發(fā)布時間：2021-08-08 16:43

　　近年來,作為清潔能源重要組成部分的太陽能發(fā)展迅猛,各國進一步加大支持力度,加快了光伏發(fā)展壯大的步伐。例如,美國光伏協(xié)會主辦的“太陽能試點計劃”,旨在節(jié)約太陽能發(fā)電的資本,并預測在2015--2020年間到的規(guī)模和業(yè)務達到異常競爭的激烈;日本進一步提出到2020年光伏太陽能發(fā)電的28GW的總實現(xiàn)。我國國務院提出了一系列促進光伏產業(yè)發(fā)展的鼓勵性措施,如應用太陽能光伏發(fā)電建筑財政補貼管理暫行辦法,金太陽示范工程重點項目。隨著全球科學技術的不斷發(fā)展,人們對綠色能源的需求逐漸增加,因此,光伏產業(yè)作為一種新的綠色能源正在蓬勃發(fā)展,硅片切割作為光伏產業(yè)的主要工序正變得越來越重要。基于以上原因,有必要對硅片切割過程進行分析和優(yōu)化。本文對多晶硅切割的研究主要集中在以下幾個方面:（1）了解國內外硅片加工技術的研究現(xiàn)狀,在前人研究的基礎上分析硅片加工技術的機理;（2）分析影響多晶硅片切割效果的重要因素,影響進行剪切作用效果的主要原因。（3）找出影響硅片多線切割的幾個主要因素。采用實驗設計的方法,忽略一些不合理的切削過程,將一些互相影響的切削因素統(tǒng)一起來。（4）設計多線切割有限元計算模型,分析有限元計算模型的... 

【文章來源】：蘭州理工大學甘肅省

【文章頁數】：84 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

多線切割加工原理圖

在職工程碩士學位論文10存在，所以難以裂開。同時，多晶硅片切割的厚度也會隨著粘結的強度而發(fā)生變化。另外，在清理過程中，需要花費多項工作設計程序才能夠將多晶硅片清理干凈。所以，在未來的發(fā)展進程中，水溶性的乙二醇切割液將成為主流。對于運動中的鋼線和晶體硅片來說，由于兩者交互運動的方向不一致，導致碳化硅研磨運動是由多種因素的影響，例如進行切割鋼線的線速度、切割鋼線的張力作用大孝切割漿料的原料成本比例關系等等。本文將切削漿料的結合度描述為一個案例研究。切割漿料的粘結水平由切割漿料的溫度和比例決定。所以切割漿料將改變凝聚力的程度，同時，晶體的持續(xù)性也會發(fā)生變化。當切割過程中漿料的粘結度出現(xiàn)發(fā)展變化，那么切割漿料的磨削能力也會隨之改變。因此，在此晶片處理過程中，多晶硅片的接縫是由金屬絲的振動粒徑和碳化硅顆粒的直接損失來確定。如果切割絲發(fā)生橫向纏繞，切割絲的張力和切割泥的阻尼效應也會發(fā)生變化。切割絲張力一增加，切割絲的振動強度就會降低，接縫率就會降低。一般來說，每個多晶硅晶片的焊縫損耗控制范圍在150-200μm之間。2.2.2切割基本理論目前，市場上的硅片都是在加工過程中通過切割鋼絲直接實現(xiàn)多晶硅片的切割。需要注意的是，切割網的弧線是由1-5°多晶硅片的切割絲形成的。另一方面，多晶硅體的切絲產生的壓力在不同區(qū)域也不同，所以如果切絲下方的壓力最大，那么其正下方的壓力也會逐漸降低。圖2.1多線切割原理圖

在職工程碩士學位論文11圖2.2多線切割橫截面示意圖還可以通過顯微鏡技術來分析多線切割碳化硅顆粒運動、多晶硅片的運動狀態(tài)。如圖2.3所示。在顯微鏡下的碳化硅顆粒和多晶硅表面呈現(xiàn)出了不同狀態(tài)的運動現(xiàn)象，且整個交互區(qū)域都出現(xiàn)了破壞形態(tài)，說明了切割過程中的各個方向都受到了相關力的影響。另一方面，在多晶硅晶體的表面進行結構設計上會有以下幾個μm級的部分劃痕。這些劃痕可以將多晶硅晶體的表面直接研磨到碳化物顆粒上。而這種“滾-磨-削”的方式直接使得多晶硅晶體的表面產生較大的局部壓力。而松散的“劃-磨-削”磨削顆粒切割方式則會導致多晶硅晶體的表面產生劃痕�？梢姡瑑煞N處理方法存在明顯差異。圖2.3切割縫下方的光學顯微鏡圖像在切割過程中，多晶碳化硅晶體顆粒之間的壓力會逐步增大，在多晶硅的結晶體切割的塑料區(qū)域與切割線將逐漸變?yōu)橛贊{分離，這個狀態(tài)下的多晶硅材料晶體結構受到的壓力是最大的。一旦區(qū)域內的多晶硅晶體達到臨界破碎狀態(tài)，然后多晶硅晶體表面會變得不穩(wěn)定，并逐漸擴散到內部區(qū)域中，直至全部破碎。一旦多晶硅晶體結構受到的應力消失，那么在彈塑性變形區(qū)域內，產生的壓力問題就會通過直接影響使得多晶硅晶體表面可以產生不同裂縫。所以，需要多光伏多晶

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本文編號：3330312