半導體光催化技術作為一種有效的高級氧化技術,能夠將大部分有機污染物氧化降解,且其具有成本較低、室溫下反應、TiO₂無毒和化學穩(wěn)定性好等優(yōu)點,因而成為國際上研究最為前沿的領域之一。但是,目前光催化技術仍然存在很多問題,比如催化劑對光響應范圍較小、反應時間較長和光降解活性較低等。本論文針對上述問題,選取有機污染物丙烯腈作為目標污染物,以模擬日光燈作為穩(wěn)定的光源,以TiO₂/SiO₂為基體,對其進行HNO₃浸漬、H2SO4浸漬、F摻雜和N-F共摻等改性制備,并將其作為光催化劑,利用模擬日光對丙烯腈進行光催化降解研究。具體內(nèi)容如下:首先,考慮到丙烯腈分子具有Lewis堿性,為獲得光催化降解丙烯腈的高活性催化劑,將在工業(yè)催化中常用的固體酸性催化劑引入到光催化中,獲得對環(huán)境友好且有效的催化劑。利用不同濃度的硫酸水溶液浸漬不定型態(tài)TiO₂/SiO₂,獲得硫酸改性的SO₄^2-/TiO₂/SiO_2<... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：127 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

(a)金紅石相和(b)銳鈦礦相的晶體結構

TiO2結構單元的連接方式

圖 1-3 光電子的產(chǎn)生與復合圖-3 The diagram of photoelectron generation and recomb2hvTiO h e+ → + h OH OH+ + → O e O + →


本文編號：2957805