沌和超混沌等狀態(tài)。最后,將Multisim中的電路仿真結(jié)果與Simulink中的數(shù)值仿真結(jié)果進(jìn)行對比,發(fā)現(xiàn)它們是吻合的,進(jìn)一步驗(yàn)證了該系統(tǒng)的正確性與可實(shí)現(xiàn)性。(2)在所設(shè)計的四維憶阻超混沌系統(tǒng)中引入?yún)?shù)可調(diào)平方函數(shù),得到了一個新型憶阻多翼超混沌系統(tǒng)。在此基礎(chǔ)上,再利用控制轉(zhuǎn)換函數(shù)設(shè)計了一個新型憶阻網(wǎng)格多翼超混... 

【文章來源】:湖南師范大學(xué)湖南省 211工程院校

【文章頁數(shù)】:87 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

基于憶阻的新型超混沌電路的設(shè)計及仿真


超混沌Lu系統(tǒng)的網(wǎng)格超混沌吸引子(84翼)

模型圖,模型,伏安特性曲線,輸入信號


基于憶阻的新型超混沌電路的設(shè)計及仿真23即為圖2-8中的a,即為圖2-8中的b,然后分別通過改變輸入信號的幅值、頻率和種類來探究這三者對憶阻器的影響。圖2-8憶阻器的Simulink模型1輸入信號幅值對憶阻器的影響當(dāng)輸入為正弦信號時,mV分別取5V,10V,15V,f固定為3rad/s,得到憶阻器的伏安特性曲線分別如圖2-9(a)、2-9(b)和2-9(c)所示。從圖中可明顯看出當(dāng)輸入為雙極性周期信號時,伏安特性曲線始終呈現(xiàn)出在原點(diǎn)緊縮的“8”字型,憶阻器的邊界也會隨著輸入信號幅值的變大而增加。(a)V-I曲線(5V)(b)V-I曲線(10V)(c)V-I曲線(15V)圖2-9不同幅值下的伏安特性曲線2輸入信號頻率對憶阻器的影響當(dāng)輸入正弦信號sin(2)mVVf時,固定幅值10VmV,頻率分別取1rad/s、5rad/s、100rad/s,得到的曲線如圖2-10所示。對比后發(fā)現(xiàn)磁滯回線的旁瓣面積是隨著輸入信號頻率的增加而減小的,并且伏安特性曲線在頻率大于某個值后會

功率譜圖,功率譜圖,分岔圖


碩士學(xué)位論文30在MTALAB中仿真得到系統(tǒng)(3-3)的頻譜圖如圖3-4所示,該連續(xù)功率譜表明系統(tǒng)處于非周期狀態(tài),峰值的出現(xiàn)代表著系統(tǒng)中有分叉現(xiàn)象發(fā)生。圖3-4功率譜圖3.3系統(tǒng)的多穩(wěn)定性3.3.1系統(tǒng)參數(shù)的影響這里探索和分析系統(tǒng)參數(shù)g的變化對系統(tǒng)的運(yùn)動狀態(tài)所產(chǎn)生的影響,選取g的范圍為2,0,繪制狀態(tài)變量x隨g變化的圖形和隨參數(shù)g變化的Lyapunov指數(shù)譜分別如圖3-5(a)和3-5(b)所示。經(jīng)過對比最后發(fā)現(xiàn)隨g變化的分岔圖與Lyapunov指數(shù)譜這兩者是一致相符的。并且系統(tǒng)在參數(shù)g的值從-2增加到0時,系統(tǒng)狀態(tài)的變化十分復(fù)雜,出現(xiàn)了周期、混沌和超混沌這幾種狀態(tài)。(a)y隨g變化的分岔圖(b)隨參數(shù)g變化的Lyapunov指數(shù)圖3-5隨參數(shù)g變化的分岔圖和Lyapunov指數(shù)譜

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]改進(jìn)窗函數(shù)下的憶阻器特性分析和研究[J]. 劉曉倩,孫巖洲,趙鐵英.  電子元件與材料. 2018(11)
[2]Multi-scroll hidden attractors and multi-wing hidden attractors in a 5-dimensional memristive system[J]. 胡曉宇,劉崇新,劉凌,姚亞鵬,鄭廣超.  Chinese Physics B. 2017(11)
[3]基于Chua電路的四維超混沌憶阻電路[J]. 楊芳艷,冷家麗,李清都.  物理學(xué)報. 2014(08)
[4]憶阻混沌振蕩器的動力學(xué)分析[J]. 包伯成,劉中,許建平.  物理學(xué)報. 2010(06)



本文編號:3355917

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