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鈦基摻硼金剛石薄膜電極的制備、性質(zhì)及其在廢水處理中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2020-03-20 02:28
【摘要】:近年來,電化學(xué)高級(jí)氧化技術(shù)處理廢水已經(jīng)越來越受到人們的關(guān)注,因?yàn)樗哂须娧趸矢、環(huán)境友好和易于操作等優(yōu)點(diǎn)。電化學(xué)氧化效率與電極材料密切相關(guān),,需要電極擁有較高的析氧電位。 摻硼金剛石電極(BDD)由于具有電化學(xué)窗口寬,背景電流低,抗腐蝕性強(qiáng),化學(xué)性能穩(wěn)定等諸多優(yōu)點(diǎn)而受到人們的廣泛關(guān)注,在電氧化,電分析,電合成,電容器,電流型生物傳感器等方面的應(yīng)用研究越來越多。BDD電極最初大多以Si、Ta、Nb、W等為基體,但是這些基體存在導(dǎo)電性差,或者機(jī)械強(qiáng)度低,或者價(jià)格較高等缺陷。 本文分別以平板鈦和多孔鈦兩種材料作為電極基體,在不同的條件下制備了硼摻雜金剛石薄膜電極,研究了電極的結(jié)構(gòu),性質(zhì),以及在廢水處理中的應(yīng)用。主要研究成果如下: (1)平板Ti/BDD電極的制備、性質(zhì)研究 采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法,以平板Ti為基體,以甲烷、氫氣、硼酸三甲酯作為氣源,制備出高質(zhì)量的Ti/BDD電極。該電極具有良好的晶形,晶粒分布均勻連續(xù),無裂縫或孔洞出現(xiàn),并且電極中的金剛石含量較高。通過電化學(xué)測(cè)試表明Ti/BDD電極具有較寬的電勢(shì)窗口,較低的背景電流,并且電化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,在較高電壓下具有自清潔能力。通過電化學(xué)加速壽命實(shí)驗(yàn)表明,電極薄膜與基體之間的結(jié)合力良好,具有較長的壽命。 (2)平板Ti/BDD電極在電化學(xué)廢水處理中的應(yīng)用研究 分別以茜素紅和低濃度苯酚為模擬污染物,研究了BDD電極的電催化氧化性能。循環(huán)伏安的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在BDD電極上,苯酚的氧化峰可以和析氧峰完全分開。在含有不同濃度苯酚溶液的循環(huán)伏安實(shí)驗(yàn)中,苯酚的氧化峰電流密度和苯酚濃度成正比,證明氧化反應(yīng)為一級(jí)反應(yīng),苯酚的氧化峰電流密度和掃描速率的平方根成正比,證明電極反應(yīng)受傳質(zhì)控制。茜素紅廢水降解的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在茜素紅廢水降解過程中,Ti/BDD電極可以直接將茜素紅降解為二氧化碳而產(chǎn)生很少的中間產(chǎn)物。 (3)多孔鈦基體BDD電極制備條件的探索研究 采用熱絲化學(xué)氣相沉積法制備了一系列的以多孔鈦為基體的BDD薄膜電極。以甲烷、氫氣、硼酸三甲酯作為氣源,分別考察了反應(yīng)氣體流速,反應(yīng)氣體比例,反應(yīng)偏壓對(duì)金剛石薄膜生長的影響。最終確定使得BDD電極電化學(xué)性能最好的生長條件為V_(CH_4):V_(B(OCH_3)_3/H_2):V_(H_2)=3(:9-3):300,反應(yīng)腔體壓強(qiáng)為4kPa,反應(yīng)偏壓為57V。所制備的電極晶型良好,并且能夠在將多孔鈦基體完整的覆蓋,包括電極的表面和孔的內(nèi)部。 (4)多孔Ti/BDD電極的性質(zhì)及其在廢水處理中的應(yīng)用研究 利用SEM,Raman和XRD技術(shù)分析了金剛石薄膜電極的表面形態(tài),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明所制備的以多孔鈦為基體的硼摻雜金剛石薄膜電極結(jié)構(gòu)均勻,sp~3雜化的金剛石成分較純,并且大部分以(111)晶面呈現(xiàn)。循環(huán)伏安實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該電極具有較寬的電化學(xué)窗口,在鐵氰化鉀溶液中具有準(zhǔn)可逆性。在對(duì)苯二酚模擬廢水的降解實(shí)驗(yàn)中,多孔Ti/BDD電極比平板Ti/BDD電極對(duì)COD具有更高的去除速率。
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2012
【分類號(hào)】:X703

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2591104

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