β-SiCP/Al復(fù)合材料具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高模量、高化學(xué)穩(wěn)定性、低密度等優(yōu)異的性能,在電子封裝領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。粉末冶金方法具有兩相混合均勻、成分控制和材料成形均比較容易實(shí)現(xiàn)、可以獲得高致密度的復(fù)合材料等多方面的優(yōu)點(diǎn),是制備金屬基復(fù)合材料,特別是顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料的常用方法,因此本文采用粉末冶金方法制備體積分?jǐn)?shù)為50%的β-SiC/Al電子封裝材料。論文實(shí)驗(yàn)中根據(jù)振實(shí)密度、松裝密度、空隙率測試結(jié)果,首次采用工業(yè)爐生產(chǎn)的平均粒度為17.94μm的β-SiC微粉作為增強(qiáng)體制備鋁基電子封裝材料。實(shí)驗(yàn)中對(duì)β-SiC微粉進(jìn)行1100℃的高溫氧化、HF酸洗和200℃烘干的表面處理方法,除去SiC表面的吸附氣體和水分并使其棱角鈍化,提高了β-SiC粉體的分散性,制備出了增強(qiáng)體分布均勻、致密度高、孔隙少的β-SiC/Al電子封裝材料。論文研究了成型壓力、燒結(jié)溫度、熱壓壓力對(duì)材料熱導(dǎo)率和熱膨脹系數(shù)的影響,采用金相顯微鏡、掃面電鏡和X-衍射等方法研究了材料的物相,組織形貌及致密度的變化。利用動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀測試了復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù),利用激光導(dǎo)熱儀測試了復(fù)合材料的熱導(dǎo)率,確定的比較理想的制備... 

【文章來源】：西安科技大學(xué)陜西省

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

電子封裝的一般封裝層次從IC芯片的粘結(jié)固定開始到產(chǎn)品的完成，微電子封裝一般分為以下幾個(gè)層次：（如圖1.1所示：）

（c） 基板 （d）熱沉圖 1.2 SiCP/A1 復(fù)合材料在電子封裝中的用途iCp/Al 電子封裝材料熱學(xué)性能研究現(xiàn)狀裝材料必須具備高熱導(dǎo)率，以利于散失使用過程中產(chǎn)生的大量的熱；低的且與配的熱膨脹系數(shù)，以減少熱應(yīng)力失配，從而降低器件的失效，提高可靠性。同材料具有低密度，高剛度等。隨著高密度、大功率集成電路的發(fā)展，提高電子的熱導(dǎo)率和降低其熱膨脹系數(shù)成為解決集成電路熱控的關(guān)鍵。對(duì)于電子封裝材材料的熱性能是非常關(guān)鍵的特性，影響 SiCp/Al 復(fù)合材料熱性能的因素很多，顆粒的形狀、大小、體積分?jǐn)?shù)、界面等，故有必要對(duì)其進(jìn)行研究。 熱導(dǎo)率研究于單相材料而言，材料的導(dǎo)熱率與材料的純度有關(guān)：材料越純，導(dǎo)熱率越高。材料的導(dǎo)熱率取決于各組元的導(dǎo)熱率、體積分?jǐn)?shù)、增強(qiáng)體的分布和尺寸、或基體界面[21] 1.3 SiC/Al 復(fù)合材料的導(dǎo)熱率與增強(qiáng)體體積分?jǐn)?shù)之間的關(guān)系[21]可以看出，隨

1 緒論積分?jǐn)?shù)的增加，復(fù)合材料的導(dǎo)熱率呈近似于直料的研究結(jié)果[22]表明，隨增強(qiáng)體體積分?jǐn)?shù)的增導(dǎo)熱率也下降。對(duì)于金屬來說，電子導(dǎo)熱是主要阻擋以及界面的散射作用，使自由電子平均自增加，界面增多，自由電子平均自由程下降，者[23]也認(rèn)為，在 SiCp/Al 復(fù)合材料中，增強(qiáng)體 顆粒的含量超過 50%后，基體合金被 SiC 顆粒低。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]SiCp/Al復(fù)合材料的制備及其器件的研制[D]. 顧曉峰.武漢理工大學(xué) 2006

碩士論文
[1]無壓浸滲法制備β-SiCp/Al電子封裝材料工藝與性能研究[D]. 劉媛媛.西安科技大學(xué) 2008



本文編號(hào)：3373352