光控分子開關的電子輸運性質研究
[Abstract]:With the rapid development of computer, the microelectronic devices based on traditional silicon semiconductor materials have reached the limit of development due to the physical limitation of principle and the limitation of production technology. Many researchers think of using nanoscale molecules to construct molecular devices with different functions to solve this dilemma. With the development of more and more advanced experimental techniques, such as (STM), mechanical controlled splitting, self-assembled monolayer and electromigration, people can design and measure molecular devices with different functions. Through a lot of research on molecular devices, we have found many similar functions to traditional silicon based semiconductor devices, such as molecular rectification, negative differential resistance, memory function and molecular switch, etc. Because molecular switch is the basis of future molecular circuit and information storage, its research is very important. Molecular switch is a bistable quantum system with two different conductance characteristics under different trigger conditions. Common triggering conditions include STM, redox reaction, electric field regulation and light. Among all the trigger conditions, the optical stimulation method is the easiest to be applied in the future, because it is easy to integrate, to address the light response rate quickly, and the trigger condition is simple and convenient. In the work of this paper, based on density functional theory (DFT) and non-equilibrium Green's function theory (NEGF), we study the behavior of dithiophene with gold as electrode. The electron transport properties of a two-electrode system composed of Heinyl derivatives and dicyanoethylene derivatives are intermediate scattering region molecules, respectively. The main contents and conclusions are as follows: (1) by analyzing the I-V curves of two different structures of dithiophene and ethylene, it is found that the current in closed form is much larger than that in open form. The origin of switching behavior is explained by using the projective self-consistent Hamiltonian distribution of the device and the total transmission at different bias voltages. (2) when we discuss the I-V curves of Heinky derivatives, We found that the current of the transstructural molecular device was significantly higher than that of the cis structure, showing obvious switching characteristics. In addition, we found that after adding fluorine atoms, (3) the I-V curves of dicyanene derivatives show that the current passing through the cis structure is higher. The electron transport properties of the molecular devices with two different structures are discussed in detail through their transmission spectra and projective self-consistent Hamiltonian eigenstates. In addition, there is a negative differential resistance phenomenon in cis structure molecular devices at high bias voltage, which is explained by the transmission eigenstates at the HOMO level.
【學位授予單位】:江南大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2017
【分類號】:O561
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,本文編號:2259435
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