基于Nd摻雜鍺酸鹽晶體及新型吸收體的脈沖激光特性研究
【學(xué)位單位】:山東師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2020
【中圖分類】:O734;TN248
【部分圖文】:
山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文2具有穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì)之外,還需要考慮它是否與激活離子相匹配以及基質(zhì)晶體場(chǎng)影響激活離子的光譜等因素。比如所選基質(zhì)材料中的陽離子和摻雜的激活離子之間的半徑和價(jià)態(tài)越接近,則匹配程度越高。而對(duì)于尋找性能更加優(yōu)良的新材料和新晶體,是激光研究領(lǐng)域永恒不變的主題。圖1-1四能級(jí)能級(jí)結(jié)構(gòu)圖。1.21μm波段摻釹的新型激光晶體材料1.2.1摻釹的鍺酸鉍(Nd:BGO)晶體簡(jiǎn)介鍺酸鉍(Bi4Ge3O12,BGO)晶體是一種無色透明具有良好的光學(xué)性能和機(jī)械性能的立方晶系(圖1-2)。其空間群為43m或I43d,晶胞常數(shù)為1.05nm,單位晶胞內(nèi)包含4個(gè)Bi4Ge3O12分子[13,14]。BGO晶體具有密度大、硬度大、易生長、不易潮解且熱學(xué)性能穩(wěn)定的優(yōu)勢(shì)且在0.3μm~6μm波段具有高的透過率。在摻雜了稀土離子之后,BGO晶體展現(xiàn)出了良好的抗光損傷性能[15],這些優(yōu)異的性能使得該晶體成為了一個(gè)良好的激光基質(zhì)備選材料。1969年,Johnson等人首次制出了摻釹的BGO激光晶體[16]。1972年,Dickinson等人用提拉法生長Nd、Yb、Er摻雜的BGO晶體,發(fā)現(xiàn)稀土摻雜的BGO晶體為有潛力的激光增益材料[17]。而在1993年,Zhou等人首次實(shí)現(xiàn)了LD泵浦的Nd:BGO自調(diào)Q激光器,得到了穩(wěn)定的脈沖序列[18]。在1994年,F(xiàn)eng等人在Nd3+摻雜BGO晶體中實(shí)現(xiàn)了連續(xù)激光操作,得到了40mW的輸出功率,最大斜效率為20%[19]。2017年,Nd:BGO
山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文3晶體的微觀結(jié)構(gòu)和能級(jí)被系統(tǒng)的計(jì)算研究[20]。近期,Lin等人實(shí)現(xiàn)關(guān)于Nd:BGO單晶光纖的連續(xù)激光輸出,并測(cè)得連續(xù)激光輸出功率達(dá)到了3.37W[21]。當(dāng)Nd3+摻雜到BGO晶體中時(shí),由于Nd3+離子的離子半徑約為0.104nm,Bi3+離子的離子半徑為0.096nm,它們的離子半徑十分相近,Nd3+離子可以取代晶體中的Bi3+離子,形成兩個(gè)發(fā)光中心,這使得Nd:BGO成為一個(gè)較好的具有特色的激光晶體[22]。而且在Nd:BGO晶體中,Bi3+離子還可以對(duì)晶體中的Nd3+離子起到激活與敏化的作用,它可以作為Nd3+例子的敏化離子,以改善和提高晶體對(duì)泵浦光的吸收。張秀榮等人研究了Nd:BGO的光譜特性,證實(shí)了該晶體具有基質(zhì)敏化機(jī)制,并且和Nd:YAG晶體進(jìn)行了對(duì)比[23]。他們研究發(fā)現(xiàn),Nd3+離子在BGO中的分凝系數(shù)接近于1。這使得Nd3+離子比較容易摻雜進(jìn)BGO晶體中,有利于大濃度的摻雜且晶體的均勻性較好。而且經(jīng)過對(duì)該晶體的吸收譜進(jìn)行分析,他們發(fā)現(xiàn)該晶體的吸收譜和室溫下Nd:YAG的吸收譜類似,而且由于Nd3+離子受到BGO內(nèi)晶體場(chǎng)的作用,能級(jí)分裂和譜線加寬,這使得Nd:BGO晶體的吸收帶要寬于Nd:YAG晶體。在室溫下,Nd:BGO晶體所擁有的基質(zhì)敏化特性有利于增強(qiáng)晶體的發(fā)光強(qiáng)度,而該特性也可以減小Nd3+的4I11/2能級(jí)到4F3/2能級(jí)的再吸收過程,以此使得該晶體的閾值降低。圖1-2BGO晶體的晶體結(jié)構(gòu)圖。Nd:BGO晶體具有光輸出高、閾值較低、密度高、能量分辨率高、輻射硬度高等優(yōu)點(diǎn),是固體激光器的一種潛在的激活介質(zhì)。在本文中,我們對(duì)Nd:BGO晶體的激光特性
山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文6圖1-3調(diào)Q裝置原理示意圖。而被動(dòng)調(diào)Q的Q值無法人為操控,其與激光腔內(nèi)的光強(qiáng)有關(guān)。被動(dòng)調(diào)Q無需外加聲光或電光電源,所以更加的簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊且靈活性高,該操作主要是通過在諧振腔中插入可飽和吸收器件來實(shí)現(xiàn)(圖1-3(b))。因此一個(gè)好的可飽和吸收器件是調(diào)Q激光器獲得短脈沖、高峰值功率的關(guān)鍵元件。1966年,DeMaria等人首次用SA在Nd:glass激光器中實(shí)現(xiàn)了的被動(dòng)鎖模,獲得了ps量級(jí)的超短脈沖[33]。近年來,研究和探索新型高性能的可飽和吸收體(SAs)已成為激光研究的一個(gè)熱門領(lǐng)域,可飽和吸收體的探索和發(fā)展極大地促進(jìn)了激光器的發(fā)展。1.3.2鎖模激光技術(shù)1946年,鎖模技術(shù)首次應(yīng)用在了He-Ne激光器上,這使得該技術(shù)獲得了迅猛發(fā)展。在激光器未經(jīng)鎖模時(shí),是自由振蕩的,為多縱模輸出。多個(gè)縱模各自獨(dú)立,位相和振幅都隨機(jī),無法產(chǎn)生持續(xù)的相干作用。假設(shè)單個(gè)縱模的電場(chǎng)可以表示為下式Eq(t)=Eqcosωq+φq1.2其中Eq是第q個(gè)縱模的振幅,ωq和φq是第q個(gè)縱模的角頻率和初始相位。而多縱模輸出激光器的光強(qiáng)是一個(gè)平均值,為各縱模光強(qiáng)的累計(jì)疊加。若諧振腔內(nèi)有2N+1個(gè)模式起振,則由這2N+1個(gè)縱模所疊加的場(chǎng)強(qiáng)為E(t)=Eqcosωq+φqNq=-N1.3則在自由運(yùn)轉(zhuǎn)的激光器內(nèi),若各縱模的振幅相同,皆用E0表示,輸出光強(qiáng)可以表示為I∝(2N+1)E021.4若是采用鎖模技術(shù),使激光器各振蕩縱模之間的頻率間隔一定且具有確定的相位關(guān)系,則多縱模之間就會(huì)產(chǎn)生相干作用,輸出有規(guī)則的脈沖序列。若諧振腔內(nèi)有2N+1個(gè)
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2882229
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